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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | 控制器类型 | sic可编程 |
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![]() | S34ML04G200TFB000 | - | ![]() | 6664 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | 托盘 | 在sic中停产 | S34ML04 | - | Rohs符合条件 | 3(168)) | 2120-S34ML04G200TFB000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||
![]() | S34ML02G200BHA000 | - | ![]() | 7469 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | 托盘 | 在sic中停产 | S34ML02 | - | Rohs符合条件 | 3(168)) | 2120-S34ML02G200BHA000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||
MX25L51245GXDJ-08G | 6.2250 | ![]() | 7429 | 0.00000000 | 大元 | MXSMIO™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA,CSPBGA | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 24-cspbga(6x8) | - | 3(168)) | 1092-MX25L51245GXDJ-08G | 480 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 5.5 ns | 闪光 | 128m x 4,256m x 2,512m x 1 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 4ms | |||||||||
![]() | AT25SL321-UUE-T | 0.9700 | ![]() | 93 | 0.00000000 | Renesas设计德国GMBH | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-ufbga,WLCSP | AT25SL321 | 闪光 | 1.7V〜2V | 8-wlcsp(1.55x2.28) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 150µs,5ms | |||||
![]() | M5M5V208AKV-70HIST | 8.4300 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | |||||||||||||||||||
![]() | M50FLW080BK5TG TR | - | ![]() | 8271 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -20°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-lcc(j-lead) | M50FLW080 | 闪光灯 -也不 | 3v〜3.6V | 32-PLCC (11.35x13.89) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 750 | 33 MHz | 非易失性 | 8mbit | 250 ns | 闪光 | 1m x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | S29GL01GS12DHVV10 | 16.3100 | ![]() | 236 | 0.00000000 | Infineon技术 | GL-S | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL01 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜3.6V | 64-FBGA(9x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 非易失性 | 1Gbit | 120 ns | 闪光 | 64m x 16 | 平行线 | 60ns | |||||
![]() | S99PL127J0230 p | - | ![]() | 9439 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | - | - | - | - | - | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | - | - | - | - | - | ||||||||
![]() | A82385-20 | 68.8600 | ![]() | 495 | 0.00000000 | 英特尔 | 386™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜85°C(TC) | 通过洞 | 132-BCPGA | 4.75V〜5.25V | 132-CPGA (36.8x36.8) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 控制器集线器 | |||||||||||||
![]() | M29W010B70N1 | - | ![]() | 6108 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) | M29W010 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 32-tsop | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 156 | 非易失性 | 1Mbit | 70 ns | 闪光 | 128K x 8 | 平行线 | 70NS | |||||
![]() | MD51C68-35/b | 24.7500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 英特尔 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 24AA08/WF15K | - | ![]() | 6434 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 死 | 24AA08 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 400 kHz | 非易失性 | 8kbit | 900 ns | EEPROM | 256 x 8 x 4 | i²c | 5ms | ||||
![]() | 93LC56CT-E/MNY | 0.4950 | ![]() | 9150 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | 93LC56 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-tdfn (2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 3 MHz | 非易失性 | 2kbit | EEPROM | 256 x 8,128 x 16 | 微线 | 6ms | |||||
R1LV5256ESA-5SI #B0 | - | ![]() | 3923 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | R1LV5256 | SRAM | 2.7V〜3.6V | 28-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -R1LV5256ESA-5SI #B0 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 55 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 55ns | |||||
![]() | BR93G46FVJ-3GTE2 | 0.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | BR93G46 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-TSSOP-BJ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 3 MHz | 非易失性 | 1kbit | EEPROM | 64 x 16 | 微线 | 5ms | |||||
![]() | MT46V32M16TG-75E:c tr | - | ![]() | 5255 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V32M16 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP | - | Rohs不合规 | 4 (72小时) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 750 PS | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | GD25LQ05CTIGR | - | ![]() | 9059 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | GD25LQ05 | 闪光灯 -也不 | 1.65v〜2.1V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 512kbit | 闪光 | 64k x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs,2.4ms | |||||
![]() | BR24L16FVT-WE2 | 0.6003 | ![]() | 6345 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | BR24L16 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-TSSOP-B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 非易失性 | 16kbit | EEPROM | 2k x 8 | i²c | 5ms | |||||
![]() | CY7C195B-12VC | 8.5200 | ![]() | 142 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 24-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C195 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 24-SOJ | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 12 ns | SRAM | 64k x 4 | 平行线 | 12ns | |||||
![]() | AT28HC256-90FM/883 | 263.8400 | ![]() | 1727年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 28-clatpack | AT28HC256 | EEPROM | 4.5V〜5.5V | 28-flatpack,陶瓷底玻璃 | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A001A2C | 8542.32.0051 | 15 | 非易失性 | 256kbit | 90 ns | EEPROM | 32K x 8 | 平行线 | 10ms | |||||
GT28F320C3BA100SB93 | 2.4800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 英特尔 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | GT28F320C3 | 闪光灯 -引导块 | 2.7V〜3.6V | 48 µBGA CSP | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 823207 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 | 非易失性 | 32Mbit | 100 ns | 闪光 | 2m x 16 | 平行线 | 100ns | ||||||
MT40A4G4VA-062EPS:b | - | ![]() | 1343 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 78-fbga(10x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 557-MT40A4G4VA-062EPS:b | 过时的 | 1,520 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 19 ns | 德拉姆 | 4G x 4 | 平行线 | 15ns | ||||||
![]() | MT53D512M64D8HR-053 wt:b | - | ![]() | 5920 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 366-WFBGA | MT53D512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 366-WFBGA(12x12.7) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 512m x 64 | - | - | |||||
![]() | FT24C04A-KSR-T | - | ![]() | 6347 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FT24C04 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-sop | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 1 MHz | 非易失性 | 4Kbit | 550 ns | EEPROM | 512 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | S29PL032J60BFI120 | - | ![]() | 6023 | 0.00000000 | 跨度 | PL-J | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | S29PL032 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-FBGA(8.15x6.15) | 下载 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 32Mbit | 60 ns | 闪光 | 2m x 16 | 平行线 | 60ns | ||||||||
![]() | 7007L25PF8 | - | ![]() | 7023 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 80-LQFP | 7007L25 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 80-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 易挥发的 | 256kbit | 25 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 25ns | |||||
![]() | mtfc64gapakea-wt | - | ![]() | 9268 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 托盘 | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-WFBGA | MTFC64 | 闪存-NAND | - | 153-WFBGA(11.5x13) | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,520 | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | MMC | - | ||||||||
![]() | 709379L9PF8 | - | ![]() | 8489 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 709379L | sram-双端口,同步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 易挥发的 | 576kbit | 9 ns | SRAM | 32K x 18 | 平行线 | - | |||||
![]() | NM27C128Q150 | - | ![]() | 5939 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 28-CDIP (0.600英寸,15.24毫米) | NM27C12 | EPROM -UV | 4.5V〜5.5V | 28-CDIP | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0061 | 12 | 非易失性 | 128kbit | 150 ns | EPROM | 16k x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | QS7025A-25J | 27.5400 | ![]() | 102 | 0.00000000 | 质量半导体 | QS7025A | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | - | QS7025A | SRAM | 5V | - | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 40 MHz | 易挥发的 | 128kbit | 25 ns | SRAM | 8k x 16 | 25ns |
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