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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | 重量( kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 27C256-20B/XA | 45.3300 | ![]() | 448 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 27C256 | EPROM -OTP | 4.5V〜5.5V | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 非易失性 | 256kbit | 200 ns | EPROM | 32K x 8 | 平行线 | - | |||||||
![]() | 7016S35J | - | ![]() | 9309 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 68-LCC(j-lead) | 7016S35 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 68-PLCC (24.21x24.21) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 18 | 易挥发的 | 144kbit | 35 ns | SRAM | 16k x 9 | 平行线 | 35ns | ||||
![]() | 70v9269s15prfi | - | ![]() | 3333 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 128-LQFP | 70v9269 | sram-双端口,同步 | 3v〜3.6V | 128-TQFP(14x20) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0041 | 72 | 易挥发的 | 256kbit | 15 ns | SRAM | 16k x 16 | 平行线 | - | |||||
![]() | MEM-DR480L-SL04-ER24-C | 53.5000 | ![]() | 7713 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-MEM-DR480L-SL04-ER24-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | W632GU8NB-09 | 4.8364 | ![]() | 3805 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-VFBGA | W632GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 1.067 GHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | 7035S15PF8 | - | ![]() | 1593年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 7035S15 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 易挥发的 | 144kbit | 15 ns | SRAM | 8k x 18 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | W25Q64CVSFSG | - | ![]() | 3711 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | W25Q64 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q64CVSFSG | 过时的 | 1 | 80 MHz | 非易失性 | 64mbit | 6 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs,3ms | ||||
![]() | 70V27S35PFG | - | ![]() | 1840年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 70v27 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | - | 800-70V27S35PFG | 过时的 | 1 | 易挥发的 | 512kbit | 35 ns | SRAM | 32k x 16 | lvttl | 35ns | |||||||
![]() | S25FL116K0XNFI011 | 0.8300 | ![]() | 68 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl1-k | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | S25FL116 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-wson(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0071 | 603 | 108 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 3ms | ||||||
![]() | 16-1004144-01 | - | ![]() | 3645 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MT46H128M32L2MC-6 IT:a | - | ![]() | 6732 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 240-WFBGA | MT46H128M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 240-WFBGA(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | CY7C194BN-15VC | 6.6500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 24-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C194 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 24-SOJ | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.32.0041 | 46 | 易挥发的 | 256kbit | 15 ns | SRAM | 64k x 4 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | 7130LA55J | - | ![]() | 1334 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 52-lcc(j-lead) | 7130LA | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 24 | 易挥发的 | 8kbit | 55 ns | SRAM | 1k x 8 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | S26361-F4412-L516-C | 51.2500 | ![]() | 9370 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-S26361-F4412-L516-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | N25Q064A13ESF40F TR | - | ![]() | 6083 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | N25Q064A13 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16件事 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 108 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 16m x 4 | spi | 8ms,5ms | ||||
![]() | IS61VF102418A-6.5B3 | - | ![]() | 6047 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61VF102418 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 133 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 6.5 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | IS46TR16128C-125KBLA25-TR | 6.3293 | ![]() | 6477 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜115°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46TR16128C-125KBLA25-Tr | 1,500 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||
![]() | GD55WB512MEYIGY | 4.6816 | ![]() | 4786 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD55WB | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜3.6V | 8-wson(6x8) | - | 1970-GD55WB512MEYIGY | 4,800 | 104 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||||||||
![]() | MT41J256M16HA-093:e | - | ![]() | 1624年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | MT41J256M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA(9x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.066 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | NDL46PFP-9MIT | 12.2500 | ![]() | 660 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | NDL46 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(7.5x13.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1982-NDL46PFP-9MIT | Ear99 | 8542.32.0036 | 209 | 933 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS43LD16128C-25BLI-TR | - | ![]() | 6441 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-TFBGA | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 134-TFBGA(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LD16128C-25BLI-TR | 2,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | HSUL_12 | 15ns | ||||||
![]() | IS61LV12816L-10LQLI-TR | - | ![]() | 9643 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-LQFP | IS61LV12816 | sram-异步 | 3.135v〜3.6V | 44-LQFP(10x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 易挥发的 | 2Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 10NS | ||||
![]() | MB85RS1MTPNF-G-JNE1 | 4.6134 | ![]() | 3125 | 0.00000000 | Kaga Fei America,Inc。 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | fram (铁电 ram) | 1.8v〜3.6V | 8-sop | - | 865-MB85RS1MTPNF-G-JNE1 | 95 | 40 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 9 ns | 框架 | 128K x 8 | spi | - | ||||||||
![]() | W25Q128FVBIG | - | ![]() | 4854 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | W25Q128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 50µs,3ms | ||||
![]() | RD38F2240WWYTQ0 | 10.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 英特尔 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | ||||||||||||||||||
![]() | P19251-001-C | 835.0000 | ![]() | 9168 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-P19251-001-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 71256SA35SOG18 | - | ![]() | 7190 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 上次购买 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-SOIC (0.345“,8.77mm宽度) | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-Soic | - | 800-71256SA35SOG18 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 35 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 35ns | |||||||||
![]() | W25x64vsfig | - | ![]() | 4967 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | W25x64 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 75 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | spi | 3ms | ||||
![]() | STK14D88-NF45I | - | ![]() | 9286 | 0.00000000 | Simtek | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.295(7.50mm) | STK14D88 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 32-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 非易失性 | 256kbit | 45 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 45ns | ||||
W25Q64DWZPIG | - | ![]() | 7768 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | W25Q64 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜1.95V | 8-wson(6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 3ms |
每日平均RFQ量
标准产品单位
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