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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
CY7C2663KV18-550BZI	536.3050	RFQ	1648年	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C2663	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	550 MHz	易挥发的	144Mbit		SRAM	8m x 18	平行线	-
CG8532AA	-	RFQ	6219	Infineon技术	-	管子	过时的								下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2015-CG8532Aainactive	过时的	0000.00.0000	125
70V34L25PF	-	RFQ	3521	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70v34	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	3		易挥发的	72kbit	25 ns	SRAM	4K x 18	平行线	25ns
P770018CF8C001	-	RFQ	6714	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产								-			到达不受影响				1
IDT71V3556S133PFI	-	RFQ	1726年	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V3556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V3556S133PFI	3A991B2A	8542.32.0041	72	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
W25X20BVSNIG	-	RFQ	1740年	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	W25x20	闪光	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	spi	3ms
FM24C17UM8	0.3700	RFQ	9243	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FM24C17	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	100 kHz	非易失性	16kbit	3.5 µs	EEPROM	2k x 8	i²c	10ms
IS42S16320F-6BLI-TR	11.8500	RFQ	5366	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TW-BGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	167 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
CY14B108M-ZSP25XIT	63.1925	RFQ	1021	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY14B108	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		非易失性	8mbit	25 ns	NVSRAM	512k x 16	平行线	25ns
IS61LPD51236A-200TQLI-TR	19.1250	RFQ	5183	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPD51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
24LC02BH-E/MS	0.4350	RFQ	3224	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	24LC02BH	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
71V67803S166PFG	17.3400	RFQ	38	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67803	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
7164S25TPGI	-	RFQ	3552	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	28- 浸（0.300英寸，7.62mm）		sram-异步	4.5V〜5.5V	28-pdip	-				800-7164S25TPGI			1		易挥发的	64kbit	25 ns	SRAM	8k x 8	平行线	25ns
BU9888FV-WE2	0.6163	RFQ	1875年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	8-lssop （0.173“，4.40mm宽度）	BU9888	EEPROM	3v〜3.6V	8SSOP-B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	2 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	256 x 16	spi	2ms
MT40A8G4BAF-062E：b	-	RFQ	5484	微米技术公司	Twindie™	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A8G4	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（10.5x11）	-				557-MT40A8G4BAF-062E：b	过时的	8542.32.0071	168	1.6 GHz	非易失性	32Gbit	13.75 ns	德拉姆	8g x 4	平行线	-
IS42S32200C1-6T-TR	-	RFQ	1902年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32200	Sdram	3.15V〜3.45V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
MT29F512G08EBHAFJ4-3T：a	-	RFQ	7053	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F512G08	Flash -nand（tlc）	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	8542.32.0071	1,120	333 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
397415-S21-C	37.5000	RFQ	3175	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-397415-S21-C	Ear99	8473.30.5100	1
W25Q32JWBYIG TR	-	RFQ	6091	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	12-UFBGA，WLCSP	W25Q32	闪光灯 -也不	1.7V〜1.95V	12-wlcsp （2.31x2.03）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	W25Q32JWBYIGTR	3A991B1A	8542.32.0071	4,500	133 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	5ms
S25HL01GTFABHI033	15.4000	RFQ	8259	Infineon技术	Semper™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-vbga		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	24-fbga（8x8）	下载					3A991B1A	8542.32.0071	2,500	166 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
STK14D88-RF35I	11.6800	RFQ	136	Simtek	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）	STK14D88	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-SSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1		非易失性	256kbit	35 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	35ns
W25Q128FVBAG	-	RFQ	9748	Winbond电子产品	*	管子	过时的		表面安装	24-TBGA	W25Q128			24-tfbga（6x8）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q128FVBAG	过时的		1
MT53D4DDSB-DC	-	RFQ	1852年	微米技术公司	*	大部分	积极的				MT53D4				-			到达不受影响			0000.00.0000	1,190
S25FL032P0XNFI001M	-	RFQ	8176	Infineon技术	fl-p	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	S25FL032	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1	104 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	5µs，3ms
CY7C1424TV18-250BZC	67.2400	RFQ	554	赛普拉斯半导体公司	-	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1424	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-	不适用				3A991B2A		1	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
NDS38PT5-16IT TR	2.7110	RFQ	1907年	Insignis Technology Corporation	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS38PT5-16Ittr			1,000
MT53E1G64D4SQ-046 AAT：A TR	-	RFQ	7665	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）			MT53E1G64	sdram- lpddr4	1.1V		-	rohs3符合条件	3（168））		MT53E1G64D4SQ-046AAT：ATR	过时的	0000.00.0000	2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	1G x 64	-	-
AT49BV002N-12VC	-	RFQ	1658年	微芯片技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TC）	表面安装	32-tfsop （0.488“，12.40mm宽度）	AT49BV002	闪光	2.7V〜3.6V	32-VSOP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	AT49BV002N12VC	Ear99	8542.32.0071	208		非易失性	2Mbit	120 ns	闪光	256K x 8	平行线	50µs
AT28C64B-15TU	-	RFQ	3290	微芯片技术	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	AT28C64	EEPROM	4.5V〜5.5V	28-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	AT28C64B15TU	Ear99	8542.32.0051	234		非易失性	64kbit	150 ns	EEPROM	8k x 8	平行线	10ms
GD5F4GQ6UEYIGY	6.6500	RFQ	4052	gigadevice 半导体（香）	GD5F	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	下载				1970-GD5F4GQ6UEYIGY			4,800	104 MHz	非易失性	4Gbit	9 ns	闪光	512m x 8	Spi -Quad I/O。	600µs

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²