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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	控制器类型
M93S66-WMN6P	0.6900	RFQ	4	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M93S66	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	100	2 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	256 x 16	spi	5ms
M93S66-WMN6T	-	RFQ	3023	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M93S66	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	2,500	2 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	256 x 16	spi	5ms
M95010-WDW6TP	0.3000	RFQ	3	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	M95010	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	4,000	20 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8	spi	5ms
M95010-WMN6P	0.4800	RFQ	3	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M95010	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	100	20 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8	spi	5ms
M95020-WMN6T	-	RFQ	3567	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M95020	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	2,500	20 MHz	非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8	spi	5ms
M95040-WMN6	-	RFQ	2201	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M95040	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	100	20 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	spi	5ms
BQ2022DBZRG4	-	RFQ	7869	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BQ2022	EPROM -OTP	2.65V〜5.5V	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0061	3,000		非易失性	1kbit		EPROM	32个字节x 4页	单线	-
BQ2204ASN-NTR	-	RFQ	4289	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	BQ2204		4.5V〜5.5V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	2,500									sram
BQ4010YM-70N	-	RFQ	7857	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	28 DIP 模块（ 0.61英寸，15.49毫米）	BQ4010	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28 DIP 模块（ 18.42x37.72）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0041	14		非易失性	64kbit	70 ns	NVSRAM	8k x 8	平行线	70NS
BQ4011M-70N	-	RFQ	7438	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	28 DIP 模块（ 0.61英寸，15.49毫米）	BQ4011	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28 DIP 模块（ 18.42x37.72）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0041	14		非易失性	256kbit	70 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	70NS
MT45W2MW16PGA-70 WT TR	-	RFQ	5818	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	48-VFBGA	MT45W2MW16	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	32Mbit	70 ns	PSRAM	2m x 16	平行线	70NS
MT46H32M16LFCK-6 TR	-	RFQ	7697	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H32M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
MT48H16M16LFBF-75 IT：G Tr	-	RFQ	5511	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48H16M16	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	54-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
MT46H64M16LFCK-6 IT：Tr	-	RFQ	3632	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H64M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0032	1,000	166 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
MT46H64M16LFCK-6：a tr	-	RFQ	6233	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H64M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0032	1,000	166 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
MT46V8M16P-5B：D Tr	-	RFQ	3331	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V8M16	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0002	1,000	200 MHz	易挥发的	128mbit	700 ps	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
MT46V16M16BG-6 IT：f tr	-	RFQ	2082	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-FBGA	MT46V16M16	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-fbga（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
MT47H256M4HQ-3：e tr	-	RFQ	4767	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	60-FBGA	MT47H256M4	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga （8x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0032	1,000	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	256m x 4	平行线	15ns
24fc64-i/mc	0.6400	RFQ	8345	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vfdfn裸露的垫子	24fc64	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-DFN（2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	150	1 MHz	非易失性	64kbit	400 ns	EEPROM	8k x 8	i²c	5ms
MR2A16AVYS35	36.9500	RFQ	32	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR2A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0071	135		非易失性	4Mbit	35 ns	内存	256K x 16	平行线	35ns
MT46H16M16LFBF-6 IT：a tr	-	RFQ	9646	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H16M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	12ns
AT45DB021D-SSH-B	-	RFQ	9669	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT45DB021	闪光	2.7V〜3.6V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0071	100	66 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	264字节x 1024页	spi	4ms
CY14B101K-SP25XC	-	RFQ	4326	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）	CY14B101	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-SSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2B	8542.32.0041	1		非易失性	1Mbit	25 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	25ns
CY14B101K-SP35XC	-	RFQ	8240	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）	CY14B101	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-SSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	30		非易失性	1Mbit	35 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	35ns
CY14B101L-SZ35XC	-	RFQ	7925	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	CY14B101	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	22		非易失性	1Mbit	35 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	35ns
CY14B101L-SZ45XC	-	RFQ	2949	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	CY14B101	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	22		非易失性	1Mbit	45 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	45ns
CY14B101L-SZ45XI	-	RFQ	8761	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	CY14B101	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	22		非易失性	1Mbit	45 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	45ns
CY14B256K-SP35XC	-	RFQ	8306	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）	CY14B256	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.45V	48-SSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0041	30		非易失性	256kbit	35 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	35ns
CY14B256K-SP45XC	-	RFQ	7400	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）	CY14B256	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.45V	48-SSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0041	30		非易失性	256kbit	45 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	45ns
CY14B256L-SZ35XC	-	RFQ	8209	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	CY14B256	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0041	22		非易失性	256kbit	35 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	35ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²