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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | 控制器类型 | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | INT70P1781 | - | ![]() | 8438 | 0.00000000 | IBM | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT46H64M32LFCX-6 WT:b | - | ![]() | 2916 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 5 ns | 德拉姆 | 64m x 32 | 平行线 | 15ns | |||||
![]() | MT47H128M4CF-25E:G Tr | - | ![]() | 9573 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 60-TFBGA | MT47H128M4 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga(8x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 128m x 4 | 平行线 | 15ns | |||||
![]() | 70V3379S5PRFI | - | ![]() | 9448 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 128-LQFP | 70v3379 | sram-双端口,同步 | 3.15V〜3.45V | 128-TQFP(14x20) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | 易挥发的 | 576kbit | 5 ns | SRAM | 32K x 18 | 平行线 | - | |||||
![]() | M29F800FT55N3E2 | 4.1600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | M29F800 | 闪光灯 -也不 | 4.5V〜5.5V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-M29F800FT55N3E2 | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 8mbit | 55 ns | 闪光 | 1M x 8,512k x 16 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | IS26KL256S-DABLA100 | - | ![]() | 8656 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 上次购买 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | Hyperflash | 2.7V〜3.6V | 24-vfbga(6x8) | - | 1 | 100 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 96 ns | 闪光 | 32m x 8 | 超肥 | - | ||||||||||
![]() | 25LC080BT-E/MS | 0.8400 | ![]() | 1990 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | 25LC080 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 25LC080BT-E/MS-NDR | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 10 MHz | 非易失性 | 8kbit | EEPROM | 1k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | N25Q008A11ESC40F TR | - | ![]() | 2539 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | N25Q008A11 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | spi | 8ms,5ms | ||||||||
![]() | 24AA02E48T-I/SN | 0.3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 24AA02E48 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | 非易失性 | 2kbit | 900 ns | EEPROM | 256 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | CYD36S36V18-133BBXC | - | ![]() | 2493 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 256-LBGA | CYD36S36 | sram-双端口,同步 | 1.42V〜1.58V,1.7V〜1.9V | 256-FBGA(17x17) | - | rohs3符合条件 | 5(48)(48)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | |||||
AS7C4096A-20TCNTR | 4.7977 | ![]() | 1287 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | AS7C4096 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-TSOP2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 4Mbit | 20 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 20NS | ||||||
![]() | 70V07S25PF8 | - | ![]() | 1428 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 80-LQFP | 70v07 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 80-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 易挥发的 | 256kbit | 25 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 25ns | |||||
![]() | IS46TR16128C-125KBLA25 | 7.0633 | ![]() | 4324 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜115°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46TR16128C-125KBLA25 | 190 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||
![]() | AT49LV002N-70VI | - | ![]() | 5587 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 32-tfsop (0.488“,12.40mm宽度) | AT49LV002 | 闪光 | 3v〜3.6V | 32-VSOP | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 208 | 非易失性 | 2Mbit | 70 ns | 闪光 | 256K x 8 | 平行线 | 50µs | |||||
![]() | F28F020-150 | 2.7500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 英特尔 | - | 托盘 | 积极的 | 表面安装 | 闪光灯 -也不 | 12V | 32-tsop反向 | - | 3277-F28F020-150 | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 非易失性 | 2Mbit | 70 ns | 闪光 | 256K x 8 | 平行线 | 未行业行业经验证 | ||||||||||
S70KL1283GABHV020 | 7.8750 | ![]() | 3373 | 0.00000000 | Infineon技术 | HyperRAM™KL | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | S70KL1283 | PSRAM (伪 SRAM) | 2.7V〜3.6V | 24-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 3,380 | 200 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 35 ns | PSRAM | 16m x 8 | spi -octal I/o | 35ns | ||||||
![]() | IS42SM32200M-6BLI | 3.4978 | ![]() | 6643 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42SM32200 | sdram-移动 | 2.7V〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 2m x 32 | 平行线 | - | ||||
![]() | AT28C16-15SC | - | ![]() | 8909 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TC) | 表面安装 | 24-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | AT28C16 | EEPROM | 4.5V〜5.5V | 24-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 31 | 非易失性 | 16kbit | 150 ns | EEPROM | 2k x 8 | 平行线 | 1ms | |||||
![]() | MT53D384M64D4NY-046 XT ES:d | - | ![]() | 1569年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜105°C(TC) | - | - | MT53D384 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 24Gbit | 德拉姆 | 384m x 64 | - | - | |||||
![]() | DS1314 | - | ![]() | 2814 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | DS1314 | 3v〜3.6V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.31.0001 | 50 | 非易失性公羊 | ||||||||||||
![]() | RC28F640P30T85A | - | ![]() | 1929年 | 0.00000000 | 英特尔 | Strataflash™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-TBGA | RC28F640 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 64- Easybga(10x13) | 下载 | 不适用 | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 864 | 52 MHz | 非易失性 | 64mbit | 85 ns | 闪光 | 4m x 16 | 平行线 | 85ns | ||||||
![]() | CY62147EV30LL-55ZSXE | - | ![]() | 8422 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY62147 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 55ns | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | SST39WF1601-90-4I-B3KE-T | - | ![]() | 5482 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SST39 MPF™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | SST39WF1601 | 闪光 | 1.65V〜1.95V | 48-TFBGA | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 非易失性 | 16mbit | 90 ns | 闪光 | 1m x 16 | 平行线 | 40µs | |||||
![]() | CY62128BNLL-70SXE | 4.9100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC (0.445“,11.30mm宽度) | CY62128 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 62 | 易挥发的 | 1Mbit | 70 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 70NS | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | AT25SF081B-MAHD-T | 0.5400 | ![]() | 8628 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | AT25SF081 | 闪光灯 -也不 | 2.5V〜3.6V | 8-udfn(2x3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 108 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs,2.4ms | ||||||
![]() | IDT71V3556S100BQ | - | ![]() | 9622 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IDT71V3556 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71V3556S100BQ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 100 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | CAT28LV64T13A-25 | 1.8000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | CAT28LV64 | EEPROM | 3v〜3.6V | 28-tsop | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-CAT28LV64T13A-25-488 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 64kbit | 250 ns | EEPROM | 8k x 8 | 5ms | ||||||
S70FL01GSDSMFB013 | 20.5800 | ![]() | 1020 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100,fl-s | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S70FL01 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,450 | 80 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||||
![]() | S25HL01GTFAMHI010 | 19.5500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon技术 | HL-T | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25HL01 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 166 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | |||||
M48Z512BV-85PM1 | - | ![]() | 1419 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 32 滴模块(0.600英寸,15.24毫米) | M48Z512 | NVSRAM(SRAM) | 3v〜3.6V | 32-PMDIP模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 12 | 非易失性 | 4Mbit | 85 ns | NVSRAM | 512k x 8 | 平行线 | 85ns |
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