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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT48LC16M16A2B4-7E IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2B4-7E IT:G Tr 6.0918
RFQ
ECAD 2717 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-VFBGA MT48LC16M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-VFBGA(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 14ns
MT48LC16M16A2B4-7E:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2B4-7E:g tr -
RFQ
ECAD 6643 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-VFBGA MT48LC16M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-VFBGA(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 14ns
MT48LC16M16A2P-6A AIT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A AIT:g tr -
RFQ
ECAD 2895 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC16M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,000 167 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 12ns
MT48LC16M16A2P-6A XIT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A XIT:g tr 6.6600
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ECAD 5 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC16M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 12ns
MT48LC16M16A2P-7E IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-7E IT:G Tr -
RFQ
ECAD 2792 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC16M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 14ns
MT48LC16M8A2BB-6A AAT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2BB-6A AAT:l tr -
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ECAD 5062 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 60-TFBGA MT48LC16M8A2 Sdram 3v〜3.6V 60-FBGA(8x16) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 8 平行线 12ns
MT48LC2M32B2B5-6A IT:J TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2B5-6A IT:j tr 5.7449
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ECAD 6 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48LC2M32B2 Sdram 3v〜3.6V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 12ns
MT48LC4M16A2P-6A IT:J TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-6A IT:j tr 4.3402
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ECAD 4 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC4M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 12ns
MT29F1G08ABADAH4-ITE:D Micron Technology Inc. MT29F1G08ABADAH4-ITE:d -
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ECAD 2641 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 -
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAH4-IT:e -
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ECAD 5097 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 -
MT29F1G08ABBEAHC-IT:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBEAHC-IT:e -
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ECAD 5555 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G08 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(10.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 -
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E Micron Technology Inc. mt29f1g16abbeahc-it:e -
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ECAD 3166 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G16 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(10.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 64m x 16 平行线 -
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E Micron Technology Inc. mt29f1g16abbeamd-it:e -
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ECAD 6194 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 130-VFBGA MT29F1G16 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 130-vfbga(8x9) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 64m x 16 平行线 -
MT29F256G08AUAAAC5-ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F256G08AUAAAC5-ITZ:a -
RFQ
ECAD 9906 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 52-vlga MT29F256G08 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 52-vlga(18x14) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 980 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F256G08CJABBWP-12:B Micron Technology Inc. MT29F256G08CJABBWP-12:b -
RFQ
ECAD 2026 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 960 83 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F256G08CMCABK3-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABK3-10Z:a -
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ECAD 6676 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 - MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-ITE:e -
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ECAD 1690年 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F2G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 平行线 -
MT29F32G08AECCBH1-10Z:C Micron Technology Inc. MT29F32G08AECCBH1-10Z:c -
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ECAD 5972 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-vbga MT29F32G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 MHz 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 平行线 -
MT29F32G08CBADAWP:D Micron Technology Inc. MT29F32G08CBADAWP:d -
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ECAD 5528 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F32G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 960 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 平行线 -
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAWP-IT:e -
RFQ
ECAD 1255 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F4G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 960 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 -
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBEAH4-IT:e -
RFQ
ECAD 4537 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G08 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 -
MT29F4G16ABAEAH4:E Micron Technology Inc. MT29F4G16ABAEAH4:e -
RFQ
ECAD 9942 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G16 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 4Gbit 闪光 256m x 16 平行线 -
MT29F4G16ABAEAH4-IT:E Micron Technology Inc. MT29F4G16ABAEAH4-IT:e -
RFQ
ECAD 2176 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G16 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 非易失性 4Gbit 闪光 256m x 16 平行线 -
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBEAH4-IT:e -
RFQ
ECAD 4269 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G16 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 非易失性 4Gbit 闪光 256m x 16 平行线 -
MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:a -
RFQ
ECAD 4619 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-LBGA MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 132-LBGA (12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AECABH1-10ITZ:a 87.1200
RFQ
ECAD 857 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-vbga MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT29F64G08AECABJ1-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AECABJ1-10ITZ:a -
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ECAD 9549 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 - MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT29F64G08AECABJ1-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AECABJ1-10Z:a -
RFQ
ECAD 8239 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT29F8G08ABACAH4:C Micron Technology Inc. MT29F8G08ABACAH4:c -
RFQ
ECAD 4226 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F8G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 非易失性 8Gbit 闪光 1G x 8 平行线 -
MT29F8G08ABACAH4-S:C Micron Technology Inc. MT29F8G08ABACAH4-S:c -
RFQ
ECAD 2471 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F8G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 非易失性 8Gbit 闪光 1G x 8 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库