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内存（（70838）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
NAND512WA0AV6E	-	RFQ	5716	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-ufsop （0.606英寸，15.40mm）	Nand512	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-WSOP（12x17）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	576		非易失性	512Mbit	50 ns	闪光	64m x 8	平行线	50ns
71V67903S85BQI8	28.5570	RFQ	3308	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v67903	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	87 MHz	易挥发的	9Mbit	8.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
IS43LR16800F-6BL-TR	-	RFQ	4632	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43LR16800	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,000	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
7026S25JI8	-	RFQ	3717	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-LCC（j-lead）	7026S25	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	84-PLCC （29.31x29.31）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	200		易挥发的	256kbit	25 ns	SRAM	16k x 16	平行线	25ns
CY7C131-55NC	-	RFQ	9869	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-BQFP	CY7C131	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PQFP（10x10）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	8kbit	55 ns	SRAM	1k x 8	平行线	55ns
MT53B256M64D2TG-062 XT：c	-	RFQ	9197	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜105°C（TC）	-	-	MT53B256	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	960	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	-	-
SST39VF400A-70-4I-EKE-T	2.6700	RFQ	811	微芯片技术	SST39 MPF™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	SST39VF400	闪光	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Mbit	70 ns	闪光	256K x 16	平行线	20µs
93LC66X-i/sn	0.7350	RFQ	5825	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	93LC66	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	2 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8，256 x 16	微线	10ms
MT62F1536M32D4DS-023 AAT：b tr	47.8950	RFQ	9320	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	-	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1536M32D4DS-023AAT：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	768m x 64	平行线	-
GD25Q40EIGR	0.3619	RFQ	9407	gigadevice 半导体（香）	GD25Q	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-xfdfn暴露垫		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-uson（3x2）	下载				1970-GD25Q40EEIGRTR			3,000	133 MHz	非易失性	4Mbit	7 ns	闪光	512k x 8	Spi -Quad I/O。	70µs，2ms
mtfc32gjted-it	-	RFQ	5535	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	169-VFBGA	mtfc32g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	169-VFBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
71V321S35PF8	-	RFQ	1059	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	71v321s	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	64-TQFP （14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	16kbit	35 ns	SRAM	2k x 8	平行线	35ns
CY7C1460KV25-200BZXI	78.9300	RFQ	757	赛普拉斯半导体公司	NOBL™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1460	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规		供应商不确定				10	200 MHz	易挥发的	36mbit	3.2 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
11AA020T-I/CS16K	-	RFQ	1029	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	4-ufbga，CSPBGA	11AA020	EEPROM	1.8V〜5.5V	4-CSP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	100 kHz	非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8	单线	5ms
AS5F34G04SNDB-08LIN	9.2600	RFQ	352	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-wlga		Flash -nand（slc）	3v〜3.6V	8-LGA（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1450-AS5F34G04SNDB-08LIN			352	120 MHz	非易失性	2Gbit	7.5 ns	闪光	512m x 4	Spi -Quad I/O。	700µs
S25FL064LABNFB013	2.9050	RFQ	4819	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，fl-l	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	S25FL064	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
MX29GL128EDXFI-11G	4.8440	RFQ	5502	大元	MX29GL	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA，CSPBGA	MX29GL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-LFBGA，CSP （11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	144		非易失性	128mbit	110 ns	闪光	16m x 8	平行线	90NS
23A1024T-i/st	2.7450	RFQ	1784年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	23A1024	SRAM	1.7V〜2.2V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	2,500	20 MHz	易挥发的	1Mbit		SRAM	128K x 8	Spi -Quad I/O。	-
MT28EW256ABA1HPC-1SIT	-	RFQ	2858	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	MT28EW256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-lbga（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,104		非易失性	256Mbit	75 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	60ns
IS25WQ040-JKLE	-	RFQ	2951	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	IS25WQ040	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	570	104 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	spi	1ms
M27W102-80K6	-	RFQ	2831	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-LCC	M27W102	EPROM -OTP	2.7V〜3.6V	44-PLCC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0061	580		非易失性	1Mbit	80 ns	EPROM	64k x 16	平行线	-
MX25U32356ZNI02	0.6849	RFQ	6919	大元	MXSMIO™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-wson（6x5）	-		3（168））		1092-MX25U32356ZNI02			570	133 MHz	非易失性	32Mbit	6 ns	闪光	1m x 32m2m x 16,4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	350µs，3ms
S25FL256LAGBHV030Y	5.6700	RFQ	307	跨度	fl-l	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B1A	8542.32.0071	1	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
CY7C1645KV18-400BZXI	319.9600	RFQ	58	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1645	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载							1	400 MHz	易挥发的	144Mbit		SRAM	4m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
S29GL064N90TFI073	-	RFQ	2515	Infineon技术	GL-N	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL064	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64mbit	90 ns	闪光	4m x 16	平行线	90NS
AT49F040-90VC	-	RFQ	3593	微芯片技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TC）	表面安装	32-tfsop （0.488“，12.40mm宽度）	AT49F040	闪光	4.5V〜5.5V	32-VSOP	-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	AT49F04090VC	Ear99	8542.32.0071	208		非易失性	4Mbit	90 ns	闪光	512k x 8	平行线	50µs
MT46H16M16LFBF-6：a tr	-	RFQ	6278	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H16M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	12ns
CY7C09569V-100BBC	-	RFQ	5852	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	172-LBGA	CY7C09569	sram-双端口，同步	3v〜3.6V	172-FBGA（15x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	126	100 MHz	易挥发的	576kbit	5 ns	SRAM	16k x 36	平行线	-
MT29F8G16ADAH4-IT：d	-	RFQ	3599	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F8G16	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	8Gbit		闪光	512m x 16	平行线	-
S25FL128SAGBHVA00	4.5200	RFQ	4546	Infineon技术	fl-s	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	338	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70838）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²