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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
IS46TR16512B-125KBLA1-TR	20.6682	RFQ	6874	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46TR16512B-125KBLA1-TR			2,000	800 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
71V124SA15YGI	-	RFQ	1885年	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	71v124	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	128K x 8	平行线	15ns
IS43LR32100D-6BL-TR	2.6516	RFQ	9540	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS43LR32100	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	32Mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 32	平行线	15ns
GD25WQ16EIGR	0.5824	RFQ	6087	gigadevice 半导体（香）	GD25WQ	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-xfdfn暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜3.6V	8-uson（3x2）	下载				1970-GD25WQ16EIGRTR			3,000	104 MHz	非易失性	16mbit	12 ns	闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	120µs，4ms
MT62F1G64D4EK-026 wt：b tr	45.6900	RFQ	4770	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F1G64D4EK-026WT：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	1G x 64	平行线	-
731765-B21-C	112.5000	RFQ	1495	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-731765-B21-C	Ear99	8473.30.5100	1
71V016SA10BFGI	6.8100	RFQ	5975	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	71v016	sram-异步	3.15v〜3.6V	48-cabga（7x7）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	476		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
RM24C64BF-7-GCSI-T	-	RFQ	1123	Adesto Technologies	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	4-XFBGA，WLCSP	RM24C64	EEPROM	1.65V〜2.2V	4-WLCSP（0.75x0.75）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	8542.32.0051	10,000	1 MHz	非易失性	64kbit		EEPROM	8k x 8	i²c	500µs
MT53E1G64D4HJ-046 wt：a	47.4300	RFQ	3713	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT53E1G64D4HJ-046WT：a			1
MT41K256M16TW-107 IT：p tr	5.7000	RFQ	2247	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K256M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT41K256M16TW-107IT：PTR	Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
CY7C1415BV18-167BZC	44.8600	RFQ	433	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1415	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	7	167 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
CY62136EV30LL-45ZSXI	-	RFQ	3383	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY62136	sram-异步	2.2v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	不适用	供应商不确定				42		易挥发的	2Mbit	45 ns	SRAM	128K x 16	平行线	45ns	未行业行业经验证
MT46H64M32LFMA-5 IT：a	-	RFQ	9449	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	168-WFBGA	MT46H64M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	168-WFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
CG8240AAT	-	RFQ	3739	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
24LC02BH-E/SN	0.3900	RFQ	5108	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	24LC02BH	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
28076665 a	-	RFQ	1322	Infineon技术	-	大部分	过时的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
7005L35PFG	-	RFQ	1944年	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	7005L35	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP （14x14）	-				800-7005L35PFG	过时的		1		易挥发的	64kbit	35 ns	SRAM	8k x 8	平行线	35ns
CY7C1354C-200BGC	-	RFQ	5155	Infineon技术	NOBL™	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	CY7C1354	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	119-PBGA（14x22）	-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	200 MHz	易挥发的	9Mbit	3.2 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
W29N02KWBIBF	-	RFQ	5994	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	W29N02	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W29N02KWBIBF	3A991B1A	8542.32.0071	260		非易失性	2Gbit	22 ns	闪光	128m x 16	平行线	25ns
CY7C1051H30-10ZSXE	17.6491	RFQ	7857	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	2.2v〜3.6V	44-TSOP II	-	rohs3符合条件		到达不受影响				1,350		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	512k x 16	平行线	10NS
CY7C1370DV25-167AXC	30.0700	RFQ	924	赛普拉斯半导体公司	NOBL™	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1370	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	10	167 MHz	易挥发的	18mbit	3.4 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-	未行业行业经验证
AT45DB041D-SU-SL954	-	RFQ	9997	Adesto Technologies	-	大部分	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	AT45DB041	闪光	2.7V〜3.6V	8-SOIC	-		（1 （无限）			Ear99	8542.32.0071	90	66 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	256字节x 2048页	spi	4ms
IS42VM16400K-75BLI	-	RFQ	6228	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42VM16400	sdram-移动	1.7V〜1.95V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	348	133 MHz	易挥发的	64mbit	6 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
IS43LD32128C-18BPLI-Tr	11.5650	RFQ	7355	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LD32128C-18BPLI-Tr	Ear99	8542.32.0036	1,500
W29N02KZBIBF TR	-	RFQ	7143	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	W29N02	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W29N02KZBIBFTR	3A991B1A	8542.32.0071	2,500		非易失性	2Gbit	22 ns	闪光	256m x 8	平行线	25ns
IDT71V416YL15PHI	-	RFQ	4694	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IDT71V416	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71v416yl15phi	3A991B2A	8542.32.0041	26		易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	256K x 16	平行线	15ns
S34MS02G200GHI000	-	RFQ	7262	Skyhigh Memory Limited	-	托盘	在sic中停产				S34MS02				-	Rohs符合条件	3（168））		2120-S34MS02G200GHI000	3A991B1A	8542.32.0071	260									未行业行业经验证
713985-S21-C	58.5000	RFQ	6264	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-713985-S21-C	Ear99	8473.30.5100	1
AS6C4008-55PCNTR	4.3451	RFQ	4072	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	32 滴（0.600英寸，15.24毫米）		sram-异步	2.7V〜5.5V	32-PDIP	下载		（1 （无限）		1450-AS6C4008-55PCNTR			1,000		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	512k x 8	平行线	55ns
MT40A4G4DVN-062H：e	-	RFQ	9411	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A4G4	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	下载				557-MT40A4G4DVN-062H：e	过时的	8542.32.0071	210	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	27 NS	德拉姆	4G x 4	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²