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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | 647873-B21-C | 36.2500 | ![]() | 4729 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-647873-B21-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | NDS38PT5-20ET TR | 2.4786 | ![]() | 9428 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 1982-NDS38PT5-20ETTR | 1,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | MT53D2G32D8QD-053 WT ES:e | - | ![]() | 5666 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | MT53D2G32 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 64Gbit | 德拉姆 | 2G x 32 | - | - | |||||||||
![]() | 47C04T-E/SN | 0.8400 | ![]() | 3536 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 47C04 | Eeprom,Sram | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 1 MHz | 非易失性 | 4Kbit | 400 ns | 埃拉姆 | 512 x 8 | i²c | 1ms | ||||
![]() | S34ML01G200TFB003 | - | ![]() | 4236 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | S34ML01 | - | Rohs符合条件 | 3(168)) | 2120-S34ML01G200TFB003 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||
![]() | MT29F4T08GMLCEJ4:c | 78.1500 | ![]() | 4679 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4:c | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | FM24C128LN | 0.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | FM24C128 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8点 | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | 非易失性 | 128kbit | 3.5 µs | EEPROM | 16k x 8 | i²c | 6ms | |||
![]() | CY62157G18-55BVXI | 13.1075 | ![]() | 1410 | 0.00000000 | Infineon技术 | MOBL® | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62157 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 8mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | T0H92AA-C | 41.0000 | ![]() | 9618 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-T0H92AA-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 7134SA55J | - | ![]() | 3726 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 52-lcc(j-lead) | 7134SA | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 24 | 易挥发的 | 32kbit | 55 ns | SRAM | 4K x 8 | 平行线 | 55ns | ||||
IS43DR16128C-3DBLI | 11.9772 | ![]() | 2240 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS43DR16128 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1569 | Ear99 | 8542.32.0036 | 209 | 333 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 450 ps | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | 24AA04SC-I/S16K | - | ![]() | 1149 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 死 | 24AA04 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 400 kHz | 非易失性 | 4Kbit | 900 ns | EEPROM | 256 x 8 x 2 | i²c | 5ms | |||
![]() | MT25TL512BAA1ESF-0AAT | - | ![]() | 9864 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MT25TL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-SOP2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | spi | 8ms,2.8ms | |||||
S29PL064J70BFW072 | 5.8150 | ![]() | 2527 | 0.00000000 | Infineon技术 | PL-J | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-VFBGA | S29PL064 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-FBGA(9x7) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 800 | 非易失性 | 64mbit | 70 ns | 闪光 | 4m x 16 | 平行线 | 70NS | |||||
![]() | 7018S12PF | - | ![]() | 2647 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 上次购买 | - | 800-7018S12PF | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | IS45S32200L-7BLA2 | 6.3035 | ![]() | 3933 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS45S32200 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 2m x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | SNPVT8FPC/4G-C | 19.7500 | ![]() | 3994 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-SNPVT8FPC/4G-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MT53D6DABE-DC | - | ![]() | 2172 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 在sic中停产 | - | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1,360 | |||||||||||||||||||||
MT46H32M16LFBF-5 IT:c tr | 5.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-vfbga | MT46H32M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-vfbga(8x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5 ns | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | AS7C256A-20JCNTR | 2.2706 | ![]() | 8595 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | AS7C256 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-soj | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 256kbit | 20 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 20NS | ||||
![]() | S29GL512T11DHV023 | 10.1850 | ![]() | 8999 | 0.00000000 | Infineon技术 | GL-T | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(9x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,200 | 非易失性 | 512Mbit | 110 ns | 闪光 | 64m x 8 | 平行线 | 60ns | ||||
![]() | 71V67703S75BG | 26.1188 | ![]() | 9916 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71v67703 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 117 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 7.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | 647650-171-C | 62.5000 | ![]() | 6393 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-647650-171-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | W25Q32JVTBIQ TR | 0.9450 | ![]() | 1730 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | W25Q32 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 3ms | ||||
![]() | MT29F64G08CBCBBH1-10:b tr | - | ![]() | 1687年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-vbga | MT29F64G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MP2666RB/8G-C | 135.0000 | ![]() | 4971 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-MP2666RB/8G-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 48L256-i/sn | - | ![]() | 2449 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 48L256 | Eeprom,Sram | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 150-48L256-i/sn | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 66 MHz | 非易失性 | 256kbit | 埃拉姆 | 32K x 8 | spi | - | ||||
![]() | IS42S32800J-6TL | 6.9700 | ![]() | 661 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) | IS42S32800 | Sdram | 3v〜3.6V | 86-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | IS25LP040E-JNLA3-Tr | 0.4861 | ![]() | 6284 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 闪存-SLC) | 2.3v〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25LP040E-JNLA3-TR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 8 ns | 闪光 | 512k x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 40µs,1.2ms | ||||||
IDT71V256SA20YI | - | ![]() | 2082 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | IDT71V256 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 28-soj | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 71V256SA20YI | Ear99 | 8542.32.0041 | 27 | 易挥发的 | 256kbit | 20 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 20NS |
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