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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
4x70R38790-C	28.0000	RFQ	1638年	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-4X70R38790-C	Ear99	8473.30.5100	1
W631GU8NB12I TR	4.8800	RFQ	1	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	W631GU8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V，1.425V〜1.575V	78-VFBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W631GU8NB12ITRCT	Ear99	8542.32.0032	2,000	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
BR24G128FVJ-3AGTE2	0.4700	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	BR24G128	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-TSSOP-BJ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	1 MHz	非易失性	128kbit		EEPROM	16k x 8	i²c	5ms
W25M512JVEIM TR	-	RFQ	3648	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25M512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25M512JVEIMTR	3A991B1A	8542.32.0071	4,000	104 MHz	非易失性	512Mbit	7 ns	闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
707288S15PFI8	-	RFQ	8581	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	-				800-707288S15PFI8TR			1		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
IS61WV2568EDBLL-10KLI	4.9249	RFQ	1336	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	IS61WV2568	sram-异步	2.4v〜3.6V	36-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	19		易挥发的	2Mbit	10 ns	SRAM	256K x 8	平行线	10NS
805667-B21-C	35.0000	RFQ	2715	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-805667-B21-C	Ear99	8473.30.5100	1
IDT71V65602S100PF8	-	RFQ	2922	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V65602	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71v65602s100pf8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000	100 MHz	易挥发的	9Mbit	5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MT29F4T08EMLCHD4-T：C TR	83.9100	RFQ	5910	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F4T08EMLCHD4-T：CTR			2,000
W25M512JWFIQ TR	5.6700	RFQ	4522	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	W25M512	闪光灯 -也不	1.7V〜1.95V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25M512JWFIQTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	104 MHz	非易失性	512Mbit	7 ns	闪光	64m x 8	spi	5ms
S34ML04G200TFV003	-	RFQ	5375	赛普拉斯半导体公司	ML-2	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S34ML04	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	25ns
R1RP0416DSB-0PI＃d0	-	RFQ	1466	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991	8542.32.0041	1
FM24C05UFLEM8	0.6300	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FM24C05	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	400 kHz	非易失性	4Kbit	900 ns	EEPROM	512 x 8	i²c	15ms
A6776455-C	30.0000	RFQ	7753	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A6776455-C	Ear99	8473.30.5100	1
CY7C1472BV33-167AXI	236.2325	RFQ	8912	Infineon技术	NOBL™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1472	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	167 MHz	易挥发的	72Mbit	3.4 ns	SRAM	4m x 18	平行线	-
J9P83AA-C	132.5000	RFQ	6370	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-J9P83AA-C	Ear99	8473.30.5100	1
W25M02GWZEIT	-	RFQ	4089	Winbond电子产品	Spiflash®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25M02	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	8-wson（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25M02GWZEIT	3A991B1A	8542.32.0071	480	104 MHz	非易失性	2Gbit	8 ns	闪光	256m x 8	Spi -Quad I/O。	700µs
CY7C1363A-100AJC	7.0000	RFQ	3	Infineon技术	-	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1363	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	100 MHz	易挥发的	9Mbit	8 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
24CS256-I/MS	0.9400	RFQ	8153	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）		flash -nand，dram -lpddr	1.7V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-24CS256-i/ms	Ear99	8542.32.0051	100	3.4 MHz	非易失性	256kbit	70 ns	EEPROM	32K x 8	i²c	5ms
AS6C1616B-45Tintr	8.6823	RFQ	5789	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		sram-异步	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载		3（168））		1450-AS6C1616B-45TINTR			1,500		易挥发的	16mbit	45 ns	SRAM	1m x 16	平行线	45ns
SST26VF016BT-80E/SN70SVAO	-	RFQ	5431	微芯片技术	汽车，AEC-Q100，SST26SQI®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SST26VF016	闪光	2.3v〜3.6V	8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响	150-SST26VF016BT-80E/SN70SVAO	Ear99	8542.32.0071	3,300	80 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	1.5ms
GD55B02GEBJRY	20.4750	RFQ	9921	gigadevice 半导体（香）	GD55B	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载				1970-GD55B02GEBJRY			4,800	133 MHz	非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	-
C-1600D3QR4LRN/32G	111.2500	RFQ	3093	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-1600D3QR4LRN/32G	Ear99	8473.30.5100	1
mtfc128gavattc-aat tr	61.8150	RFQ	6720	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MTFC128GAVATTC-AATTR			2,000
CY27C256A-45JC	-	RFQ	3695	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	CY27C256	EPROM -OTP	4.5V〜5.5V	32-PLCC （13.97x11.43）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0071	1		非易失性	256kbit	45 ns	EPROM	32K x 8	平行线	-
GD25F64FSIGR	0.8424	RFQ	1873年	gigadevice 半导体（香）	GD25F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-sop	-				1970-GD25F64FSIGRTR			2,000	200 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，Dtr	-
CY7C1481BV33-133BGXI	221.0950	RFQ	1318	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	CY7C1481	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	119-fbga（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	133 MHz	易挥发的	72Mbit	6.5 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
SNPM0VW4C/8G-C	41.0000	RFQ	2143	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-SNPM0VW4C/8G-C	Ear99	8473.30.5100	1
IS45S32800D-7BLA1	-	RFQ	1146	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS45S32400	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 8	平行线	-
MX25U1632FM2I02	0.7100	RFQ	7	大元	MXSMIO™	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	MX25U1632	闪光灯 -也不	1.65V〜2V	8-sop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1092-MX25U1632FM2I02	3A991B1A	8542.32.0071	92	133 MHz	非易失性	16mbit	6 ns	闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	40µs，3ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²