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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MX29GL512ELXFI-10Q	-	RFQ	3323	大元	MX29GL	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA，CSPBGA	MX29GL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-LFBGA，CSP （11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	144		非易失性	512Mbit	100 ns	闪光	64m x 8	平行线	100ns
CAT24C02HU4IGT3A	-	RFQ	4737	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	CAT24C02	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-udfn-ep（2x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
CAT25010VP2I-GT3	-	RFQ	7934	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	CAT25010	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tdfn （2x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000		非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8	spi	5ms
CAT25256ZD2I-GT2	-	RFQ	6578	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	CAT25256	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tdfn （2x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,000	10 MHz	非易失性	256kbit		EEPROM	32K x 8	spi	5ms
CAT25640HU3I-GT3	-	RFQ	5405	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	CAT25640	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-udfn（2x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	10 MHz	非易失性	64kbit		EEPROM	8k x 8	spi	5ms
LE24C023M-TLM-E	-	RFQ	6473	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	LE24C	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-MFP	-		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	1,000	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	10ms
LE24C082M-TLM-E	-	RFQ	9563	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	LE24C	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-MFP	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	1,000	400 kHz	非易失性	8kbit	900 ns	EEPROM	1k x 8	i²c	10ms
LE24C322M-TLM-E	-	RFQ	1742年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	LE24C	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-MFP	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	1,000	400 kHz	非易失性	32kbit	900 ns	EEPROM	4K x 8	i²c	10ms
LE24CB642M-TLM-E	-	RFQ	2127	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	LE24CB642	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-MFP	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	1,000	400 kHz	非易失性	64kbit	900 ns	EEPROM	8k x 8	i²c	10ms
MR2A08ACMA35R	23.6740	RFQ	6138	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR2A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000		非易失性	4Mbit	35 ns	内存	512k x 8	平行线	35ns
MR256D08BMA45R	7.2300	RFQ	8464	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR256D08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000		非易失性	256kbit	45 ns	内存	32K x 8	平行线	45ns
MR256A08BYS35R	7.3228	RFQ	8516	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR256A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	256kbit	35 ns	内存	32K x 8	平行线	35ns
MR4A08BYS35R	31.6650	RFQ	1539年	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR4A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	16mbit	35 ns	内存	2m x 8	平行线	35ns
MR2A16AMA35R	24.5550	RFQ	5908	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR2A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000		非易失性	4Mbit	35 ns	内存	256K x 16	平行线	35ns
MR0A16AVYS35R	15.5400	RFQ	1896年	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR0A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	1Mbit	35 ns	内存	64k x 16	平行线	35ns
MR4A16BYS35R	34.8000	RFQ	8072	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR4A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	54-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	16mbit	35 ns	内存	1m x 16	平行线	35ns
CAV24C16WE-GT3	0.5900	RFQ	5	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAV24C16	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	400 kHz	非易失性	16kbit	900 ns	EEPROM	2k x 8	i²c	5ms
CAV24C32WE-GT3	0.5600	RFQ	590	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAV24C32	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	400 kHz	非易失性	32kbit	900 ns	EEPROM	4K x 8	i²c	5ms
25a512t-i/sn	2.2500	RFQ	4970	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	25A512	EEPROM	1.7V〜3V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	10 MHz	非易失性	512kbit		EEPROM	64k x 8	spi	5ms
CY7C1265KV18-550BZXC	-	RFQ	6978	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1265	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	550 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-
CY7C1412KV18-300BZC	-	RFQ	9035	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1412	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	300 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	2m x 18	平行线	-
CY7C1413KV18-250BZI	-	RFQ	4158	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1413	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	680	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	2m x 18	平行线	-
CY7C1415KV18-300BZI	-	RFQ	4148	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1415	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	300 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-
CY7C1420KV18-250BZI	-	RFQ	8229	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1420	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-
CY7C25632KV18-450BZC	-	RFQ	7724	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C25632	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	272	450 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
CY7C25632KV18-550BZC	-	RFQ	8189	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C25632	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	550 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
CY7C25652KV18-450BZI	313.7050	RFQ	5883	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C25652	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	450 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CY7C25682KV18-450BZC	-	RFQ	3270	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C25682	sram-同步，DDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	450 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
MB85R1001ANC-GE1	10.5100	RFQ	1	Kaga Fei America，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop（0.488英寸，12.40mm）	MB85R1001	fram （铁电 ram）	3v〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	128		非易失性	1Mbit	150 ns	框架	128K x 8	平行线	150ns
MB85R256FPFCN-G-BNDE1	6.4066	RFQ	5969	Kaga Fei America，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	MB85R256	fram （铁电 ram）	2.7V〜3.6V	28-tsop i	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	865-1170	Ear99	8542.32.0071	128		非易失性	256kbit	150 ns	框架	32K x 8	平行线	150ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²