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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包装	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
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CY7C1413UV18-300BZXC	-	RFQ	1136	Infineon技术	-	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1413	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	300 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	2m x 18	平行	-
CY7C1414SV18-167BZC	-	RFQ	1987	Infineon技术	-	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1414	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	167 MHz	挥发性	36mbit		SRAM	1m x 36	平行	-
CY7C1512UV18-267BZI	-	RFQ	3465	Infineon技术	-	包	过时	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1512	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	-CY7C1512UV18	3A991B2A	8542.32.0041	1	267 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行	-
CY7C1515SV18-167BZC	-	RFQ	5181	Infineon技术	-	袋子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1515	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	-CY7C1515SV18	3A991B2A	8542.32.0041	1	167 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行	-
CY14B101Q2-LHXI	13.5100	RFQ	6199	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	CY14B101	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	308	40 MHz	非易失性	1Mbit		NVSRAM	128K x 8	spi	-
CY14B104M-ZSP25XI	34.0725	RFQ	8120	Infineon技术	-	托盘	活跃	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY14B104	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,080		非易失性	4Mbit	25 ns	NVSRAM	256K x 16	平行线	25ns
CY14B104NA-ZSP45XI	31.1300	RFQ	1	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY14B104	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	108		非易失性	4Mbit	45 ns	NVSRAM	256K x 16	平行	45ns
CY14B108L-ZS25XI	80.3425	RFQ	2425	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY14B108	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-CY14B108L-ZS25XI	3A991B2A	8542.32.0041	1,350		非易失性	8mbit	25 ns	NVSRAM	1m x 8	平行线	25ns
CY14B108N-BA45XI	53.0800	RFQ	2330	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY14B108	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-fbga（6x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	299		非易失性	8mbit	45 ns	NVSRAM	512k x 16	平行线	45ns
CY7C1312CV18-250BZI	-	RFQ	7852	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1312	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	250 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	1m x 18	平行线	-
DS1220AB-1220+	13.8700	RFQ	92	ADI/MAXIM集成	-	管	过时	0°C〜70°C（TA）	通过洞	24 DIP 模块（0.600英寸，15.24毫米）	DS1220A	NVSRAM（SRAM）	4.75V〜5.25V	24-Edip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	14		非易失性	16kbit	120 ns	NVSRAM	2k x 8	平行线	120ns
DS1225AD-170+	21.7889	RFQ	4650	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	28 DIP 模块（ 0.600英寸，15.24毫米）	DS1225A	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-Edip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-4941-DS1225AD-170+	Ear99	8542.32.0041	12		非易失性	64kbit	170 ns	NVSRAM	8k x 8	平行线	170ns
M25P80-VMN6TP TR	-	RFQ	6444	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M25P80	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500	75 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	spi	15ms，5ms
DS2431P-A1+	3.6200	RFQ	4	ADI/MAXIM集成	汽车，AEC-Q100	管	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	6-SMD，J-Lead	DS2431	EEPROM	-	6-TSOC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	120		非易失性	1kbit	2 µs	EEPROM	256 x 4	1-Wire®	-
DS2431G+T＆r	1.9500	RFQ	2423	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	2-sfn	DS2431	EEPROM	-	2-sfn（6x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500		非易失性	1kbit	2 µs	EEPROM	256 x 4	1-Wire®	-
MT29F2G08ABDHC-ET：D Tr	-	RFQ	1139	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（10.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	-
MT29F2G16AADWP：D Tr	-	RFQ	8398	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F2G16	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	2Gbit		闪光	128m x 16	平行	-
MT29F2G16ABDHC：d tr	-	RFQ	9580	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G16	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（10.5x13）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	2Gbit		闪光	128m x 16	平行线	-
MT29F4G08AACWC：c tr	-	RFQ	5966	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行	-
MT29F4G08AACWC-ET：c tr	-	RFQ	5868	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行	-
MT29F4G08ABCHC-ET：c tr	-	RFQ	1973	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（10.5x13）	-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
MT41J64M16LA-187E：b tr	-	RFQ	6343	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-FBGA	MT41J64M16	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA（9x15.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	533 MHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	64m x 16	平行线	-
MT46H1M32LFCM-6 IT：b tr	-	RFQ	4842	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT46H16M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-VFBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	15ns
MT46H16M32LFCM-6：b tr	-	RFQ	2315	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT46H16M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-VFBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	挥发性	512Mbit	5 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	15ns
MT48H16M32LFCM-75：b tr	-	RFQ	3073	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48H16M32	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	90-VFBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	15ns
MT48LC16M8A2BB-7E：G Tr	-	RFQ	5222	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-FBGA	MT48LC16M8A2	Sdram	3v〜3.6V	60-FBGA（8x16）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 8	平行线	14ns
DS1249AB-70IND＃	70.5456	RFQ	9815	ADI/MAXIM集成	-	管	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	32 滴模块（0.600英寸，15.24毫米）	DS1249AB	NVSRAM（SRAM）	4.75V〜5.25V	32-Edip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	9		非易失性	2Mbit	70 ns	NVSRAM	256K x 8	平行线	70NS
DS1249W-100＃	-	RFQ	4519	ADI/MAXIM集成	-	管	过时	0°C〜70°C（TA）	通过洞	32 滴模块（0.600英寸，15.24毫米）	DS1249W	NVSRAM（SRAM）	3v〜3.6V	32-Edip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	9		非易失性	2Mbit	100 ns	NVSRAM	256K x 8	平行	100ns
DS1249Y-100＃	65.7200	RFQ	8	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	32 滴模块（0.600英寸，15.24毫米）	DS1249Y	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	32-Edip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DS1249Y100	3A991B2A	8542.32.0041	9		非易失性	2Mbit	100 ns	NVSRAM	256K x 8	平行线	100ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²