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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 sic可编程
DS1345WP-100IND+ ADI/Maxim Integrated DS1345WP-100IND+ 29.0375
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ECAD 4532 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 34-PowerCap™ DS1345W NVSRAM(SRAM) 3v〜3.6V 34-PowerCap模块 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 40 非易失性 1Mbit 100 ns NVSRAM 128K x 8 平行线 100ns
EN-20 128GB I-GRADE Swissbit EN-20 128GB i -
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ECAD 8925 0.00000000 瑞士 - 大部分 积极的 EN-20 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 EN-20128GBI级 0000.00.0000 1
NM4081H0HA15J68E Micron Technology Inc. NM4081H0HA15J68E -
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ECAD 8644 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 136
MT29F8T08EWLEEM5-QJ:E Micron Technology Inc. MT29F8T08EWLEEM5-QJ:e 211.8900
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ECAD 2417 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F8T08EWLEEM5-QJ:e 1
MB85RS2MTYPNF-G-AWERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTYPNF-G-AWERE2 4.9893
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ECAD 7304 0.00000000 Kaga Fei America,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MB85RS2 fram (铁电 ram) 1.8v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0071 1,500 50 MHz 非易失性 2Mbit 框架 256K x 8 spi -
IS43R16800E-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800E-5TLI-Tr 2.4388
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ECAD 1681年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R16800 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 200 MHz 易挥发的 128mbit 700 ps 德拉姆 8m x 16 平行线 15ns
CY62137VNLL-70ZSXA Cypress Semiconductor Corp CY62137VNLL-70ZSXA 4.9100
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ECAD 4 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 MOBL® 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) CY62137 sram-异步 2.7V〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3A991B2A 8542.32.0041 62 易挥发的 2Mbit 70 ns SRAM 128K x 16 平行线 70NS 未行业行业经验证
MT53E384M32D2DS-046 AUT:E TR Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-046自动:e tr 13.5900
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ECAD 1483 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53E384 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT53E384M32D2DS-046AUT:ETR Ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 易挥发的 12Gbit 德拉姆 384m x 32 - -
CG8402AAT Infineon Technologies CG8402AAT -
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ECAD 2624 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,000
N02L63W3AT25I onsemi N02L63W3AT25I -
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ECAD 4478 0.00000000 Onmi - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) N02L63 sram-异步 2.3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 3(168)) 到达不受影响 766-1035 3A991B2A 8542.32.0041 135 易挥发的 2Mbit 55 ns SRAM 128K x 16 平行线 55ns
815102-H21-C ProLabs 815102-H21-C 2.0000
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ECAD 6866 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-815102-H21-C Ear99 8473.30.5100 1
P19043-K21-C ProLabs P19043-K21-C 230.0000
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ECAD 4770 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-P19043-K21-C Ear99 8473.30.5100 1
CY7C024-55JXCT Infineon Technologies CY7C024-55JXCT -
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ECAD 2948 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 84-LCC(j-lead) CY7C024 sram-双端口,异步 4.5V〜5.5V 84-PLCC (29.31x29.31) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 250 易挥发的 64kbit 55 ns SRAM 4K x 16 平行线 55ns
IS61NVP204818B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP204818B-200TQLI-TR 69.6500
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ECAD 7574 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61NVP204818 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz 易挥发的 36mbit 3.1 ns SRAM 2m x 18 平行线 -
S25FL512SAGMFAR13 Infineon Technologies S25FL512SAGMFAR13 9.8700
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ECAD 9229 0.00000000 Infineon技术 fl-s 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) S25FL512 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O。 -
MTFC64GASAONS-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc64gasaons-ait tr 37.6950
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ECAD 7973 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q104 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 153-TFBGA Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 153-TFBGA(11.5x13) - 557-MTFC64GASAONS-AITTR 2,000 52 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 UFS2.1 -
UPD46185182BF1-E40Y-EQ1-A Renesas Electronics America Inc upd46185182bf1-e40y-eq1-a 42.0700
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ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 下载 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1
CAT24C256XI onsemi CAT24C256XI -
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ECAD 3989 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) CAT24C256 EEPROM 1.8V〜5.5V 8-SOIC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 94 1 MHz 非易失性 256kbit 500 ns EEPROM 32K x 8 i²c 5ms
R1LP5256ESA-7SR#B0 Renesas Electronics America Inc R1LP5256ESA-7SR #B0 3.6000
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ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) R1LP5256 SRAM 4.5V〜5.5V 28-tsop i 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.32.0041 1 易挥发的 256kbit 70 ns SRAM 32K x 8 平行线 70NS
MT53E4G32D8GS-046 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53E4G32D8GS-046 WT ES:C TR 127.0200
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ECAD 5172 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C〜85°C - - sdram- lpddr4 - - - 557-MT53E4G32D8GS-046WTES:CTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 128Gbit 德拉姆 4G x 32 平行线 -
MT29F128G08CKCCBH2-12:C Micron Technology Inc. MT29F128G08CKCCBH2-12:c -
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ECAD 3529 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-TBGA MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-TBGA (12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
CY7C0831V-167AC Cypress Semiconductor Corp CY7C0831V-167AC 41.9300
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ECAD 264 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 120-LQFP CY7C0831 sram-双端口,同步 3.135V〜3.465V 120-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 易挥发的 2Mbit SRAM 128K x 18 平行线 -
71V3577S80BQI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577S80BQI -
RFQ
ECAD 9610 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA 71v3577 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-CABGA(13x15) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 4.5mbit 8 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
SST26VF064B-104I/WF70S Microchip Technology SST26VF064B-104I/WF70S -
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ECAD 6517 0.00000000 微芯片技术 SST26SQI® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) SST26VF064 闪光 2.7V〜3.6V 晶圆 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 104 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 1.5ms
MTFC32GAZAQHD-IT TR Micron Technology Inc. mtfc32gazaqhd-it tr 15.7800
RFQ
ECAD 1150 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-VFBGA mtfc32g 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-VFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFC32GAZAQHD-ITTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 200 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 EMMC -
7024L55GM Renesas Electronics America Inc 7024L55GM -
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ECAD 8604 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 - 到达不受影响 800-7024L55GM 过时的 1
W632GG8MB-12 TR Winbond Electronics W632GG8MB-12 TR -
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ECAD 6514 0.00000000 Winbond电子产品 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-vfbga(10.5x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 -
CAT93C56SI-1.8TE13 onsemi CAT93C56SI-1.8TE13 0.0600
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) CAT93C56 EEPROM 1.8V〜6V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 到达不受影响 2156-CAT93C56SI-1.8TE13-488 Ear99 8542.32.0071 1 2 MHz 非易失性 2kbit 250 ns EEPROM 128 x 16,256 x 8 微线 -
S25FL256SAGMFIR00 Infineon Technologies S25FL256SAGMFIR00 6.6500
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ECAD 356 0.00000000 Infineon技术 fl-s 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) S25FL256 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 240 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
FM93C56AM8 Fairchild Semiconductor FM93C56AM8 -
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ECAD 8706 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 93c56a EEPROM 4.5V〜5.5V 8-SOIC 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8542.32.0051 1 1 MHz 非易失性 2kbit EEPROM 256 x 8,128 x 16 微线 10ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库