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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
STK15C88-NF45I	-	RFQ	2812	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	STK15C88	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	54		非易失性	256kbit	45 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	45ns
M24C08-WBN6P	-	RFQ	1438	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	M24C08	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	50	400 kHz	非易失性	8kbit	900 ns	EEPROM	1k x 8	i²c	5ms
24vl014h/p	0.6150	RFQ	2282	微芯片技术	-	管子	积极的	-20°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	24VL014	EEPROM	1.5V〜3.6V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	60	400 kHz	非易失性	1kbit	900 ns	EEPROM	128 x 8	i²c	5ms
W972GG6KB-18	10.0484	RFQ	5609	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	W972GG6	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-WBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	144	533 MHz	易挥发的	2Gbit	350 PS	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
W25N01GVSFIT	2.7741	RFQ	9842	Winbond电子产品	Spiflash®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	W25N01	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25N01GVSFIT	3A991B1A	8542.32.0071	44	104 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O。	700µs
AT28HC64B-90SU-T	7.9800	RFQ	4982	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	AT28HC64	EEPROM	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	1,000		非易失性	64kbit	90 ns	EEPROM	8k x 8	平行线	10ms
CG8204AA	-	RFQ	4432	Infineon技术	-	托盘	过时的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
W988D6FBGX6E	-	RFQ	1269	Winbond电子产品	-	托盘	过时的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	54-TFBGA	W988D6	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	54-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	312	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
MT53E128M32D2FW-046 AUT：A TR	8.7450	RFQ	8649	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E128M32D2FW-046AUT：ATR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 32	平行线	18NS
CY7C1460SV25-250BZCKB	50.1700	RFQ	105	赛普拉斯半导体公司	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达受影响	2156-CY7C1460SV25-250BZCKB-428			1
IS46LD32128C-25BPLA2	-	RFQ	5780	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS46LD32128	sdram- lpddr2	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46LD32128C-25BPLA2	Ear99	8542.32.0036	1	400 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 32	HSUL_12	15ns
C-2400D4DR8N/8G	105.0000	RFQ	2176	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-2400D4DR8EN/8G	Ear99	8473.30.5100	1
70V26L35J8	-	RFQ	4788	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	84-LCC（j-lead）	70V26L	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	84-PLCC （29.31x29.31）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	200		易挥发的	256kbit	35 ns	SRAM	16k x 16	平行线	35ns
CY62128BLL-70ZAXE	2.1400	RFQ	4	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））	CY62128	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	70 ns	SRAM	128K x 8	平行线	70NS
P1N51AA-C	25.0000	RFQ	1138	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-P1N51AA-C	Ear99	8473.30.5100	1
IS42S16400E-7TL	1.1100	RFQ	2	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16400	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IS42S16400E-7TL	Ear99	8542.32.0002	1	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	lvttl	-
AS4C8M16S-6TCNTR	-	RFQ	8756	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	AS4C8M16	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	166 MHz	易挥发的	128mbit	5 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	2NS
MT44K64M18RB-107E：A TR	64.4550	RFQ	5837	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	168-TBGA	MT44K64M18	rldram 3	1.28V〜1.42V	168-BGA（13.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	易挥发的	1.125Gbit	8 ns	德拉姆	64m x 18	平行线	-
CY14B101LA-SP45XIT	29.8550	RFQ	2557	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）	CY14B101	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-SSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		非易失性	1Mbit	45 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	45ns
AS4C128M32MD2A-25BINTR	10.5000	RFQ	4104	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	AS4C128	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	134-FBGA （10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	400 MHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	128m x 32	平行线	15ns
BR93A76RFVM-WMTR	0.8300	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-vssop，8-msop （0.110英寸，2.80mm宽度）	BR93A76	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	2 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	512 x 16	微线	5ms
GD55B01GEBIRY	8.4011	RFQ	3284	gigadevice 半导体（香）	GD55B	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载				1970-GD55B01GEBIRY		8542.32.0071	4,800	133 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	-
FM25V20-G	12.4000	RFQ	8189	赛普拉斯半导体公司	F-RAM™	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	FM25V20	fram （铁电 ram）	2v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件			2156-FM25V20-G-CY			94	40 MHz	非易失性	2Mbit		框架	256K x 8	spi	-	未行业行业经验证
MT53D1G32D4NQ-062 WT ES：d	-	RFQ	5694	微米技术公司	-	大部分	过时的	-30°C〜85°C（TC）			MT53D1G32	sdram- lpddr4	1.1V		-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,360	1.6 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-
MT58L256L18F1T-8.5Ittr	4.9900	RFQ	15	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	500	100 MHz	易挥发的	4Mbit	8.5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
SM662GXD BFST	44.9200	RFQ	5	硅运动，Inc。	Ferri-Emmc®	托盘	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	100-LBGA	SM662	Flash -nand（slc），闪光灯-NAND（tlc）	-	100-BGA （14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	EMMC	-
CY62137FV30LL-45ZSXIT	5.6500	RFQ	1	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY62137	sram-异步	2.2v〜3.6V	44-TSOP II	下载							54		易挥发的	2Mbit	45 ns	SRAM	128K x 16	平行线	45ns	未行业行业经验证
EM6GD08EWAHH-10IH	3.5028	RFQ	5807	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	EM6GD08	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-FBGA（7.5x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2174-EM6GD08EWAHH-10IHTR	Ear99	8542.32.0036	2,500	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
S70KL1282DPBHA020	8.2250	RFQ	1750	Infineon技术	HyperRAM™KL	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-vbga		PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	24-fbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B2A	8542.32.0041	3,380	166 MHz	易挥发的	128mbit	36 NS	PSRAM	16m x 8	超肥	36ns
GS81302T18GE-350I	220.9200	RFQ	4549	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜100°C（TJ）	表面安装	165-LBGA	GS81302T18	sram-四边形端口，同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FPBGA（15x17）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS81302T18GE-350I	3A991B2B	8542.32.0041	10	350 MHz	易挥发的	144Mbit		SRAM	8m x 18	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²