内存(70500)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	时钟频率	内存类型	内存大小	访QQT	内存格式	记忆组织	内存接口	周期写入T - 字、页	SIC
MT53E384M32D2DS-046 AIT:E	-	询价	6483	美光科技公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C ~ 95°C（温控）	表面贴装	200-WFBGA	MT53E384	SDRAM - 移动 LPDDR4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	MT53E384M32D2DS-046AIT:E	EAR99	8542.32.0036	1,360	2.133GHz	易挥发的	12Gbit		动态随机存取存储器	384M×32	-	-
HM1-65262/883	21.4000	询价	第592章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55℃～125℃（TA）	通孔	20-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	HM1-65262	SRAM - 异步	4.5V~5.5V	20-CERDIP	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	供应商未定义		3A001A2C	8542.32.0041	1		易挥发的	16Kbit	85纳秒	静态随机存储器	16K×1	平行线	85纳秒
IS25WP032D-JBLE	1.2500	询价	16	ISSI，集成硅解决方案公司	-	管子	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	8-SOIC（0.209英寸，5.30毫米宽）	IS25WP032	或-NOR	1.65V～1.95V	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B1A	8542.32.0071	90	133兆赫	非活跃性	32兆比特		闪光	4M×8	SPI - 四路I/O、QPI、DTR	800微秒
43R2037-C	62.5000	询价	3891	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-43R2037-C	EAR99	8473.30.5100	1
CY7C1021L-15ZC	3.6400	询价	612	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	CY7C1021	SRAM - 异步	4.5V~5.5V	44-TSOP II	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1兆比特	15纳秒	静态随机存储器	64K×16	平行线	15纳秒
S25FL128SAGNFI010	3.0800	询价	220	赛普拉斯半导体公司	FL-S	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	S25FL128	或-NOR	2.7V~3.6V	8-WSON (6x8)	下载							98	133兆赫	非活跃性	128Mbit		闪光	16M×8	SPI——四路I/O	-	未验证
MX25U16356ZNI02	0.5327	询价	2457	旺宏	-	托盘	的积极								-		3（168小时）		1092-MX25U16356ZNI02			第570章
CY7C1021V33-15BAI	5.1400	询价	3	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	48-TFBGA	CY7C1021	SRAM - 异步	3V～3.6V	48-FBGA (7x7)	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1兆比特	15纳秒	静态随机存储器	64K×16	平行线	15纳秒
MT53E768M64D4HJ-046 WT:B	36.0000	询价	1810	美光科技公司	-	盒子	的积极								-				557-MT53E768M64D4HJ-046WT:B			1
FEMC128GBB-E540	105.0800	询价	100	Flexxon私人有限公司	AXO	托盘	的积极	-40℃～105℃	表面贴装	153-VFBGA		忆 - NAND (TLC)	2.7V~3.6V	153-FBGA (11.5x13)	下载		3（168小时）		3052-FEMC128GBB-E540		8542.32.0071	1	200兆赫	非活跃性	1T比特		闪光	128G×8	eMMC_5.1	-
MEM2691-128CF-C	10.0000	询价	23	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-MEM2691-128CF-C	EAR99	8473.30.9100	1
W632GG6NB09I TR	4.7100	询价	6158	华邦电子	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 95°C（温控）	表面贴装	96-VFBGA	W632GG6	SDRAM-DDR3	1.425V～1.575V	96-VFBGA (7.5x13)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	256-W632GG6NB09ITR	EAR99	8542.32.0036	3,000	1.066GHz	易挥发的	2Gbit	20纳秒	动态随机存取存储器	128M×16	SSTL_15	15纳秒
CY7C1007B-15VC	7.3300	询价	1	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	28-BSOJ（0.300英寸，7.62毫米宽）	CY7C1007	SRAM - 异步	4.5V~5.5V	28-SOJ	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1兆比特	15纳秒	静态随机存储器	1M×1	平行线	15纳秒
MT40A16G4WPF-062H:B TR	194.0100	询价	5362	美光科技公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～95℃（温控）			MT40A16G4	SDRAM-DDR4	-		-		3（168小时）	REACH 不出行	557-MT40A16G4WPF-062H：BTR		8542.32.0071	3,000	1.6GHz	易挥发的	64Gbit		动态随机存取存储器	16G×4	-	-
AT24CSW020-STUM-T	0.2000	询价	2	微芯片	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C（温控）	表面贴装	SOT-23-5薄型、TSOT-23-5	AT24CSW020	EEPROM	1.7V~3.6V	TSOT-23-5	下载	符合ROHS3标准	2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0051	5,000	1兆赫	非活跃性	2Kbit	450纳秒	EEPROM	256×8	I²C	5毫秒
