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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
S25FL512SDSBHV210	10.3400	RFQ	7888	赛普拉斯半导体公司	fl-s	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载							1	80 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O。	-	未行业行业经验证
IS21TF08G-JQLI-TR	-	RFQ	5695	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	IS21TF08G	Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	100-LFBGA（14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS21TF08G-JQLI-TR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
X4VGV-C	102.5000	RFQ	7416	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-X4VGV-C	Ear99	8473.30.5100	1
MR4A16BUYS45	46.6050	RFQ	9488	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR4A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	54-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR4A16BUYS45	Ear99	8542.32.0071	108		非易失性	16mbit	45 ns	内存	1m x 16	平行线	45ns
IS43TR16256AL-15HBLI	-	RFQ	5204	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16256	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	190	667 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
MR1A16AMA35	15.3663	RFQ	7734	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR1A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR1A 16AMA35	Ear99	8542.32.0071	348		非易失性	2Mbit	35 ns	内存	128K x 16	平行线	35ns
CY14B104L-ZS25XI	-	RFQ	2813	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY14B104	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		非易失性	4Mbit	25 ns	NVSRAM	512k x 8	平行线	25ns
W66CP2NQUAGJ TR	6.6300	RFQ	7321	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	W66CP2	sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-WFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W66CP2NQUAGJTR	Ear99	8542.32.0036	2,500	2.133 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 32	LVSTL_11	18NS
IS46LD32128B-25BPLA2-TR	-	RFQ	6181	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS46LD32128	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46LD32128B-25BPLA2-TR	Ear99	8542.32.0036	1	400 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 32	HSUL_12	15ns
71256S20YGI	-	RFQ	8210	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）		sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	-				800-71256S20YGI			1		易挥发的	256kbit	20 ns	SRAM	32K x 8	平行线	20NS
A1837307-C	17.5000	RFQ	6908	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A1837307-C	Ear99	8473.30.5100	1
CY7C1520KV18-300BZC	135.1500	RFQ	121	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1520	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	136	300 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
B4U35AA-C	17.5000	RFQ	6552	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-B4U35AA-C	Ear99	8473.30.5100	1
IS46LQ32128A-062TBLA2-TR	-	RFQ	7573	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ32128A-062TBLA2-TR			2,500	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 32	lvstl	18NS
S29GL512T10GHI020	8.5600	RFQ	3203	赛普拉斯半导体公司	GL-T	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-VFBGA	S29GL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-FBGA（9x7）	下载	Rohs不合规	不适用	供应商不确定	2832-S29GL512T10GHI020	3A991B1A	8542.32.0070	30		非易失性	512Mbit	100 ns	闪光	64m x 8	平行线	60ns	未行业行业经验证
MX77L51250FMI42	6.2250	RFQ	1051	大元	-	管子	积极的								-		3（168））		1092-MX77L51250FMI42			44
MT53E2G64D8TN-046 wt：a tr	92.3100	RFQ	8633	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	556-LFBGA		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	556-LFBGA （12.4x12.4）	-				557-MT53E2G64D8TN-046WT：ATR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	128Gbit	3.5 ns	德拉姆	2G x 64	平行线	18NS
5962-9150803MXA	-	RFQ	5532	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	68-BPGA	5962-9150803	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	68-PGA （29.46x29.46）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	800-5962-9150803MXA	过时的		3		易挥发的	128kbit	55 ns	SRAM	16k x 8	平行线	55ns
4x70G88311-C	110.0000	RFQ	2310	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-4X70G88311-C	Ear99	8473.30.5100	1
MT40A1G8SA-062E：r tr	6.0000	RFQ	6270	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A1G8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT40A1G8SA-062E：RTR	3A991B1A	8542.32.0071	2,000	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit	19 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
S99ML01G10043	-	RFQ	7207	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	在sic中停产								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1
STK17TA8-RF25	-	RFQ	1680年	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）	STK17TA8	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-SSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	60		非易失性	1Mbit	25 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	25ns
SM671PXD-AFST	-	RFQ	7574	硅运动，Inc。	Ferri-Ufs™	托盘	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	153-TFBGA	SM671	Flash -nand（tlc）	-	153-BGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1984-SM671PXD-AFST			1		非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	UFS2.1	-
CAT24C02ZE-GT3A	0.2400	RFQ	36	Onmi	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	CAT24C02	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
MT58L128L32F1F-10	5.5600	RFQ	1	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	MT58L128L32	sram-同步	3.135v〜3.6V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	66 MHz	易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	128K x 32	平行线	-
CAT25010VP2I-GT3	0.2000	RFQ	3	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	CAT25010	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tdfn （2x3）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	3,000		非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8	spi	5ms
CY27C256-150pc	-	RFQ	9858	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	28- 浸（0.600英寸，15.24毫米）	CY27C256	EPROM -OTP	4.5V〜5.5V	28-pdip	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0071	1		非易失性	256kbit	150 ns	EPROM	32K x 8	平行线	-
71421SA5J8	-	RFQ	7411	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	-				800-71421SA5J8TR			1		易挥发的	16kbit		SRAM	2k x 8	平行线	-
UPD431000AGW-80Y-E2	0.7800	RFQ	441	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991	8542.32.0041	1,000
S99JL032J0010	-	RFQ	6353	Infineon技术	-	大部分	过时的								-		供应商不确定	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²