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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS43LR16400B-6BLI	-	RFQ	1855年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43LR16400	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	300	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	15ns
MT29F8G01ADAFD12-IT：f tr	-	RFQ	9824	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT29F8G01	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））		MT29F8G01ADAFD12-IT：ftr	过时的	8542.32.0071	2,000	83 MHz	非易失性	8Gbit		闪光	8g x 1	spi	-
70T3599S200BC8	236.2549	RFQ	8721	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	256-LBGA	70T3599	sram-双端口，同步	2.4v〜2.6V	256-cabga（17x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.4 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
IS42VM16320E-6BLI	8.6117	RFQ	6990	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42VM16320	sdram-移动	1.7V〜1.95V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	348	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
MT40A512M8RH-083E：b tr	-	RFQ	4444	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A512M8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-FBGA（9x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））		MT40A512M8RH-083E：BTR	过时的		2,000	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit	19 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
MT46H32M16LFBF-6：b tr	-	RFQ	9627	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H32M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
70V05L20PFGI8	42.4681	RFQ	5143	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LQFP	70V05L	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	64-TQFP （14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	64kbit	20 ns	SRAM	8k x 8	平行线	20NS
MT53D1G32D4BD-053 WT ES：d	-	RFQ	9774	微米技术公司	-	大部分	过时的	-30°C〜85°C（TC）			MT53D1G32	sdram- lpddr4	1.1V		-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,360	1.866 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-
IS42S32200E-7TL	-	RFQ	1585年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32200	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
MT53B192M32D1Z0AMWC1	-	RFQ	2800	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜85°C（TC）	-	-	MT53B192	sdram- lpddr4	1.1V	-	-		（1 （无限）			Ear99	8542.32.0036	1		易挥发的	6Gbit		德拉姆	192m x 32	-	-
MX77L25650FMI42A	3.3592	RFQ	8500	大元	-	管子	积极的								-		3（168））		1092-MX77L25650FMI42A			44
W25Q64FWSTIG TR	-	RFQ	3351	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	W25Q64	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-VSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	3,000	104 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	5ms
W978H2KBQX2E	-	RFQ	8098	Winbond电子产品	-	托盘	过时的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	168-WFBGA	W978H2	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	168-WFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	168	400 MHz	易挥发的	256Mbit		德拉姆	8m x 32	平行线	15ns
SM671PBB-AFSS	-	RFQ	6153	硅运动，Inc。	Ferri-Ufs™	托盘	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	153-TFBGA	SM671	Flash -nand（slc），闪光灯-NAND（tlc）	-	153-BGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1984-SM671PBB-AFSS			1		非易失性	80Gbit		闪光	10g x 8	UFS2.1	-
IDT70825L25G	-	RFQ	2287	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	84-BPGA	IDT70825	萨拉姆	4.5V〜5.5V	84-PGA （27.94x27.94）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	70825L25G	Ear99	8542.32.0041	3		易挥发的	128kbit	25 ns	内存	8k x 16	平行线	25ns
MX25U40356M1I02	0.3460	RFQ	7642	大元	MXSMIO™	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-sop	-		3（168））		1092-MX25U40356M1I02			98	133 MHz	非易失性	4Mbit	6 ns	闪光	1m x 4，2m x 2，4m x 1	Spi -Quad I/O，QPI	40µs，3ms
IS61LF51236A-7.5B3LI-Tr	-	RFQ	6602	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61LF51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
MT53E128M32D2DS-046自动：a	12.1200	RFQ	1	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53E128	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53E128M32D2DS-046AUT：a	Ear99	8542.32.0036	1,360	2.133 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	128m x 32	-	-
IS46R16320D-5TLA1-Tr	9.1050	RFQ	3747	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS46R16320	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
U6264BS2C07LLG1TR	-	RFQ	1305	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-SOIC （0.330英寸，8.38毫米宽）	U6264	sram-异步	4.5V〜5.5V	28 SOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	64kbit	70 ns	SRAM	8k x 8	平行线	70NS
N25Q064A13E12D1F TR	-	RFQ	6068	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	N25Q064A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	2,500	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	16m x 4	spi	8ms，5ms
MT29F8T08EWLGEM5-ITF：g tr	304.1700	RFQ	5173	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F8T08EWLGEM5-ITF：GTR			1,500
W25Q32FWZPIG	-	RFQ	9554	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q32	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	570	104 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，5ms
IS62WV12816BLL-45TLI-TR	2.9945	RFQ	7008	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS62WV12816	sram-异步	2.5V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	2Mbit	55 ns	SRAM	128K x 16	平行线	55ns
GD5F1GQ5REYIHY	2.3962	RFQ	9242	gigadevice 半导体（香）	GD5F	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		Flash -nand（slc）	1.7V〜2V	8-wson（6x8）	-				1970-GD5F1GQ5REYIHY			4,800	104 MHz	非易失性	1Gbit	9.5 ns	闪光	256m x 4	Spi -Quad I/O，Dtr	600µs
7130SA55TFI	-	RFQ	4928	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LQFP	7130SA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP（10x10）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	160		易挥发的	8kbit	55 ns	SRAM	1k x 8	平行线	55ns
93c76b-i/sn	-	RFQ	9737	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	93C76	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	3 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	512 x 16	微线	2ms
CG6834AM	-	RFQ	1831年	赛普拉斯半导体公司	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
MT29F2G16ABAGAWP-AITES：G	5.0400	RFQ	6094	微米技术公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F2G16	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1		非易失性	2Gbit		闪光	128m x 16	平行线	-
7016S15J8	-	RFQ	1024	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7016S15	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	250		易挥发的	144kbit	15 ns	SRAM	16k x 9	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70838）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²