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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	频道类型	驱动配置	驾驶员数量	门类型	逻辑电压 -vil，vih	电流 -峰值输出（源，水槽，水槽）	上升 /秋季t （典型）	高侧电压 -最大（引导程序）
TC4451VAT	3.8200	RFQ	44	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	TC4451	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	13a，13a	30ns，32ns
TC4452VAT	3.8200	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	TC4452	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	单身的	低侧	1	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，2.4V	13a，13a	30ns，32ns
TC4423AVOA713	1.8300	RFQ	4864	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4423	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	12n，12ns
TC4424AVMF713	2.0100	RFQ	5946	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	TC4424	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	12n，12ns
TC4425AVOA	2.2300	RFQ	794	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC4425	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	4.5a，4.5a	12n，12ns
TC4426AVUA713	2.0500	RFQ	6419	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	TC4426	反转	未行业行业经验证	4.5V〜18V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.5a，1.5a	25n，25n
LTC1981ES5＃trmpbf	4.2400	RFQ	8	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5	LTC1981	反转	未行业行业经验证	1.8V〜5.5V	TSOT-23-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	500	单身的	高方向	1	n通道MOSFET	0.6V，1.4V	-	-
LM5111-3MY/NOPB	-	RFQ	5117	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop （0.118英寸，3.00mm宽）	LM5111	反转，无变形	未行业行业经验证	3.5V〜14V	8-HVSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.2V	3a，5a	14ns，12ns
UBA2032TS/N3,118	-	RFQ	1135	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	28SSOP（0.209英寸，宽度为5.30mm）	UBA2032	RC输入电路	未行业行业经验证	10.5v〜13.5V	28 sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	同步	半桥	4	n通道MOSFET	2V，4V; 3V，6V	180mA，200mA	-	550 v
BUK218-50DC，118	-	RFQ	4633	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	BUK218	-	未行业行业经验证	5.5V〜35V	D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	独立的	高方向	2	n通道MOSFET	1.2V，3V	8a，8a	-
BUK218-50DY，118	-	RFQ	7159	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	BUK218	-	未行业行业经验证	5.5V〜35V	D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	独立的	高方向	2	n通道MOSFET	1.2V，3V	8a，8a	-
MC33395TEWR2	-	RFQ	2302	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	32-bessop （0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MC33395	不转变	未行业行业经验证	5.5V〜24V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	3相	半桥	6	n通道MOSFET	-	-	350n，250n
IRS21084pbf	-	RFQ	6558	Infineon技术	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRS21084	反转，无变形	未行业行业经验证	10v〜20V	14浸	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,500	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.5V	290mA，600mA	100NS，35NS	600 v
ISL6612BCBZ	-	RFQ	3542	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ISL6612	不转变	未行业行业经验证	7v〜13.2v	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-isl6612BCBZ	Ear99	8542.39.0001	98	同步	半桥	2	n通道MOSFET	-	1.25a，2a	26NS，18NS	36 V
IR2127SPBF	3.0800	RFQ	12	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR2127	不转变	未行业行业经验证	12v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	单身的	高方面或低侧	1	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，3V	250mA，500mA	80n，40n	600 v
IR4427SPBF	2.5700	RFQ	2	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IR4427	不转变	未行业行业经验证	6v〜20V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	95	独立的	低侧	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.7V	2.3a，3.3a	15ns，10ns
LTC1156CN ＃PBF	12.4720	RFQ	1990	模拟设备公司	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	LTC1156	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	25	独立的	高方向	4	n通道MOSFET	0.8V，2V	-	-
MIC4468CWM	-	RFQ	7409	微芯片技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MIC4468	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜18V	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	47	独立的	低侧	4	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2.4V	1.2a，1.2a	14ns，13ns
IR2114SS	-	RFQ	8851	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	24SSOP （0.209“，5.30mm宽度）	IR2114	不转变	未行业行业经验证	11.5v〜20V	24 SSOP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	55	独立的	半桥	2	IGBT	0.8V，2V	2a，3a	24ns，7ns	600 v
IR2106PBF	-	RFQ	6342	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	IR2106	不转变	未行业行业经验证	10v〜20V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	0.8V，2.9V	200mA，350mA	150NS，50NS	600 v
MC33152DG	1.7200	RFQ	8	Onmi	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MC33152	不转变	未行业行业经验证	6.1v〜18V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	98	独立的	低侧	2	n通道MOSFET	0.8V，2.6V	1.5a，1.5a	36ns，32ns
LTC4441ES8-1＃trpbf	3.1200	RFQ	1873年	模拟设备公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	LTC4441	不转变	未行业行业经验证	5v〜25V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	单身的	低侧	1	n通道MOSFET	1.8V，2V	6a，6a	13ns，8ns
IXDF502D1T/r。	-	RFQ	8333	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	IXDF502	反转，无变形	未行业行业经验证	4.5V〜30V	6-DFN （4x5）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	2a，2a	7.5NS，6.5NS
ixdn502siat/r	-	RFQ	5962	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IXDN502	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜30V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	独立的	低侧	2	Igbt，n通道，p通道Mosfet	0.8V，3V	2a，2a	7.5NS，6.5NS
TC1411NVOA713	1.1100	RFQ	2847	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1411	不转变	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1a，1a	25n，25n
TC1411VOA713	1.1100	RFQ	8397	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TC1411	反转	未行业行业经验证	4.5V〜16V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,300	单身的	低侧	1	n通道，p通道MOSFET	0.8V，2V	1a，1a	25n，25n
2ED020I12-F	-	RFQ	5068	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	2ED020	反转	未行业行业经验证	0v〜18V	PG-DSO-18-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	独立的	半桥	2	IGBT，N通道MOSFET	-	1a，2a	-	1200 v
UCC27200DDA	3.1200	RFQ	169	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	UCC27200	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	8-SO POWERPAD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	3V，8V	3a，3a	8NS，7NS	120 v
UCC27201D	2.8300	RFQ	8403	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UCC27201	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	3a，3a	8NS，7NS	120 v
UCC27201DDA	2.8300	RFQ	8	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）	UCC27201	不转变	未行业行业经验证	8v〜17V	8-SO POWERPAD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	75	独立的	半桥	2	n通道MOSFET	0.8V，2.5V	3a，3a	8NS，7NS	120 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

门司机（（7161）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²