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内存（（70838）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	可编程类型	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
GD25LD20EEIGR	0.2783	RFQ	8063	gigadevice 半导体（香）	GD25LD	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-xfdfn暴露垫		闪存-SLC）		1.65V〜2V	8-uson（3x2）	下载				1970-GD25LD20EEIGRTR			3,000	50 MHz		非易失性	2Mbit	12 ns	闪光	256K x 8	spi-双i/o	100µs，6ms
70V09S15PF	-	RFQ	8051	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买									-				800-70V09S15PF			1
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AT28HC256E-90JU-T	12.9300	RFQ	1741年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	32-lcc（j-lead）	AT28HC256	EEPROM		4.5V〜5.5V	32-PLCC （11.43x13.97）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	750			非易失性	256kbit	90 ns	EEPROM	32K x 8	平行线	10ms
N25Q008A11ESC40FS01 TR	-	RFQ	9620	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）			N25Q008A11	闪光灯 -也不		1.7V〜2V		-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500	108 MHz		非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	spi	8ms，5ms
IS62WV12816BLL-55B2LI-TR	2.2334	RFQ	3816	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV12816	sram-异步		2.5V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500			易挥发的	2Mbit	55 ns	SRAM	128K x 16	平行线	55ns
CY7C243-25PC	11.9700	RFQ	35	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）			CY7C243	EPROM -OTP		4.5V〜5.5V		下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0071	1			非易失性	32kbit	25 ns	EPROM	4K x 8	平行线	-
CG7327BT	-	RFQ	2128	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
DS1245W-150	-	RFQ	3633	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	32 滴模块（0.600英寸，15.24毫米）	DS1245W	NVSRAM（SRAM）		3v〜3.6V	32-Edip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	11			非易失性	1Mbit	150 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	150ns
GE28F320B3BC90	2.6600	RFQ	19	英特尔	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-BGA	GE28F320B3	闪光		2.7V〜3.6V	48-VFBGA	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1			非易失性	32Mbit	70 ns	闪光	2m x 16	平行线	-
S99-50245 p	-	RFQ	3540	Infineon技术	-	托盘	过时的									-	rohs3符合条件		到达不受影响		过时的		1
24LC024T-E/MNY	0.5100	RFQ	2570	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	24LC024	EEPROM		2.5V〜5.5V	8-tdfn （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	400 kHz		非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
CY62147GE30-45ZSXIT	6.5100	RFQ	8084	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY62147	sram-异步		2.2v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000			易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns
AT24C04C-SSHM-B	0.3000	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT24C04	EEPROM		1.7V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	AT24C04CSSHMB	Ear99	8542.32.0051	100	1 MHz		非易失性	4Kbit	550 ns	EEPROM	512 x 8	i²c	5ms
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CY7C1372DV25-167AXCT	-	RFQ	3216	Infineon技术	NOBL™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1372	sram-同步，sdr		2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	750	167 MHz		易挥发的	18mbit	3.4 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
AT49LV001NT-90TI	-	RFQ	2016	微芯片技术	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	AT49LV001	闪光		3v〜3.6V	32-tsop	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	AT49LV001NT90TI	Ear99	8542.32.0071	156			非易失性	1Mbit	90 ns	闪光	128K x 8	平行线	50µs
PC28F00AP30BFB TR	-	RFQ	3463	微米技术公司	Axcell™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	PC28F00A	闪光灯 -也不		1.7V〜2V	64- easybga（8x10）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	2,000	52 MHz		非易失性	1Gbit	100 ns	闪光	64m x 16	平行线	100ns
S34ML01G200TFI503	-	RFQ	6026	赛普拉斯半导体公司	ML-2	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S34ML01	闪存-NAND		2.7V〜3.6V	48-TSOP	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000			非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	25ns
24AA16SC-I/WF16K	-	RFQ	8904	微芯片技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	死	24AA16	EEPROM		1.7V〜5.5V	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	400 kHz		非易失性	16kbit	900 ns	EEPROM	2k x 8	i²c	5ms
BR24C32-MN6TP	-	RFQ	2126	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BR24C32	EEPROM		4.5V〜5.5V	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	400 kHz		非易失性	32kbit		EEPROM	4K x 8	i²c	5ms
upd46184182bf1-e33y-eq1-a	42.0700	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1
AT28C256E-15TI	-	RFQ	1993	微芯片技术	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	AT28C256	EEPROM		4.5V〜5.5V	28-tsop	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	AT28C256E15TI	Ear99	8542.32.0051	234			非易失性	256kbit	150 ns	EEPROM	32K x 8	平行线	10ms
AT25EU0011A-SSHN-T	0.2800	RFQ	5608	Renesas设计德国GMBH	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT25EU0011A	闪光灯 -也不		1.65V〜3.6V	8-SOIC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			3A991B1A	8542.32.0051	4,000	85 MHz		非易失性	1Mbit		闪光	128K x 8	Spi -Quad I/O，QPI	8ms
93C66BT-E/OT	0.4050	RFQ	3302	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	SOT-23-6	93c66b	EEPROM		4.5V〜5.5V	SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	93C66BT-E/OT-NDR	Ear99	8542.32.0051	3,000	2 MHz		非易失性	4Kbit		EEPROM	256 x 16	微线	2ms
AT49LV001-90JI	-	RFQ	7697	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	32-lcc（j-lead）	AT49LV001	闪光		3v〜3.6V	32-PLCC （13.97x11.43）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	32			非易失性	1Mbit	90 ns	闪光	128K x 8	平行线	50µs
EPCQ16SI8N	-	RFQ	7814	英特尔	EPCQ	管子	过时的	-40°C〜85°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	EPCQ16		经过验证	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载		3（168））	到达不受影响		3A991B1B1	8542.32.0071	100		在系统可编程中		16MB
M29W800DB45ZE6F TR	-	RFQ	1885年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	M29W800	闪光灯 -也不		2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500			非易失性	8mbit	45 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	45ns
MT29F8T08GULCEM4-QB：c	156.3000	RFQ	4479	微米技术公司	-	盒子	积极的									-				557-MT29F8T08GULCEM4-QB：c			1
M29W800DB70N6	-	RFQ	8386	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W800	闪光灯 -也不		2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	96			非易失性	8mbit	70 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	70NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70838）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²