内存(70500)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	时钟频率	内存类型	内存大小	访QQT	内存格式	记忆组织	内存接口	周期写入T - 字、页	SIC
7025L12J8	-	询价	3623	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	0℃～70℃（TA）	表面贴装	84-LCC（J导联）		SRAM - 双端口，异步	4.5V~5.5V	84-PLCC (29.31x29.31)	-				800-7025L12J8TR			1		易挥发的	128Kbit	12纳秒	静态随机存储器	8K×16	平行线	12纳秒
707288L15PFI	-	询价	3661	瑞萨电子美国公司	-	托盘	最后一次购买	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	100-LQFP		SRAM - 双端口，异步	4.5V~5.5V	100-TQFP (14x14)	-				800-707288L15PFI			1		易挥发的	1兆比特	15纳秒	静态随机存储器	64K×16	平行线	15纳秒
S29GL01GS11FHIV10	2000年13月	询价	第870章	英飞凌科技	GL-S	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	64-LBGA	S29GL01	或-NOR	1.65V～3.6V	64-FBGA (13x11)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B1A	8542.32.0071	180		非活跃性	1Gbit	110纳秒	闪光	64米×16	平行线	60纳秒	未验证
MT49H32M18BM-33:B	-	询价	8561	美光科技公司	-	大部分	过时的	0℃～95℃（温控）	表面贴装	144-TFBGA	MT49H32M18	动态随机存取存储器	1.7V~1.9V	144μBGA (18.5x11)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2266-MT49H32M18BM-33:B	EAR99	8542.32.0024	1,000	300兆赫	易挥发的	576兆比特	20纳秒	动态随机存取存储器	32M×18	平行线	-
S99AS016J0030	-	询价	4835	英飞凌科技	-	大部分	最后一次购买								-							1
CY7C168A-25PC	2.3100	询价	993	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	通孔	20-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	CY7C168	SRAM - 异步	4.5V~5.5V	20-DIP	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	8542.32.0041	1		易挥发的	16Kbit	25纳秒	静态随机存储器	4K×4	平行线	25纳秒
AT27C020-55JU-T	4.7100	询价	8545	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C（温控）	表面贴装	32-LCC（J导联）	AT27C020	EPROM-OTP	4.5V~5.5V	32-PLCC (13.97x11.43)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0061	750		非活跃性	2兆比特	55纳秒	EPROM	256K×8	平行线	-
805353-B21-C	140.0000	询价	6966	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-805353-B21-C	EAR99	8473.30.5100	1
MT52L256M32D1PF-093 WT:B	-	询价	6342	美光科技公司	-	托盘	过时的	-30°C ~ 85°C（温控）	表面贴装	178-VFBGA	MT52L256	SDRAM - 移动 LPDDR3	1.2V	178-FBGA (11.5x11)	下载			REACH 不出行		EAR99	8542.32.0036	1,890	1067兆赫	易挥发的	8Gbit		动态随机存取存储器	256M×32	-	-
CY7C1049B-25VC	3.4200	询价	902	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	36-BSOJ（0.400英寸，10.16毫米宽）	CY7C1049	SRAM - 异步	4.5V~5.5V	36-SOJ	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4兆比特	25纳秒	静态随机存储器	512K×8	平行线	25纳秒
MT53E768M32D4DT-053 AAT:E	29.2650	询价	3286	美光科技公司	汽车，AEC-Q100	托盘	的积极	-40°C ~ 125°C（温控）	表面贴装	200-VFBGA	MT53E768	SDRAM - 移动 LPDDR4	1.1V	200-VFBGA (10x14.5)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	MT53E768M32D4DT-053AAT:E	EAR99	8542.32.0036	1,360	1.866GHz	易挥发的	24Gbit		动态随机存取存储器	768米×32	-	-
MTFC256GAXAUEA-WT TR	27.5700	询价	9228	美光科技公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-25℃～85℃	表面贴装	153-WFBGA		附件 - NAND (SLC)	-	153-WFBGA (11.5x13)	-				557-MTFC256GAXAUEA-WTTR			2,000		非活跃性	2T比特		闪光	256G×8	超高速文件系统	-
S80KS2563GABHV023	11.1650	询价	6336	英飞凌科技	HYPERRAM™	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	24-VBGA		PSRAM（α SRAM）	1.7V～2V	24-FBGA (6x8)	下载	符合ROHS3标准				3A991B2A	8542.32.0041	2,500人	200兆赫	易挥发的	256兆比特	35纳秒	PSRAM	32M×8	SPI-八路I/O	35纳秒
K770024CF0C000	-	询价	9239	英飞凌科技	-	大部分	最后一次购买								-							1
S25FL132K0XMFI041	8.0700	询价	62	赛普拉斯半导体公司	FL1-K	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	S25FL132	或-NOR	2.7V~3.6V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准				3A991B1A	8542.32.0071	97	108兆赫	非活跃性	32兆比特		闪光	4M×8	SPI——四路I/O	3毫秒
