RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

内存（（70838）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
EM68B08CWAH-25IH	3.4373	RFQ	3070	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	EM68B08	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2174-EM68B08CWAH-25IHTR	Ear99	8542.32.0028	2,000	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT53B512M64D4PV-053 WT ES：c	-	RFQ	7693	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53B512	sdram- lpddr4	1.1V	-	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	840	1.866 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
GD25WQ20Eigr	0.3786	RFQ	8440	gigadevice 半导体（香）	GD25WQ	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-xfdfn暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜3.6V	8-uson（3x2）	下载				1970-GD25WQ20Eigrtr			3,000	104 MHz	非易失性	2Mbit	7 ns	闪光	256K x 8	Spi -Quad I/O。	120µs，4ms
71V65603S100PFG	1.0000	RFQ	9555	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v65603	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	9Mbit	5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-	未行业行业经验证
3TQ40AA-C	240.0000	RFQ	6194	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-3TQ40AA-C	Ear99	8473.30.5100	1
IS42S16160J-7BLI-TR	2.9626	RFQ	4752	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
S29GL032N90TFI030	-	RFQ	5764	Infineon技术	GL-N	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL032	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	32Mbit	90 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	90NS
93LC66BT/SN	0.3600	RFQ	1785年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	93LC66	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	2 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	256 x 16	微线	6ms
MT41K512M16VRN-107 AAT：p tr	21.0750	RFQ	9846	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K512M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT41K512M16VRN-107AAT：PTR	Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
71V256SA15PZG	3.6892	RFQ	5045	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	71v256	sram-异步	3v〜3.6V	28-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	234		易挥发的	256kbit	15 ns	SRAM	32K x 8	平行线	15ns
AT25SF161B-SSHB-T	0.5800	RFQ	5862	Adesto Technologies	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT25SF161	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000	108 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，2.4ms
AS8C801825-QC75N	8.4670	RFQ	3187	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	AS8C801825	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	100	117 MHz	易挥发的	9Mbit	7.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	8.5ns
CY100E422L-7DCQ	7.9400	RFQ	377	赛普拉斯半导体公司	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1
AS4C4M16SA-6BANTR	3.1099	RFQ	4999	联盟记忆，Inc。	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	AS4C4M16	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	2NS
SMJ4464-12JDL	19.3300	RFQ	494	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0002	1
MT41DC11TW-V88A TR	-	RFQ	7892	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				MT41DC				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,000
MT48LC4M16A2P-6A AAT：j tr	-	RFQ	8169	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC4M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	12ns
S29GL01GT10FAI020	13.5800	RFQ	5779	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，GL-T	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	360		非易失性	1Gbit	100 ns	闪光	128m x 8	平行线	60ns
71V321L25PFGI8	31.4628	RFQ	1065	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LQFP	71v321l	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	64-TQFP （14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	16kbit	25 ns	SRAM	2k x 8	平行线	25ns
CG5994AT	-	RFQ	5286	赛普拉斯半导体公司	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1
mtfc16gakaejp-5m ait tr	-	RFQ	2849	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	MTFC16	闪存-NAND	1.7V〜1.9V	153-VFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
SNPCRXJ6C/16G-C	56.0000	RFQ	6240	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-SNPCRXJ6C/16G-C	Ear99	8473.30.5100	1
S25FL256LDPBHV020	5.3200	RFQ	2918	Infineon技术	fl-l	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	3,380	66 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
FT24C08A-ELR-T	-	RFQ	8046	Fremont Micro Devices Ltd	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	SC-74A，SOT-753	FT24C08	EEPROM	1.8V〜5.5V	SOT-23-5	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	1 MHz	非易失性	8kbit	550 ns	EEPROM	1k x 8	i²c	5ms
AS7C32096A-20Tintr	4.4831	RFQ	8773	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	AS7C32096	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	2Mbit	20 ns	SRAM	256K x 8	平行线	20NS
CY7C09389V-9AXI	-	RFQ	9918	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C09389	sram-双端口，同步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	90	67 MHz	易挥发的	1.152Mbit	9 ns	SRAM	64k x 18	平行线	-
MX77U25650FZ4I42	3.6176	RFQ	1696年	大元	-	托盘	积极的								-		3（168））		1092-MX77U25650FZ4I42			480
MT48V8M32LFF5-8 IT	-	RFQ	7536	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48V8M32	sdram- lpsdr	2.3v〜2.7V	90-vfbga（8x13）	-	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	125 MHz	易挥发的	256Mbit	7 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	15ns
CY62167DV30LL-70ZI	-	RFQ	4018	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	CY62167	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-tsop i	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	16mbit	70 ns	SRAM	1m x 16,2m x 8	平行线	70NS
S34ML02G200BHI003	-	RFQ	4420	Skyhigh Memory Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产				S34ML02				-	Rohs符合条件	3（168））		2120-S34ML02G200BHI003	3A991B1A	8542.32.0071	2,300									未行业行业经验证

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70838）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²