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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | W25N04KWTBIR TR | 6.1856 | ![]() | 2359 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 256-W25N04KWTBIRTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Gbit | 8 ns | 闪光 | 512m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 700µs | ||||
![]() | MTFC64GBCAQDQ-AAT ES TR | 29.4000 | ![]() | 9810 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MTFC64GBCAQDQ-AATESTR | 1,500 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 7133LA25GB | - | ![]() | 3591 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | - | 到达不受影响 | 800-7133LA25GB | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | CAV24C512HU5EGT3-TE | 1.0604 | ![]() | 3969 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | CAV24C512 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-udfn (3x2) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 488-CAV24C512HU5EGT3-TETR | 3,000 | 1 MHz | 非易失性 | 512kbit | 400 ns | EEPROM | 64k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | CY7C0852AV-133AXC | 113.3400 | ![]() | 199 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 176-LQFP | CY7C0852 | sram-双端口,同步 | 3.135V〜3.465V | 176-TQFP(24x24) | - | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||||||
![]() | 24LC04BT-E/SN16KVAO | - | ![]() | 8344 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 24LC04B | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | 非易失性 | 4Kbit | 900 ns | EEPROM | 512 x 8 | i²c | 5ms | ||||
SM671PAE-BFSS | 88.9000 | ![]() | 3884 | 0.00000000 | 硅运动,Inc。 | Ferri-Ufs™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C | 表面安装 | 153-TBGA | Flash -nand(slc) | - | 153-BGA(11.5x13) | 下载 | 1984-SM671PAE-BFSS | 1 | 非易失性 | 640Gbit | 闪光 | 80g x 8 | UFS2.1 | - | |||||||||||
![]() | CY62128DV30LL-70SXI | 4.4800 | ![]() | 601 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC (0.445“,11.30mm宽度) | CY62128 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 32-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 67 | 易挥发的 | 1Mbit | 70 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 70NS | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | GD25LT256EY2GY | 4.7723 | ![]() | 2063 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LT | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-wson(6x8) | - | 1970-GD25LT256EY2GY | 4,800 | 200 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 6 ns | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 140µs,2ms | ||||||||
![]() | 70T3339S133BFGI | 306.3948 | ![]() | 1529年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 208-LFBGA | 70T3339 | sram-双端口,同步 | 2.4v〜2.6V | 208-cabga(15x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 133 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 4.2 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | IS61WV1288EEBLL-10BLI | 2.5908 | ![]() | 2576 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS61WV1288EEBLL-10BLI | 480 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 10NS | |||||||
![]() | S25FL256LAGNFM010 | 8.8300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100,fl-l | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | S25FL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | ||||
![]() | AT28C010-15SC | - | ![]() | 4540 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TC) | 表面安装 | 32-SOIC(0.295(7.50mm) | AT28C010 | EEPROM | 4.5V〜5.5V | 32 SOP | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | AT28C01015SC | Ear99 | 8542.32.0051 | 23 | 非易失性 | 1Mbit | 150 ns | EEPROM | 128K x 8 | 平行线 | 10ms | |||
![]() | BR24T01FVM-WTR | 0.6100 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-vssop,8-msop (0.110英寸,2.80mm宽度) | BR24T01 | EEPROM | 1.6V〜5.5V | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 非易失性 | 1kbit | EEPROM | 128 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | GD55LE511蛋白 | 4.1663 | ![]() | 2768 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 托盘 | 积极的 | - | 1970-GD55LE511-渗透 | 5,700 | ||||||||||||||||||||||
![]() | CY62128BNLL-55SXIT | 6.7400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC (0.445“,11.30mm宽度) | CY62128 | sram-同步 | 4.5V〜5.5V | 32-Soic | - | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 2832-CY62128BNLL-55SXITTR | 3A991A2 | 8542.32.0040 | 75 | 易挥发的 | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 55ns | |||
![]() | 715281-001-C | 87.5000 | ![]() | 9825 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-715281-001-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | NLQ46PFS-8NIT TR | 15.7000 | ![]() | 7252 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr4 | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-fbga(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 2,000 | 1.2 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | lvstl | 18NS | |||||||
![]() | C-1866D3DR4VRB/16G | 72.5000 | ![]() | 5214 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-C-1866D3DR4VRB/16G | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | FT93C56A-IDR-B | - | ![]() | 4107 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | 管子 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | 93c56a | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8点 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1219-1060 | Ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 2 MHz | 非易失性 | 2kbit | EEPROM | 256 x 8,128 x 16 | 3线序列 | 10ms | |||
![]() | CY14B101L-SP35XC | - | ![]() | 5332 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-bessop(0.295英寸,7.50mm宽度) | CY14B101 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 48-SSOP | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 30 | 非易失性 | 1Mbit | 35 ns | NVSRAM | 128K x 8 | 平行线 | 35ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | 70V06L15PF | - | ![]() | 4533 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 64-LQFP | 70V06L | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 64-TQFP (14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 45 | 易挥发的 | 128kbit | 15 ns | SRAM | 16k x 8 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | CY7C1018DV33-10VXI | 2.1100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C1018 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 32-soj | 下载 | rohs3符合条件 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 10NS | 未行业行业经验证 | |||||||
![]() | CY62128DV30LL-55ZAIT | 2.1100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) | CY62128 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 32-tsop | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,500 | 易挥发的 | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 55ns | ||||
AT24C01C-XHM-T | 0.2200 | ![]() | 4858 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | AT24C01 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 非易失性 | 1kbit | 550 ns | EEPROM | 128 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | IS43LD32320A-25BL | - | ![]() | 4126 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | 0°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 134-TFBGA | IS43LD32320 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.95v | 134-TFBGA(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1356 | Ear99 | 8542.32.0002 | 171 | 400 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 德拉姆 | 32m x 32 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | CY62148G-45ZSXI | 6.4575 | ![]() | 4639 | 0.00000000 | Infineon技术 | MOBL® | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY62148 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 234 | 易挥发的 | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | NV24C64MUW3VLTBG | 0.9100 | ![]() | 7455 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | NV24C64 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-udfn(2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 1 MHz | 非易失性 | 64kbit | 400 ns | EEPROM | 8k x 8 | i²c | 4ms | |||
![]() | 4x70F28590-C | 132.5000 | ![]() | 6064 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-4X70F28590-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S25FL164K0XMFB000 | - | ![]() | 6255 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100,FL1-K | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FL164 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 108 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 3ms |
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