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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
CY7C1355C-100BGC	10.8800	RFQ	369	赛普拉斯半导体公司	NOBL™	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	CY7C1355	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	28	100 MHz	易挥发的	9Mbit	7.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-	未行业行业经验证
MT49H32M9FM-25：b tr	-	RFQ	1162	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H32M9	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	32m x 9	平行线	-
H6Y77UT＃aba-c	24.5000	RFQ	8097	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-H6Y77UT＃aba-c	Ear99	8473.30.5100	1
7130SA45JI8	-	RFQ	5074	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）	7130SA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	-	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	400		易挥发的	8kbit	45 ns	SRAM	1k x 8	平行线	45ns
MT29F4T08EQLEEG8-QD：e tr	105.9600	RFQ	4206	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F4T08EQLEEG8-QD：ETR			2,000
7052L35PQF	-	RFQ	8821	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-BQFP碰撞	7052L35	sram-四边形端口，异步	4.5V〜5.5V	132-PQFP （24.13x24.13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	18		易挥发的	16kbit	35 ns	SRAM	2k x 8	平行线	35ns
STK11C68-SF25ITR	-	RFQ	7349	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-SOIC （0.342“，8.69mm宽度）	STK11C68	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		非易失性	64kbit	25 ns	NVSRAM	8k x 8	平行线	25ns
71V2556SA100BGI	16.5291	RFQ	1190	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v2556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
IS43LD32128C-25BPL-TR	-	RFQ	1600	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LD32128C-25BPL-TR	Ear99	8542.32.0036	1
MT53B128M32D1DS-062 AAT：A TR	-	RFQ	1216	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53B128	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	128m x 32	-	-
A5039680-C	30.0000	RFQ	2192	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A5039680-C	Ear99	8473.30.5100	1
FM93C6666EMT8	-	RFQ	2329	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	93C66	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-tssop	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	1 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	256 x 16	微线	10ms
S70KS1282GABHV023	7.8750	RFQ	4047	Infineon技术	HyperRAM™KS	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-vbga		PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜2V	PG-BGA-24-801	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	2,500	200 MHz	易挥发的	128mbit	35 ns	PSRAM	16m x 8	超肥	35ns
AT24C128C-XHM-T	0.5600	RFQ	5444	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	AT24C128C	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	1 MHz	非易失性	128kbit	550 ns	EEPROM	16k x 8	i²c	5ms
IS62WV12816ALL-70BI-TR	-	RFQ	9278	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV12816	sram-异步	1.65V〜2.2V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	2Mbit	70 ns	SRAM	128K x 16	平行线	70NS
S26KS128SDABHB030	7.8400	RFQ	7824	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，HyperFlash™KS	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-vbga	S26KS128	闪光灯 -也不	1.7V〜1.95V	24-fbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,690	100 MHz	非易失性	128mbit	96 ns	闪光	16m x 8	平行线	-
PC28F512M29EWHA	-	RFQ	6620	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	PC28F512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,104		非易失性	512Mbit	100 ns	闪光	64m x 8，32m x 16	平行线	100ns
W25N01JWSFIT	3.3924	RFQ	1526年	Winbond电子产品	Spiflash®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	W25N01	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25N01JWSFIT	3A991B1A	8542.32.0071	44	166 MHz	非易失性	1Gbit	6 ns	闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O，Dtr	700µs
CY14ME064Q2A-SXQ	4.5660	RFQ	3069	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CY14ME064	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	970	40 MHz	非易失性	64kbit		NVSRAM	8k x 8	spi	-
M25P10-AVMN6PYA	-	RFQ	8527	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M25P10	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0071	2,000	50 MHz	非易失性	1Mbit		闪光	128K x 8	spi	15ms，5ms
IDT71V25761YSA166BQI8	-	RFQ	9120	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IDT71V25761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V25761YSA166BQI8	3A991B2A	8542.32.0041	2,000	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
NDS66PBA-16AT	3.0931	RFQ	2250	Insignis Technology Corporation	*	托盘	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS66PBA-16AT			348
CY7C2565KV18-500BZC	688.2700	RFQ	67	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C2565	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	136	500 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
S29GL032N90FFIS32	-	RFQ	6027	Infineon技术	GL-N	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL032	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	500		非易失性	32Mbit	90 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	90NS
MT29F2G08ABAWP-AAT：G Tr	2.7962	RFQ	4305	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F2G08	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29F2G08ABAWP-AAT：GTR		8542.32.0071	1,000		非易失性	2Gbit	20 ns	闪光	256m x 8	平行线	20NS
A1229319-C	17.5000	RFQ	7848	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A1229319-C	Ear99	8473.30.5100	1
CY7C1345B-117AC	6.2900	RFQ	4	Infineon技术	-	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1345	sram-同步，sdr	3.15v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	易挥发的	4.5mbit	7.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
S29AL008J70WHN019	-	RFQ	6695	Infineon技术	al-J	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	死	S29AL008	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	晶圆	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	25		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	70NS
S25FL132K0XMFB013	-	RFQ	9305	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的								-				2156-S25FL132K0XMFB013			1
M30042040054x0pwar	13.8276	RFQ	2555	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	8-WDFN暴露垫	M30042040054	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	800-M30042040054X0PWARTR	Ear99	8542.32.0071	4,000	54 MHz	非易失性	4Mbit		内存	1m x 4	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²