7133SA17PFI8	-	询价	8043	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	100-LQFP		SRAM - 双端口，异步	4.5V~5.5V	100-TQFP (14x14)	-				800-7133SA17PFI8TR			1		易挥发的	32Kbit	17纳秒	静态随机存储器	2K×16	平行线	17纳秒
GD5F2GQ5UEYJGR	4.6874	询价	6614	兆易创新半导体(香港)有限公司	GD5F	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘		附件 - NAND (SLC)	2.7V~3.6V	8-WSON (6x8)	下载				1970-GD5F2GQ5UEYJGRTR			3,000	104兆赫	非活跃性	2Gbit	9纳秒	闪光	256M×8	SPI——四路I/O	600微秒
CY14B256L-SP35XI	12.6600	询价	1	赛普拉斯半导体公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	48-BSSOP（0.295英寸，7.50毫米宽）	CY14B256	NVSRAM（非易失性SRAM）	2.7V~3.6V	48-SSOP	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8542.32.0041	24		非活跃性	256Kbit	35纳秒	非静态随机仓库	32K×8	平行线	35纳秒	未验证
CY7C1474BV33-167BGC	138.6700	询价	32	赛普拉斯半导体公司	诺BL™	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	209-BGA	CY7C1474	SRAM-同步、SDR	3.135V～3.6V	209-FBGA (14x22)	下载	不符合 RoHS 指令				3A991B2A	8542.32.0041	84	167兆赫	易挥发的	72兆比特	3.4纳秒	静态随机存储器	1M×72	平行线	-	未验证
00U0283-C	22.5000	询价	3270	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-00U0283-C	EAR99	8473.30.5100	1
MR256DL08BMA45	7.3191	询价	8414	Everspin技术公司	-	托盘	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	48-LFBGA	MR256DL08	MRAM（磁阻RAM）	2.7V~3.6V	48-FBGA (8x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-1062	EAR99	8542.32.0071	第348章		非活跃性	256Kbit	45纳秒	内存	32K×8	平行线	45纳秒
AS4C64M16D1A-6BINTR	17.0905	询价	第1337章	联盟内存公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	60-TFBGA		SDRAM-DDR	2.3V~2.7V	60-FBGA (8x13)	下载		3（168小时）		1450-AS4C64M16D1A-6BINTR			1,000	166兆赫	易挥发的	1Gbit	700皮秒	动态随机存取存储器	64米×16	SSTL_2	15纳秒
MT62F1G32D2DS-023 AUT:B TR	36.7350	询价	8387	美光科技公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～125℃	表面贴装	200-WFBGA		SDRAM - 移动 LPDDR5	1.05V	200-WFBGA (10x14.5)	-				557-MT62F1G32D2DS-023AUT：BTR			2,000	3.2GHz	易挥发的	32Gbit		动态随机存取存储器	1G×32	平行线	-
LE24C043M-TLM-E	0.2600	询价	5432	三洋	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	LE24C	EEPROM	2.7V～5.5V	8-MFP	-	不适用	3（168小时）	供应商未定义				1,000	400kHz	非活跃性	4Kbit	900纳秒	EEPROM	512×8	I²C	10毫秒
E2Q93AA-C	68.7500	询价	7627	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-E2Q93AA-C	EAR99	8473.30.5100	1
S25HS512TDPMHI010	11.3800	询价	233	英飞凌科技	HS-T	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	S25HS512	或-NOR	1.7V～2V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B1A	8542.32.0071	240	133兆赫	非活跃性	512兆比特		闪光	64M×8	SPI——四路I/O	-
IDT71256SA25PZ8	-	询价	2083	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	28-TSSOP（0.465英寸，11.80毫米宽）	IDT71256	SRAM - 异步	4.5V~5.5V	28-TSOP	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行	71256SA25PZ8	EAR99	8542.32.0041	2,000		易挥发的	256Kbit	25纳秒	静态随机存储器	32K×8	平行线	25纳秒
CDAC374M96	-	询价	6145	哈里斯公司	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义				1
MT29F4T08EULGEM4-ITF:G	130.1100	询价	6151	美光科技公司	-	盒子	的积极								-				557-MT29F4T08EULGEM4-ITF:G			1
AT21CS01-STUM13-T	-	询价	7097	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C（温控）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	AT21CS01	EEPROM	1.7V~3.6V	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0051	5,000	125kbps	非活跃性	1Kbit		EEPROM	128×8	I²C，单线	5毫秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

内存(70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²