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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
70261S15PFG8	-	RFQ	7344	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70261S15	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	-				800-70261S15PFG8TR	过时的		250		易挥发的	256kbit	15 ns	SRAM	16k x 16	平行线	15ns
MX25U4035FM1J	0.4872	RFQ	8623	大元	MXSMIO™	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-sop	-		3（168））		1092-MX25U4035FM1J			98	108 MHz	非易失性	4Mbit	6 ns	闪光	1m x 4，2m x 2，4m x 1	Spi -Quad I/O。	100µs，3.6m
CAT25C128V-TE13	0.1400	RFQ	14	Onmi	*	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT25C128	EEPROM	2.5V〜6V	8-SOIC	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-CAT25C128V-TE13-488	Ear99	8542.32.0071	1	5 MHz	非易失性	128kbit	80 ns	EEPROM	16k x 8	spi	5ms
71V67703S85BGG	28.7073	RFQ	7749	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v67703	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	87 MHz	易挥发的	9Mbit	8.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
03x3816-C	62.5000	RFQ	2029	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-03X3816-C	Ear99	8473.30.5100	1
7015L15PF8	-	RFQ	8953	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	80-LQFP	7015L15	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	80-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	72kbit	15 ns	SRAM	8k x 9	平行线	15ns
MT58L1MY18PT-10	21.2200	RFQ	4683	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L1MY18	SRAM	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	18mbit	5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
141J4AT-C	72.0000	RFQ	3	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-141J4AT-C	Ear99	8473.30.5100	1
CY62148EV30LL-45ZSXIT	-	RFQ	6095	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	CY62148	sram-异步	2.2v〜3.6V	32-TSOP II	下载							1		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	512k x 8	平行线	45ns	未行业行业经验证
S25FL064LABNFM040	-	RFQ	6700	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的								-				2156-S25FL064LABNFM040			1
UPD44165362BF5-E40-EQ3	37.1700	RFQ	17	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1
S29GL512T12DHN010Y	7.0000	RFQ	132	跨度	GL-T	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	512Mbit	120 ns	闪光	64m x 8	平行线	60ns
70V06L12PFI8	-	RFQ	8655	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LQFP		sram-双端口，异步	3v〜3.6V	64-TQFP （14x14）	-				800-70V06L12PFI8TR			1		易挥发的	128kbit	12 ns	SRAM	16k x 8	平行线	12ns
EM004LXQBDH13CS1T	15.2500	RFQ	1233	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM004LXQBDH13CS1T			570	200 MHz	非易失性	4Mbit	7 ns	内存	512k x 8	Spi -Quad I/O。	-
CY14ME064J1A-SXI	3.9000	RFQ	476	赛普拉斯半导体公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CY14ME064	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	77	3.4 MHz	非易失性	64kbit		NVSRAM	8k x 8	i²c	-	未行业行业经验证
7111372-C	111.2500	RFQ	1779年	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-7111372-C	Ear99	8473.30.5100	1
STK14CA8-RF45TR	-	RFQ	2434	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）	STK14CA8	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-SSOP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		非易失性	1Mbit	45 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	45ns
CY7C245-35LMB	22.3000	RFQ	50	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）			CY7C245	EPROM -UV	4.5V〜5.5V		下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A001A2C	8542.32.0071	1		非易失性	16kbit	35 ns	EPROM	2k x 8	平行线	-
7140SA25J	-	RFQ	9778	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）	7140SA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	24		易挥发的	8kbit	25 ns	SRAM	1k x 8	平行线	25ns
GD25LB512Mefirr	4.5486	RFQ	3154	gigadevice 半导体（香）	GD25LB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	1.65V〜2V	16 SOP	下载				1970-GD25LB512Mefirrtr			1,000	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	-
70V05S15PFG	-	RFQ	7329	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	70V05S	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	64-TQFP （14x14）	-				800-70V05S15PFG	过时的		1		易挥发的	64kbit	15 ns	SRAM	8k x 8	平行线	15ns
MT53E1G64D4HJ-046 wt：a tr	47.4300	RFQ	9577	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT53E1G64D4HJ-046WT：ATR			2,000
GD55LE511MEYIGY	4.3092	RFQ	8110	gigadevice 半导体（香）	-	托盘	积极的								-				1970-GD55LE511MEYIGY			4,800
4x70P26062-C	93.7500	RFQ	3578	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-4X70P26062-C	Ear99	8473.30.5100	1
W25Q80EWZPAG	-	RFQ	6798	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q80	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-wson（6x5）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q80EWZPAG	过时的		1	104 MHz	非易失性	8mbit	6 ns	闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	30µs，800µs
71421SA25PFI	-	RFQ	5563	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LQFP		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP （14x14）	-				800-71421SA25PFI			1		易挥发的	16kbit	25 ns	SRAM	2k x 8	平行线	25ns
MX25V5126FM1I	0.2800	RFQ	24	大元	MXSMIO™	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MX25V5126	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1092-MX25V5126FM1I	Ear99	8542.32.0071	98	80 MHz	非易失性	512kbit		闪光	64k x 8	spi-双i/o	50µs，10ms
S29GL01GT10FAI030	19.6700	RFQ	160	赛普拉斯半导体公司	汽车，AEC-Q100，GL-T	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	下载	Rohs不合规	不适用	供应商不确定	2832-S29GL01GT10FAI030	3A991B1A	8542.32.0070	26		非易失性	1Gbit	100 ns	闪光	128m x 8	平行线	60ns	未行业行业经验证
mtfc256gaxauea-wt tr	27.5700	RFQ	9228	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	153-WFBGA		Flash -nand（slc）	-	153-WFBGA（11.5x13）	-				557-MTFC256GAXAUEA-WTTR			2,000		非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	UFS	-
IS43R16320E-6BI-Tr	-	RFQ	5548	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43R16320	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-tfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	166 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²