电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | 重量( kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | W25N01JWZEIG | 3.2194 | ![]() | 4762 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | W25N01 | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 8-wson(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25N01JWZEIG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 166 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O,Dtr | 700µs | |||
![]() | IS25LP080D-JULE-TR | 0.6114 | ![]() | 8522 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.3v〜3.6V | 8-uson(2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25LP080D-JULE-TR | 5,000 | 133 MHz | 非易失性 | 8mbit | 7 ns | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 40µs,800µs | ||||||
![]() | K6X0808C1D-GF55T00 | 3.7500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 三星半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28 SOP | - | 3277-K6X0808C1D-GF55T00TR | Ear99 | 8542.32.0041 | 250 | 易挥发的 | 256kbit | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 55ns | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | W25Q16FWSSSQ | - | ![]() | 5868 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | W25Q16 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q16FWSSSQ | 过时的 | 1 | 104 MHz | 非易失性 | 16mbit | 6 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 60µs,3ms | ||||
![]() | S34ML02G100TFV003 | 3.0000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S34ML02G100TFV003 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | ||||||
CAT93C66V-TE13 | 0.1900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CAT93C66 | EEPROM | 2.5V〜6V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-CAT93C66V-TE13-488 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 2 MHz | 非易失性 | 4Kbit | 500 ns | EEPROM | 256 x 16,512 x 8 | 微线 | - | ||||
MT25QU256ABA8E12-MAAT | 5.6268 | ![]() | 6403 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 盒子 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC) | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA(6x8) | - | 557-MT25QU256ABA8E12-MAAT | 1 | 166 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 5 ns | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 1.8ms | |||||||||
![]() | MX29GL256FUXGI-11G | - | ![]() | 6165 | 0.00000000 | 大元 | MX29GL | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-TFBGA,CSPBGA | MX29GL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-FBGA,CSP (7x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 非易失性 | 256Mbit | 110 ns | 闪光 | 32m x 8 | 平行线 | 110NS | ||||
CAV24C16WE-G | - | ![]() | 1078 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CAV24C16 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 kHz | 非易失性 | 16kbit | 900 ns | EEPROM | 2k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | 71321LA20J8 | - | ![]() | 6369 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 52-lcc(j-lead) | 71321LA | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 400 | 易挥发的 | 16kbit | 20 ns | SRAM | 2k x 8 | 平行线 | 20NS | ||||
W25Q16JWXHSQ | - | ![]() | 7664 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | W25Q16 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 8-xson(2x3) | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q16JWXHSQ | 1 | 133 MHz | 非易失性 | 16mbit | 6 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 3ms | ||||||
![]() | AT25DQ161-SH-B | - | ![]() | 1888年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | AT25DQ161 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 95 | 100 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | spi | 7µs,3ms | ||||
![]() | HM1-6551/883 | 25.4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Intersil | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 22-CDIP (0.400英寸,10.16毫米) | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 22-CDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1kbit | 300 ns | SRAM | 256 x 4 | 平行线 | 400NS | |||||
![]() | MT29F1G16ABBDAHC:d | - | ![]() | 1855年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F1G16 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga(10.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 64m x 16 | 平行线 | - | ||||||
BR24G64NUX-5TR | 0.6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | BR24G64 | EEPROM | 1.6V〜5.5V | VSON008X2030 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 1 MHz | 非易失性 | 64kbit | EEPROM | 8k x 8 | i²c | 5ms | |||||
![]() | S25FL032P0XMFI010M | - | ![]() | 4680 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-p | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | S25FL032 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 104 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 5µs,3ms | ||||
![]() | CY14B256Q2-LHXI | 5.7409 | ![]() | 2181 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 8-DFN(5x6) | - | rohs3符合条件 | 308 | 40 MHz | 非易失性 | 256kbit | 9 ns | NVSRAM | 32K x 8 | spi | - | ||||||||
![]() | CY7C1525KV18-250BZXC | 123.9000 | ![]() | 149 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1525 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 136 | 250 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 8m x 9 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||
![]() | 70V18L12PF | - | ![]() | 3927 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 上次购买 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | - | 800-70V18L12PF | 1 | 易挥发的 | 576kbit | 12 ns | SRAM | 64k x 9 | lvttl | 12ns | |||||||||
![]() | IDT71V25761S166PF8 | - | ![]() | 9660 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IDT71V25761 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71V25761S166PF8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 166 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | 7008L20JGI | - | ![]() | 5241 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 84-LCC(j-lead) | 7008L20 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 9 | 易挥发的 | 512kbit | 20 ns | SRAM | 64k x 8 | 平行线 | 20NS | ||||
![]() | S79FL512SDSMFVG00 | 11.3925 | ![]() | 7449 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-s | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S79FL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,400 | 80 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||
![]() | MEM-DR416L-HL01-UN24-C | 150.0000 | ![]() | 1510 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-MEM-DR416L-HL01-UN24-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
34AA02-E/p | 0.4350 | ![]() | 9413 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | 34AA02 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 60 | 400 kHz | 非易失性 | 2kbit | 900 ns | EEPROM | 256 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | MT29F1G08ABADAH4-ITX:D TR | - | ![]() | 1993 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F1G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | CY7C1565V18-400BZC | - | ![]() | 6127 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1565 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 400 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | ER2051/p | 6.1500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IS49NLC36800-25EBLI | - | ![]() | 7191 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 144-TFBGA | IS49NLC36800 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 15 ns | 德拉姆 | 8m x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | W9425G6JB-5 | - | ![]() | 3995 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | W9425G6 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-tfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 209 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 55 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT42L16M32D1HE-18 IT:e | 5.7043 | ![]() | 3201 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-VFBGA | MT42L16M32 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.3v | 134-vfbga(10x11.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MT42L16M32D1HE-18IT:e | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,680 | 533 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 德拉姆 | 16m x 32 | 平行线 | 15ns |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库