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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
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AT25010B-XHL-T	0.3200	RFQ	7882	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	活跃	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	AT25010	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	20 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8	spi	5ms
AT25010B-SSHL-T	0.3200	RFQ	98	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT25010	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	4,000	20 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8	spi	5ms
AT25010B-SSHL-B	0.3200	RFQ	2	微芯片技术	-	管	活跃	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT25010	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	AT25010BSSHLB	Ear99	8542.32.0051	100	20 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8	spi	5ms
AT25010B-MAHL-T	0.3400	RFQ	1	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	AT25010	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-udfn（2x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	20 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8	spi	5ms
AT24C256C-SSHL-T	0.8400	RFQ	14	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	活跃	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT24C256C	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	4,000	1 MHz	非易失性	256kbit	550 ns	EEPROM	32K x 8	i²c	5ms
AT25020B-XHL-T	0.3400	RFQ	7888	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	AT25020	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	20 MHz	非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8	spi	5ms
AT25040B-SSHL-B	0.3600	RFQ	1328	微芯片技术	-	管	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT25040	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	20 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	spi	5ms
CAT24C02WE-GT3	-	RFQ	8821	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT24C02	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
CAT24C02YE-GT3A	-	RFQ	1282	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	CAT24C02	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
CAT24C02YI-GT3A	-	RFQ	7140	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	CAT24C02	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
CAT34C02VP2IGT4A	0.5900	RFQ	15	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	CAT34C02	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-tdfn （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	4,000	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
CY62128BNLL-55ZXI	-	RFQ	2213	Infineon技术	MOBL®		过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	CY62128	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	55 ns	SRAM	128K x 8	平行	55ns
CY7C1049BNL-17VC	-	RFQ	1211	Infineon技术	-	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	36-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	CY7C1049	sram-异步	4.5V〜5.5V	36-SOJ	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		挥发性	4Mbit	17 ns	SRAM	512k x 8	平行线	17ns
CY7C1354SV25-166BZC	-	RFQ	4432	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1354	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-FBGA（13x15）	-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	166 MHz	易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行	-
CY7C188-20VC	-	RFQ	2492	Infineon技术	-	管	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	CY7C188	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	288kbit	20 ns	SRAM	32k x 9	平行线	20NS
CY7C1414SV18-250BZC	-	RFQ	5051	Infineon技术	-	包	过时	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1414	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	250 MHz	挥发性	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-
CY7C1415SV18-250BZC	-	RFQ	1233	Infineon技术	-	包	过时	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1415	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行	-
CY7C1380C-167BZI	-	RFQ	1371	Infineon技术	-	包	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1380	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	167 MHz	易挥发的	18mbit	3.4 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
AT24C256C-MAHL-T	0.8700	RFQ	5991	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	AT24C256C	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-udfn（2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	1 MHz	非易失性	256kbit	550 ns	EEPROM	32K x 8	i²c	5ms
CY7C194BN-15VC	-	RFQ	8460	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	24-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	CY7C194	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-SOJ	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	15 ns	SRAM	64k x 4	平行线	15ns
CY7C109BNL-15VC	-	RFQ	5600	Infineon技术	-	管子	过时	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	CY7C109	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		挥发性	1Mbit	15 ns	SRAM	128K x 8	平行	15ns
CY7C025-25AC	-	RFQ	7382	Infineon技术	-	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C025	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	128kbit	25 ns	SRAM	8k x 16	平行	25ns
CY7C027V-20AC	-	RFQ	3731	Infineon技术	-	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C027	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	512kbit	20 ns	SRAM	32k x 16	平行线	20NS
CY7C144-55JC	-	RFQ	7510	Infineon技术	-		过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	CY7C144	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.23x24.23）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	64kbit	55 ns	SRAM	8k x 8	平行线	55ns
CY62148VNLL-70ZSXI	-	RFQ	3045	Infineon技术	MOBL®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	CY62148	sram-异步	2.7V〜3.6V	32-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		挥发性	4Mbit	70 ns	SRAM	512k x 8	平行线	70NS
CY62148VNBLL-70BAI	-	RFQ	9832	Infineon技术	MOBL®	袋子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-vfbga	CY62148	sram-异步	2.7V〜3.6V	36-vfbga（6x8）	-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	70 ns	SRAM	512k x 8	平行	70NS
CY7C1297S-133AXC	-	RFQ	5191	Infineon技术	-	袋子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1297	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	1Mbit		SRAM	64k x 18	平行	-
CY7C1351S-133AXC	-	RFQ	9529	Infineon技术	-	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1351	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	6.5 ns	SRAM	128K x 36	平行	-
CY7C1350S-133AXC	6.6675	RFQ	6440	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1350	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²