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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
24AA08H-I/MS	0.4050	RFQ	5070	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	24AA08	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz	非易失性	8kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8 x 4	i²c	5ms
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HX-MR-X16G1RS-HC	195.0000	RFQ	7186	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-HX-MR-X16G1RS-HC	Ear99	8473.30.5100	1
SFEM064GB1ED1TO-A-6F-111-StD	40.6200	RFQ	8202	瑞士	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	153-TFBGA	SFEM064	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-BGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1	200 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	EMMC	-
S26KS128SDGBHN030	7.2520	RFQ	3661	Infineon技术	HyperFlash™KS	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-vbga	S26KS128	闪光灯 -也不	1.7V〜1.95V	24-fbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0051	1,690	133 MHz	非易失性	128mbit	96 ns	闪光	16m x 8	平行线	-
IDT71V67903S85PF	-	RFQ	7019	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V67903	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V67903S85PF	3A991B2A	8542.32.0041	72	87 MHz	易挥发的	9Mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
IS61VPD51236A-250B3	-	RFQ	5772	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61VPD51236	sram-四边形端口，同步	2.375V〜2.625V	165-PBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
CY7C1318CV18-167BZC	-	RFQ	3284	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1318	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	167 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	1m x 18	平行线	-
MT29F128G08CKCCBH2-12Z：c	-	RFQ	8358	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-TBGA	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-TBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
ER2810小时	20.8400	RFQ	1	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定			0000.00.0000	1
S29GL02GS12TFSR20	-	RFQ	3487	Infineon技术	GL-S	托盘	过时的	0°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL02	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2832-S29GL02GS12TFSR20	Ear99	8542.32.0071	1		非易失性	2Mbit	120 ns	闪光	256m x 8	平行线	-
CY62128DV30LL-70ZAIT	0.9900	RFQ	1	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））	CY62128	sram-异步	2.2v〜3.6V	32-tsop	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1,500		易挥发的	1Mbit	70 ns	SRAM	128K x 8	平行线	70NS
482169-003-C	17.5000	RFQ	5566	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-482169-003-C	Ear99	8473.30.5100	1
7025S25PFG	-	RFQ	5536	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的								-			到达不受影响	800-7025S25PFG	过时的		1
S29GL512T11DHIV23	9.3625	RFQ	8275	Infineon技术	GL-T	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL512	闪光灯 -也不	1.65V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,200		非易失性	512Mbit	110 ns	闪光	64m x 8	平行线	60ns
MX77U51250FZ4I42	6.8475	RFQ	2203	大元	-	托盘	积极的								-		3（168））		1092-MX77U51250FZ4I42			480
CY7C1520V18-250BZC	-	RFQ	9301	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1520	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
MT55V512V36PT-7.5	17.3600	RFQ	495	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		SRAM -ZBT	2.375V〜2.625V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	18mbit	4.2 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
STK12C68-SF45ITR	-	RFQ	4471	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-SOIC （0.342“，8.69mm宽度）	STK12C68	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		非易失性	64kbit	45 ns	NVSRAM	8k x 8	平行线	45ns
IS43LD32128B-18BPL-Tr	-	RFQ	3899	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS43LD32128	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LD32128B-18BPL-TR	Ear99	8542.32.0036	1	533 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 32	HSUL_12	15ns
W25Q16DVSSBG	-	RFQ	2814	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	W25Q16	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-SOIC	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q16DVSSBG	过时的		1	104 MHz	非易失性	16mbit	6 ns	闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，3ms
7134SA20P	-	RFQ	2271	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	48 浸（0.600英寸，15.24毫米）	7134SA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	48-PDIP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	7		易挥发的	32kbit	20 ns	SRAM	4K x 8	平行线	20NS
R1EX24004ASAS0I ＃S0	1.3371	RFQ	9435	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	R1EX24004	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	400 kHz	非易失性	4Kbit	900 ns	EEPROM	512 x 8	i²c	5ms
CY7C1425JV18-250BZI	-	RFQ	5255	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1425	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	4m x 9	平行线	-
MB85AS8MTPW-G-KBBERE1	-	RFQ	4595	Kaga Fei America，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	11-XFBGA，WLBGA	MB85AS8	重新兰（电阻（公羊）	1.6V〜3.6V	11-WLP （2.07x2.88）	-	rohs3符合条件	3（168））		865-MB85AS8MTPW-G-KBBERE1TR	Ear99	8542.32.0071	10,000	10 MHz	非易失性	8mbit	35 ns	内存	1m x 8	spi	10ms
IS46LQ16128A-062TBLA2-TR	10.5203	RFQ	1804年	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ16128A-062TBLA2-TR			2,500	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 16	lvstl	18NS
809080-591-C	87.5000	RFQ	6568	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-809080-591-C	Ear99	8473.30.5100	1
N25Q00AA13GSF40G	-	RFQ	5717	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	N25Q00AA13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16件事	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-1571-5	3A991B1A	8542.32.0071	1,225	108 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	256m x 4	spi	8ms，5ms
7016S35J8	-	RFQ	1689年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7016S35	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	250		易挥发的	144kbit	35 ns	SRAM	16k x 9	平行线	35ns
IDT71V67603S150PFI	-	RFQ	7391	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V67603	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V67603S150PFI	3A991B2A	8542.32.0041	72	150 MHz	易挥发的	9Mbit	3.8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²