RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
W25Q16CVZPAG	-	RFQ	7415	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q16	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x5）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q16CVZPAG	过时的		1	104 MHz	非易失性	16mbit	6 ns	闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，3ms
W25Q16JVZPAM	-	RFQ	7745	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q16	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x5）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q16JVZPAM			1	133 MHz	非易失性	16mbit	6 ns	闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	3ms
W25Q16JVZPAQ	-	RFQ	2763	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q16	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x5）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q16JVZPAQ			1	133 MHz	非易失性	16mbit	6 ns	闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
IS46LD32128B-25BPLA1	-	RFQ	8282	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS46LD32128	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46LD32128B-25BPLA1	Ear99	8542.32.0036	1	400 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 32	HSUL_12	15ns
IS46LD32128C-18BPLA1-TR	-	RFQ	1891年	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS46LD32128	sdram- lpddr2	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46LD32128C-18BPLA1-TR	Ear99	8542.32.0036	1	533 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 32	HSUL_12	15ns
IS46LD32128C-25BPLA1	-	RFQ	3130	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS46LD32128	sdram- lpddr2	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46LD32128C-25BPLA1	Ear99	8542.32.0036	1	400 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 32	HSUL_12	15ns
IS43LD32128A-25BPLI-Tr	-	RFQ	2586	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS43LD32128	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LD32128A-25BPLI-Tr	过时的		1	400 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 32	HSUL_12	15ns
IS46LD32128C-18BPLA2-TR	-	RFQ	6254	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS46LD32128	sdram- lpddr2	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46LD32128C-18BPLA2-TR	Ear99	8542.32.0036	1	533 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 32	HSUL_12	15ns
IS43LD32128C-25BPL-TR	-	RFQ	1600	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LD32128C-25BPL-TR	Ear99	8542.32.0036	1
IS43LD32128A-25BPL-TR	-	RFQ	3065	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS43LD32128	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LD32128A-25BPL-TR	过时的		1	400 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 32	HSUL_12	15ns
IS43LD32128C-18BPL-Tr	-	RFQ	3021	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LD32128C-18BPL-Tr	Ear99	8542.32.0036	1
IS46LD32128C-25BPLA2-TR	-	RFQ	3161	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS46LD32128	sdram- lpddr2	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46LD32128C-25BPLA2-TR	Ear99	8542.32.0036	1	400 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 32	HSUL_12	15ns
IS46LD32128A-25BPLA1	-	RFQ	2362	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS46LD32128	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46LD32128A-25BPLA1	过时的		1	400 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 32	HSUL_12	15ns
AT24CSW020-Stum-T	0.2000	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5	AT24CSW020	EEPROM	1.7v〜3.6V	TSOT-23-5	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	1 MHz	非易失性	2kbit	450 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
24CS512T-I/Q4B	1.2800	RFQ	6439	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	24CS512	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-udfn（2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	3.4 MHz	非易失性	512kbit	400 ns	EEPROM	64k x 8	i²c	5ms
mtfc32gazaqhd-wt	18.0200	RFQ	1781年	微米技术公司	E•MMC™	托盘	积极的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	153-VFBGA	mtfc32g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFC32GAZAQHD-WT	3A991B1A	8542.32.0071	1,520	200 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
DS28E02P-W10+4	-	RFQ	8701	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-20°C〜85°C（TA）	表面安装	6-SMD，J-Lead	DS28E02	EEPROM	1.75V〜3.65V	6-TSOC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		175-DS28E02P-W10+4Tr	过时的		4,000		非易失性	1kbit	2 µs	EEPROM	256 x 4	1-Wire®	25ms
DS28E02P-W10+7	-	RFQ	7036	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-20°C〜85°C（TA）	表面安装	6-SMD，J-Lead	DS28E02	EEPROM	1.75V〜3.65V	6-TSOC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		175-DS28E02P-W10+7TR	过时的		4,000		非易失性	1kbit	2 µs	EEPROM	256 x 4	1-Wire®	25ms
DS28E02P-W10+5T	-	RFQ	5145	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-20°C〜85°C（TA）	表面安装	6-SMD，J-Lead	DS28E02	EEPROM	1.75V〜3.65V	6-TSOC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		175-DS28E02P-W10+5TTR	过时的		4,000		非易失性	1kbit	2 µs	EEPROM	256 x 4	1-Wire®	25ms
24CS512T-E/Q6B66KVAO	-	RFQ	4776	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装，可润湿的侧面	8-UFDFN暴露垫	24CS512	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-udfn（2x3）	下载			到达不受影响	150-24CS512T-E/Q6B66KVAOTR	Ear99	8542.32.0051	3,300	3.4 MHz	非易失性	512kbit	400 ns	EEPROM	64k x 8	i²c	5ms
MT29F256G08CECABH6-10：a	-	RFQ	6230	微米技术公司	-	大部分	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））		557-MT29F256G08CECABH6-10：a	过时的		1,000
AT24C32E-U1UM0B-T	-	RFQ	7657	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	150-AT24C32E-U1UM0B-TTR	Ear99	8542.32.0051	5,000
AT8358H03-IWE1D	-	RFQ	4910	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））		150-AT8358H03-IWE1DTR	过时的		1,000
AT8358A86-IWE2D	-	RFQ	5776	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））		150-AT8358A86-IWE2DTR	过时的		1,000
W631GG6MB12J TR	-	RFQ	1498年	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	W631GG6	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-VFBGA（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W631GG6MB12JTR	过时的		3,000	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	SSTL_15	15ns
W631GG8NB15J TR	-	RFQ	8939	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	W631GG8	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-VFBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W631GG8NB15JTR	Ear99	8542.32.0032	2,000	667 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	SSTL_15	15ns
W631GG6NB11J TR	-	RFQ	3623	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	W631GG6	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-VFBGA（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W631GG6NB11JTR	Ear99	8542.32.0032	3,000	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	SSTL_15	15ns
W631GG8MB12J TR	-	RFQ	4222	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	W631GG8	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-VFBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W631GG8MB12JTR	过时的		2,000	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	SSTL_15	15ns
W631GG6NB15J TR	-	RFQ	4688	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	W631GG6	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-VFBGA（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W631GG6NB15JTR	Ear99	8542.32.0032	3,000	667 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	SSTL_15	15ns
W631GU6NB12J TR	-	RFQ	6097	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	W631GU6	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V，1.425V〜1.575V	96-VFBGA（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W631GU6NB12JTR	Ear99	8542.32.0032	3,000	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²