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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
CG8555AAT	-	RFQ	9647	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-			到达不受影响		过时的		1,000
mtfc32gapalna-aat	34.6800	RFQ	760	微米技术公司	E•MMC™	托盘	上次购买	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	100-TBGA	mtfc32g	闪存-NAND	-	100-TBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
R1LP0108ESA-7SI ＃B0	-	RFQ	8270	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））	R1LP0108	SRAM	4.5V〜5.5V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	70 ns	SRAM	128K x 8	平行线	70NS
EM032LXOAB320CS1T	30.9000	RFQ	9584	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	托盘	积极的	0°C〜70°C	表面安装	24-TBGA		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	24-tbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM032LXOAB320CS1T	Ear99	8542.32.0071	480	200 MHz	非易失性	32Mbit		内存	4m x 8	spi -octal I/o	-
mt29c2g48maklcji-6 it tr	-	RFQ	6758	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	168-VFBGA	MT29C2G48	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	-	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	非易失性，挥发性	2Gbit（NAND），1Gbit lpdram）		闪光，ram	128m x 16（NAND），32m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
W25Q80DVSNSG	-	RFQ	1843年	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	W25Q80	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-SOIC	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q80DVSNSG			1	104 MHz	非易失性	8mbit	6 ns	闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	30µs，3ms
71V547S100PFGI8	7.4482	RFQ	4390	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v547	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4.5mbit	10 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
71V2556S133PFGI	-	RFQ	7460	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v2556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载						8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
CY7C1512V18-200BZXC	-	RFQ	1445	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1512	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	5（48）（48））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	200 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
W25Q16BVZPIG	-	RFQ	5082	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q16	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，3ms
647893-S21-C	37.5000	RFQ	5250	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-647893-S21-C	Ear99	8473.30.5100	1
CG8303AAT	-	RFQ	8562	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,000
7025l35pfi	-	RFQ	7618	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	7025L35	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	90		易挥发的	128kbit	35 ns	SRAM	8k x 16	平行线	35ns
S29GL01GP11FAIR20	26.6700	RFQ	11	赛普拉斯半导体公司	gl-p	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL01	闪光灯 -也不	3v〜3.6V	64-FBGA（11x13）	下载	Rohs不合规				3A991B1A	8542.32.0071	19		非易失性	1Gbit	110 ns	闪光	128m x 8	平行线	110NS
IDT71V35761YSA200BQ	-	RFQ	8023	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IDT71V35761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V35761YSA200BQ	3A991B2A	8542.32.0041	136	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
thgbmug7c1lbail	-	RFQ	2949	美国济欧克美国公司	-	托盘	积极的								-		3（168））		1853-thgbmug7c1lbail	3A991B1A	8542.32.0071	152
CY7C1314JV18-250BZXC	34.9600	RFQ	289	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1314	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	9	250 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	512k x 36	平行线	-	未行业行业经验证
GS864018GT-250I	105.7100	RFQ	9391	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	GS864018	sram-同步，标准	2.3v〜2.7V，3v〜3.6V	100-TQFP（20x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS864018GT-250I	3A991B2B	8542.32.0041	18	250 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
MT62F768M64D4ZU-026 wt：b	27.9300	RFQ	6515	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C〜85°C	-	-	MT62F768	sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F768M64D4ZU-026WT：b			1	3.2 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	768m x 64	平行线	-
CY7C1061G18-15ZSXI	48.1250	RFQ	4911	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1061	sram-异步	1.65V〜2.2V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	108		易挥发的	16mbit	15 ns	SRAM	1m x 16	平行线	15ns
IS61QDB41M36-250M3	-	RFQ	9941	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61QDB41	sram-同步，四边形	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	易挥发的	36mbit	7.5 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
IS42S32800J-75ETL	6.0682	RFQ	6954	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	133 MHz	易挥发的	256Mbit	6 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
FM25L04B-G	-	RFQ	1078	赛普拉斯半导体公司	F-RAM™	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FM25L04	fram （铁电 ram）	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	不适用	供应商不确定				153	20 MHz	非易失性	4Kbit		框架	512 x 8	spi	-	未行业行业经验证
EM6HC16EWXC-12IH	4.0102	RFQ	2	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	EM6HC16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43TR81024B-125KBLI-TR	20.9076	RFQ	4867	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR81024B-125KBLI-TR			2,000	800 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
S25FL512SAGMFAR10	9.8700	RFQ	4675	Infineon技术	fl-s	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O。	-
SNPWM5YYC/4G-C	50.0000	RFQ	6363	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-SNPWM5YYC/4G-C	Ear99	8473.30.5100	1
CY7C199L-15ZI	-	RFQ	4001	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	CY7C199	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-tsop i	下载					Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	15 ns	SRAM	32K x 8	平行线	15ns
AS6C6264-55STCN	3.6124	RFQ	4350	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	AS6C6264	sram-异步	2.7V〜5.5V	28-Stsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	234		易挥发的	64kbit	55 ns	SRAM	8k x 8	平行线	55ns
S29GL01GT10FAI020	-	RFQ	1818年	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的								-				2156-S29GL01GT10FAI020			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²