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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
24fc04-e/p	0.5400	RFQ	578	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	24FC04	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	60	1 MHz	非易失性	4Kbit	450 ns	EEPROM	256 x 8 x 2	i²c	5ms
CY7C1320JV18-250BZXI	35.7800	RFQ	20	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1320	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	9	250 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	512k x 36	平行线	-	未行业行业经验证
CAT24C01WGI	0.1200	RFQ	3	Onmi	*	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT24C01	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-SOIC	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-CAT24C01WGI-488	Ear99	8542.32.0071	1	400 kHz	非易失性	1kbit	900 ns	EEPROM	128 x 8	i²c	5ms
05523-770/0001	-	RFQ	1885年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））			过时的		1,500
M30042040108X0PWAR	14.5624	RFQ	7687	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	8-WDFN暴露垫	M30042040108	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	800-M30042040108X0PWARTR	Ear99	8542.32.0071	4,000	108 MHz	非易失性	4Mbit		内存	1m x 4	-	-
47C16T-E/SN16KVAO	-	RFQ	5404	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	47C16	Eeprom，Sram	4.5V〜5.5V	8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响	150-47C16T-E/SN16KVAO	Ear99	8542.32.0051	3,300	1 MHz	非易失性	16kbit		埃拉姆	2k x 8	i²c	1ms
BR24C01-DW6TP	-	RFQ	9350	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	BR24C01	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	400 kHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8	i²c	5ms
MB85R8M1TABGL-G-JAE1	14.3327	RFQ	6270	Kaga Fei America，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	MB85R8	fram （铁电 ram）	1.8v〜3.6V	48-fbga（8x6）	-	rohs3符合条件	3（168））		865-MB85R8M1TABGL-G-JAE1	Ear99	8542.32.0071	480		非易失性	8mbit	120 ns	框架	512k x 16	平行线	120ns
CAT25160VI-G-CS	-	RFQ	5002	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT25160	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	20 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8	spi	5ms
CY7C1515KV18-300BZXC	148.6800	RFQ	9	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1515	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规		供应商不确定				3	300 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
S29GL512S12DHE013	43.4245	RFQ	3825	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，GL-S	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	64-LBGA		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	-	rohs3符合条件		到达不受影响				2,200		非易失性	512Mbit	120 ns	闪光	64m x 8	CFI	60ns
MT29F4T08GMLCEJ4-QB：c tr	78.1500	RFQ	2856	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F4T08GMLCEJ4-QB：CTR			2,000
AM28F020-200EC	2.0000	RFQ	1	AMD	-	管子	积极的	0°C〜70°C	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）		闪光灯 -也不	12V	32-tsop	-	Rohs不合规			3277-AM28F020-200EC	Ear99	8542.32.0070	100		非易失性	2Mbit	200 ns	闪光	256K x 8	平行线	200NS	未行业行业经验证
MT48LC8M16A2B4-75：G Tr	-	RFQ	4117	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48LC8M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
IS43TR85120B-125KBLI	8.3085	RFQ	6531	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR85120B-125KBLI			242	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
5962-8700208TA	-	RFQ	9760	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	48-flatpack	5962-8700208	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	48-fpack	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	800-5962-8700208TA	过时的		9		易挥发的	16kbit	55 ns	SRAM	2k x 8	平行线	55ns
STK14D88-NF35	-	RFQ	7934	Simtek	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	STK14D88	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1		非易失性	256kbit	35 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	35ns
IS64WV51216EEBLL-10CTLA3-TR	11.3050	RFQ	8234	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS64WV51216EEBLL-10CTLA3-TR			1,000		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	512k x 16	平行线	10NS
S29GL01GP11FFIR10	18.0000	RFQ	34	赛普拉斯半导体公司	gl-p	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL01	闪光灯 -也不	3v〜3.6V	64-FBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件			2832-S29GL01GP11FFIR10	3A991B1A	8542.32.0071	28		非易失性	1Gbit	110 ns	闪光	128m x 8	平行线	110NS
IS64WV51216EDBLL-10CTLA3-TR	12.9738	RFQ	3827	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS64WV51216	sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	512k x 16	平行线	10NS
C-3200D4QR4LRN/128G	1.0000	RFQ	1164	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-3200D4QR4LRN/128G	Ear99	8473.30.5100	1
90Y3159-C	72.5000	RFQ	9824	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-90Y3159-C	Ear99	8473.30.5100	1
5962-9161705MXA	-	RFQ	6218	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	84-BPGA	5962-9161705	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	84-PGA （27.94x27.94）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	800-5962-9161705MXA	过时的		3		易挥发的	128kbit	45 ns	SRAM	8k x 16	平行线	45ns	未行业行业经验证
70V18S12PFI8	-	RFQ	1523年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买								-				800-70V18S12PFI8TR			1
N25Q032A13ESEC0F TR	-	RFQ	8391	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	N25Q032A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-SO W	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,500	108 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	8m x 4	spi	8ms，5ms
C-160D3N/4G-TAA	80.7500	RFQ	3778	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-160D3N/4G-TAA	Ear99	8473.30.5100	1
S80KS2563GABHB020	15.4500	RFQ	676	Infineon技术	HyperRAM™	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-vbga	S80KS2563	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜2V	24-fbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0024	338	200 MHz	易挥发的	256Mbit	35 ns	PSRAM	32m x 8	spi -octal I/o	35ns
S25FL256SAGBHI210	6.0400	RFQ	3	Infineon技术	fl-s	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0051	3,380	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O。	-
MT40A16G4WPF-062H：b tr	194.0100	RFQ	5362	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）			MT40A16G4	SDRAM -DDR4	-		-		3（168））	到达不受影响	557-MT40A16G4WPF-062H：BTR		8542.32.0071	3,000	1.6 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	16克x 4	-	-
W25Q32JVZEAQ	-	RFQ	6175	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q32	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（8x6）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q32JVZEAQ			1	133 MHz	非易失性	32Mbit	6 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²