RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
7005L35PFG8	-	RFQ	6188	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	7005L35	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP （14x14）	-				800-7005L35PFG8TR	过时的		250		易挥发的	64kbit	35 ns	SRAM	8k x 8	平行线	35ns
CAT24C08YI-GT3	0.2800	RFQ	37	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	CAT24C08	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	400 kHz	非易失性	8kbit	900 ns	EEPROM	1k x 8	i²c	5ms
24fc01-e/st	0.3200	RFQ	14	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	24FC01	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	1 MHz	非易失性	1kbit	450 ns	EEPROM	128 x 8	i²c	5ms
2102-1N	21.7700	RFQ	328	Rochester Electronics，LLC	*	大部分	积极的								-	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1
IDT71V67603S150PF8	-	RFQ	5419	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V67603	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V67603S150PF8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000	150 MHz	易挥发的	9Mbit	3.8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
CY62146ESL-45ZSXIT	11.1800	RFQ	25	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY62146	sram-异步	2.2v〜3.6V，4.5V〜5.5V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	不适用	供应商不确定	2832-CY62146ESL-45ZSXITTR	3A991B2A	8542.32.0040	45		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns	未行业行业经验证
CAT24C08LI-G	-	RFQ	5126	催化剂半导体公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	CAT24C08	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-pdip	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0051	50	400 kHz	非易失性	8kbit	900 ns	EEPROM	1k x 8	i²c	5ms
R1QBA7218RBG-22RB0	23.4300	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1
CAT24C128HU3I-GT3	-	RFQ	1024	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	CAT24C128	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-udfn（2x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	3,000	1 MHz	非易失性	128kbit	400 ns	EEPROM	16k x 8	i²c	5ms
CY7C1470V25-167AXC	129.4200	RFQ	120	赛普拉斯半导体公司	NOBL™	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1470	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x20）	-	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	72	167 MHz	易挥发的	72Mbit	3.4 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
CAT93C46BWI-GT3	-	RFQ	6348	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT93C46B	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	4 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8，64 x 16	微线	5ms
RM25C256C-LSNI-B	-	RFQ	8039	Adesto Technologies	Mavriq™	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RM25C256	CBRAM	1.65V〜3.6V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0051	98	10 MHz	非易失性	256kbit		CBRAM®	64字节页面大小	spi	100µs，5ms
70V631S10PRFI8	-	RFQ	8828	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	128-LQFP	70v631	sram-双端口，异步	3.15V〜3.45V	128-TQFP（14x20）	下载	Rohs不合规	3（168））			3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4.5mbit	10 ns	SRAM	256K x 18	平行线	10NS
CAT24C16YI-G	-	RFQ	6470	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	CAT24C16	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	400 kHz	非易失性	16kbit	900 ns	EEPROM	2k x 8	i²c	5ms
CG8249AA	-	RFQ	9679	Infineon技术	-	托盘	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	234
DS28E01P-BOS+t	-	RFQ	1506	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	6-SMD，J-Lead	DS28E01	EEPROM	2.85V〜5.25V	6-TSOC	-	rohs3符合条件			175-DS28E01P-BOS+TTR	过时的		4,000		非易失性	1kbit	2 µs	EEPROM	256 x 4	1-Wire®	-
W25Q128FVFIQ TR	-	RFQ	2863	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	W25Q128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	104 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	50µs，3ms
SST38VF6401-90-5C-B3KE	6.5800	RFQ	6079	微芯片技术	SST38	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	SST38VF6401	闪光	2.7V〜3.6V	48-TFBGA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	480		非易失性	64mbit	90 ns	闪光	4m x 16	平行线	10µs
SM671PXC-ADSS	-	RFQ	6968	硅运动，Inc。	Ferri-Ufs™	托盘	过时的	-25°C〜85°C	表面安装	153-TFBGA	SM671	Flash -nand（slc），闪光灯-NAND（tlc）	-	153-BGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））		1984-SM671PXC-ADSS	过时的		1		非易失性	160Gbit		闪光	20克x 8	UFS2.1	-
STK14D88-NF45ITR	-	RFQ	2990	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	STK14D88	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	32-Soic	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		非易失性	256kbit	45 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	45ns
UCSV-MR-1X162RY-AC	62.5000	RFQ	4551	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-UCSV-MR-1X162RY-AC	Ear99	8473.30.5100	1
W631GG6MB11J TR	-	RFQ	4766	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	W631GG6	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-VFBGA（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W631GG6MB11JTR			3,000	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	SSTL_15	15ns
A2887204-C	17.5000	RFQ	4357	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A2887204-C	Ear99	8473.30.5100	1
IS61NLP51236-200B3LI	-	RFQ	5751	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NLP51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS25LP01GG-RHLE	13.1000	RFQ	7587	ISSI，综合硅解决方案	*	托盘	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25LP01GG-RHLE			480
C-4800D5SR8S/8G	82.5000	RFQ	6972	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-4800D5SR8S/8G	Ear99	8473.30.5100	1
IS42S81600E-7TL-Tr	-	RFQ	8381	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S81600	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 8	平行线	-
W25Q32JWSNIQ	-	RFQ	5989	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	W25Q32	闪光灯 -也不	1.7V〜1.95V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25Q32JWSNIQ	3A991B1A	8542.32.0071	100	133 MHz	非易失性	32Mbit	6 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	5ms
AS7C31026B-15TIN	4.0100	RFQ	300	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS7C31026B-15TIN	3A991B2B	8542.32.0041	135		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
FM25V05-PGC	-	RFQ	3633	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		fram （铁电 ram）	2v〜3.6V	8-SOIC	-					过时的		1	40 MHz	非易失性	512kbit	9 ns	框架	64k x 8	spi	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²