CY7C09369V-9AC	22.5600	询价	311	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-LQFP	CY7C09369	SRAM - 双端口，同步	3V～3.6V	100-TQFP (14x14)	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH旅行		3A991B2B	8542.32.0041	1	67兆赫	易挥发的	288Kbit	9纳秒	静态随机存储器	16K×18	平行线	-
AS4C512M16D3LB-12BINTR	26.3250	询价	9831	联盟内存公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 95°C（温控）	表面贴装	96-TFBGA	AS4C512	SDRAM-DDR3L	1.283V～1.45V	96-FBGA (13.5x9)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	1450-AS4C512M16D3LB-12BINTR	EAR99	8542.32.0032	2,000	800兆赫	易挥发的	8Gbit	20纳秒	动态随机存取存储器	512米×16	平行线	15纳秒
CG8415AAT	-	询价	8633	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的								-			REACH 不出行		过时的		2,000
CY7C1480BV33-167AXC	129.4200	询价	229	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	100-LQFP	CY7C1480	SRAM-同步、SDR	3.135V～3.6V	100-TQFP (14x20)	下载	符合ROHS3标准				3A991B2A	8542.32.0041	72	167兆赫	易挥发的	72兆比特	3.4纳秒	静态随机存储器	2M×36	平行线	-	未验证
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E	-	询价	1690	美光科技公司	-	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	63-VFBGA	MT29F2G08	NAND-NAND	2.7V~3.6V	63-VFBGA (9x11)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非活跃性	2Gbit		闪光	256M×8	平行线	-
S25FL512SAGMFA013	12.0400	询价	6790	英飞凌科技	汽车、AEC-Q100、FL-S	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	S25FL512	或-NOR	2.7V~3.6V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B1A	8542.32.0071	1,450	133兆赫	非活跃性	512兆比特		闪光	64M×8	SPI——四路I/O	-
S25FL256SAGBHV200	6.5900	询价	8	英飞凌科技	FL-S	托盘	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	24-TBGA	S25FL256	或-NOR	2.7V~3.6V	24-BGA (8x6)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		3A991B1A	8542.32.0071	第338章	133兆赫	非活跃性	256兆比特		闪光	32M×8	SPI——四路I/O	-
NDS73PBE-20ET TR	3.2952	询价	9457	英西尼斯科技公司	*	卷带式 (TR)	的积极								-	符合ROHS3标准	3（168小时）		1982-NDS73PBE-20ETTR			2,000
EM6HE08EW9G-10H	7.1250	询价	6136	钰创科技股份有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～95℃（温控）	表面贴装	78-TFBGA	EM6HE08	SDRAM-DDR3L	1.283V～1.45V	78-FBGA (7.5x10.6)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0036	2,500人	933兆赫	易挥发的	4G比特	20纳秒	动态随机存取存储器	512米×8	平行线	15纳秒
0418A41QLAA-4	44.7900	询价	2	国际商业机器公司	-	大部分	的积极		表面贴装	119-BBGA				119-BGA (17x7)	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		3A991B2A	8542.32.0041	1			4兆比特		静态随机存储器	256K×18	HSTL
IS25WP512M-RMLE	-	询价	2882	ISSI，集成硅解决方案公司	-	管子	过时的	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）		或-NOR	1.7V～1.95V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	706-IS25WP512M-RMLE	过时的		1	133兆赫	非活跃性	512兆比特		闪光	64M×8	SPI - 四路I/O、QPI、DTR	50微秒，2毫秒
MT62F1G64D4EK-023 WT:B TR	45.6900	询价	5908	美光科技公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-25℃～85℃	表面贴装	441-TFBGA		SDRAM - 移动 LPDDR5	1.05V	441-TFBGA (14x14)	-				557-MT62F1G64D4EK-023WT:BTR			2,000	2.133GHz	易挥发的	64Gbit		动态随机存取存储器	1G×64	平行线	-
IS66WVQ4M4DALL-200BLI	3.4400	询价	第480章	ISSI，集成硅解决方案公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	24-TBGA	IS66WVQ4M4	PSRAM（α SRAM）	1.7V～1.95V	24-TFBGA (6x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	706-IS66WVQ4M4DALL-200BLI	3A991B2A	8542.32.0041	第480章	200兆赫	易挥发的	16兆比特		PSRAM	4M×4	SPI——四路I/O	40纳秒
90Y4551-C	22.5000	询价	5416	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-90Y4551-C	EAR99	8473.30.5100	1
03T6457-C	19.7500	询价	4558	专业实验室	*	零售套餐	的积极								-	符合RoHS标准			4932-03T6457-C	EAR99	8473.30.5100	1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

内存(70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²