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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	可编程类型	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	控制器类型
CY7C1021BNV33L-15VXCT	-	RFQ	7016	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	CY7C1021	sram-异步		3v〜3.6V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2B	8542.32.0041	500			易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
CY7C1021BNV33L-15ZXI	-	RFQ	8038	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1021	sram-异步		3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2B	8542.32.0041	405			易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
CY7C1021CV26-15ZSXE	5.1975	RFQ	7204	Infineon技术	-	托盘	上次购买	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1021	sram-异步		2.5v〜2.7V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2B	8542.32.0041	1,350			易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
CY7C1021CV33-10BAXI	-	RFQ	2183	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY7C1021	sram-异步		3v〜3.6V	48-FBGA（7x7）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2B	8542.32.0041	416			易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
CY7C1021CV33-10BAXIT	-	RFQ	9626	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY7C1021	sram-异步		3v〜3.6V	48-FBGA（7x7）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2B	8542.32.0041	2,000			易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
CY7C1021CV33-15ZSXAT	-	RFQ	9723	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1021	sram-异步		3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2B	8542.32.0041	1,000			易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
CY7C1041BNL-15ZXCT	-	RFQ	1275	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1041	sram-异步		4.5V〜5.5V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1,000			易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	256K x 16	平行线	15ns
CY7C1041BNV33L-12ZXCT	-	RFQ	9649	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1041	sram-异步		3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1,000			易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
CY7C1041BNV33L-15VXCT	-	RFQ	6591	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	CY7C1041	sram-异步		3v〜3.6V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	500			易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	256K x 16	平行线	15ns
CY7C1041CV33-10ZSXA	-	RFQ	4857	Infineon技术	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1041	sram-异步		3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	135			易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
CY7C1041CV33-20ZSXE	-	RFQ	7533	Infineon技术	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1041	sram-异步		3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	135			易挥发的	4Mbit	20 ns	SRAM	256K x 16	平行线	20NS
CY7C1049D-10VXI	-	RFQ	3304	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	CY7C1049	sram-异步		4.5V〜5.5V	36-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	19			易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS
CY7C1049D-10VXIT	-	RFQ	5540	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	CY7C1049	sram-异步		4.5V〜5.5V	36-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	500			易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS
CY7C68024-56BAXC	-	RFQ	8788	Infineon技术	EZ-USB NX2LP™	托盘	过时的	0°C〜70°C	表面安装	56-VFBGA	CY7C68024			3v〜3.6V	56-VFBGA（5x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.31.0001	490										nand flash -usb
CYDD18S36V18-167BBXC	-	RFQ	6131	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	256-LBGA	cydd	sram-双端口，同步		1.42V〜1.58V，1.7V〜1.9V	256-FBGA（17x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2B	8542.32.0041	84	167 MHz		易挥发的	18mbit	600 ps	SRAM	256K x 36 x 2（DDR）	平行线	-
CYDD18S36V18-200BBXC	-	RFQ	4874	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	256-LBGA	cydd	sram-双端口，同步		1.42V〜1.58V，1.7V〜1.9V	256-FBGA（17x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2B	8542.32.0041	84	200 MHz		易挥发的	18mbit	500 ps	SRAM	256K x 36 x 2（DDR）	平行线	-
CYDM064B16-55BVXI	-	RFQ	7530	Infineon技术	MOBL®	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-VFBGA	cydm	sram-双端口，莫布		1.7V〜1.9V，2.4V〜2.6V，2.7V〜3.3V	100-vfbga（6x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0041	429			易挥发的	64kbit	55 ns	SRAM	4K x 16	平行线	55ns
CYDM128B16-55BVXI	-	RFQ	6028	Infineon技术	MOBL®	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-VFBGA	cydm	sram-双端口，莫布		1.7V〜1.9V，2.4V〜2.6V，2.7V〜3.3V	100-vfbga（6x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0041	429			易挥发的	128kbit	55 ns	SRAM	8k x 16	平行线	55ns
EPC4QI100N	-	RFQ	8966	英特尔	EPC	托盘	过时的	-40°C〜85°C	表面安装	100-BQFP	EPC4		未行业行业经验证	3v〜3.6V	100-PQFP （20x14）	下载		3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0071	66		在系统可编程中		4MB
AT24C32CN-SH-T	-	RFQ	1818年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT24C32	EEPROM		1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	4,000	1 MHz		非易失性	32kbit	550 ns	EEPROM	4K x 8	i²c	5ms
AT93C46EN-SH-T	0.3000	RFQ	44	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	93C46	EEPROM		1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	4,000	2 MHz		非易失性	1kbit		EEPROM	64 x 16	3线序列	5ms
AT93C46E-TH-T	0.3000	RFQ	9	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	93C46	EEPROM		1.8V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	5,000	2 MHz		非易失性	1kbit		EEPROM	64 x 16	3线序列	5ms
MT47H512M4THN-3：E TR	-	RFQ	6676	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	63-TFBGA	MT47H512M4	SDRAM -DDR2		1.7V〜1.9V	63-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0036	2,000	333 MHz		易挥发的	2Gbit	450 ps	德拉姆	512m x 4	平行线	15ns
MT47H512M4THN-37E：E TR	-	RFQ	5142	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	63-TFBGA	MT47H512M4	SDRAM -DDR2		1.7V〜1.9V	63-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0036	1,000	267 MHz		易挥发的	2Gbit	500 ps	德拉姆	512m x 4	平行线	15ns
MT29F8G08MADWC：D Tr	-	RFQ	5393	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F8G08	闪存-NAND		2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B1A	8542.32.0071	1,000			非易失性	8Gbit		闪光	1G x 8	平行线	-
MT45V256KW16PEGA-55 WT TR	-	RFQ	1543年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	48-VFBGA	MT45V256KW16	PSRAM （伪 SRAM）		2.7V〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1,000			易挥发的	4Mbit	55 ns	PSRAM	256K x 16	平行线	55ns
MT45W1MW16BDGB-708在tr	-	RFQ	7934	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	54-VFBGA	MT45W1MW16	PSRAM （伪 SRAM）		1.7V〜1.95V	54-vfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1,000			易挥发的	16mbit	70 ns	PSRAM	1m x 16	平行线	70NS
MT45W256KW16PEGA-70 WT TR	-	RFQ	8830	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	48-VFBGA	MT45W256KW16	PSRAM （伪 SRAM）		1.7V〜1.95V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1,000			易挥发的	4Mbit	70 ns	PSRAM	256K x 16	平行线	70NS
MT45W512KW16PEGA-70 IT TR	-	RFQ	1546年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	48-VFBGA	MT45W512KW16	PSRAM （伪 SRAM）		1.7V〜1.95V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1,000			易挥发的	8mbit	70 ns	PSRAM	512k x 16	平行线	70NS
MT45W512KW16PEGA-70 WT TR	-	RFQ	2698	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	48-VFBGA	MT45W512KW16	PSRAM （伪 SRAM）		1.7V〜1.95V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1,000			易挥发的	8mbit	70 ns	PSRAM	512k x 16	平行线	70NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²