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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT53E256M32D2DS-046 AIT：b	19.2500	RFQ	810	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53E256	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53E256M32D2DS-046AIT：b	Ear99	8542.32.0036	1,360	2.133 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	-	-
7008L12G	-	RFQ	3279	Renesas Electronics America Inc	-	管子	上次购买	0°C〜70°C（TA）	通过洞	84-BPGA		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	84-PGA （27.94x27.94）	-				800-7008L12G			1		易挥发的	512kbit	12 ns	SRAM	64k x 8	平行线	12ns
LE24CB642TT-TLM-H	0.3100	RFQ	2	Sanyo	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	LE24CB642	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-msop	-	不适用	3（168））	供应商不确定			0000.00.0000	2,000	400 kHz	非易失性	64kbit	900 ns	EEPROM	8k x 8	i²c	10ms
AT24C1024B-TH-T	-	RFQ	4124	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	AT24C1024	EEPROM	1.8v〜3.6V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	1 MHz	非易失性	1Mbit	550 ns	EEPROM	128K x 8	i²c	5ms
MR4A08BUYS45R	48.8400	RFQ	5792	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR4A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR4A08BUYS45RTR	Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	16mbit	45 ns	内存	2m x 8	平行线	45ns
712288-081-C	110.0000	RFQ	3200	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-712288-081-C	Ear99	8473.30.5100	1
S27KL0643DPBHV020	4.0075	RFQ	6085	Infineon技术	HyperRAM™KL	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-vbga	S27KL0643	PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	24-fbga（6x8）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	3,380	166 MHz	易挥发的	64mbit	36 NS	PSRAM	8m x 8	spi -octal I/o	36ns
CY62138VNLL-70BAI	3.1200	RFQ	498	赛普拉斯半导体公司	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达受影响	2156-CY62138VNLL-70BAI-428			1
GD5F1GQ5UEYIGY	2.3296	RFQ	8895	gigadevice 半导体（香）	GD5F	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	下载				1970-GD5F1GQ5UEYIGY			4,800	133 MHz	非易失性	1Gbit	7 ns	闪光	256m x 4	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	600µs
TMS55161-60DGH	7.0000	RFQ	4	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0071	1
S34ML01G200TFI900	-	RFQ	3468	赛普拉斯半导体公司	ML-2	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S34ML01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-TSOP	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	25ns
HM9-6516BD6129	30.3400	RFQ	169	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1
IS25LP256D-RMLE	-	RFQ	5143	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IS25LP256	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	44	133 MHz	非易失性	256Mbit	7 ns	闪光	32m x 8	系列	800µs
CY7C1360A-166AC	6.3300	RFQ	2	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1360	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
W29N08GWBIBA TR	13.2900	RFQ	4479	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA		Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））		256-W29N08GWBIBATR	3A991B1A	8542.32.0071	2,500		非易失性	8Gbit	25 ns	闪光	512m x 16	onfi	35ns，700µs
M3004316045NX0IBCR	10.2011	RFQ	8501	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	484-BGA		MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	484-cabga （23x23）	-	rohs3符合条件			800-M3004316045NX0IBCRTR			1		非易失性	4Mbit	45 ns	内存	256K x 16	平行线	45ns
IS49NLC36800-25BI	-	RFQ	8343	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC36800	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	8m x 36	平行线	-
24FC01T-E/MS	0.3400	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	24FC01	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	1 MHz	非易失性	1kbit	450 ns	EEPROM	128 x 8	i²c	5ms
IS29GL256S-10DHV02	-	RFQ	2295	Infineon技术	GL-S	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	IS29GL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	256Mbit	100 ns	闪光	32m x 8	平行线	60ns
IS25LQ025B-JKLE-TR	-	RFQ	2338	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	IS25LQ025	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,500	104 MHz	非易失性	256kbit		闪光	32K x 8	Spi -Quad I/O。	800µs
IS61WV5128BLL-10KLI-TR	3.3638	RFQ	9944	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	IS61WV5128	sram-异步	2.4v〜3.6V	36-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS
GD25B32CS2GR	0.9688	RFQ	7690	gigadevice 半导体（香）	GD25B	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-sop	-				1970-GD25B32CS2GRTR			2,000	80 MHz	非易失性	32Mbit	7 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	60µs，4ms
7008l35g	-	RFQ	6424	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	84-BPGA	7008L35	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	84-PGA （27.94x27.94）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	3		易挥发的	512kbit	35 ns	SRAM	64k x 8	平行线	35ns
CY7C106B-20VCT	0.8900	RFQ	750	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	CY7C106	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		3A991B2B	8542.32.0041	750		易挥发的	1Mbit	20 ns	SRAM	256K x 4	平行线	20NS
71V67603S133BQ	26.1188	RFQ	1983	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v67603	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
7133SA25JI	-	RFQ	2016	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7133SA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	18		易挥发的	32kbit	25 ns	SRAM	2k x 16	平行线	25ns
7143SA55PF	-	RFQ	4315	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	7143SA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	45		易挥发的	32kbit	55 ns	SRAM	2k x 16	平行线	55ns
CY7C1512AV18-250BZIT	-	RFQ	5137	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1512	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	250 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
IS46DR16640B-25EBLA1	-	RFQ	3493	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS46DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	209	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
PCF85102C-2T/03：11	-	RFQ	1967年	NXP USA Inc.	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	PCF85	EEPROM	2.5V〜6.0V	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	100 kHz	非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8	i²c	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²