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内存（（70838）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
S29GL01GP13FFIV13	14.6700	RFQ	4	赛普拉斯半导体公司	gl-p	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL01	闪光灯 -也不	1.65V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	下载	rohs3符合条件			2832-S29GL01GP13FFIV13-Tr	3A991B1A	8542.32.0071	35		非易失性	1Gbit	130 ns	闪光	128m x 8	平行线	130ns
709279S12PF	-	RFQ	1242	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	709279	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	6		易挥发的	512kbit	12 ns	SRAM	32k x 16	平行线	-
MT47H256M4SH-25E：m tr	-	RFQ	1160	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	MT47H256M4	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	-	rohs3符合条件	3（168））		MT47H256M4SH-25E：MTR	Ear99	8542.32.0032	2,000	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	256m x 4	平行线	15ns
CY7C1471V33-117AXC	-	RFQ	1315	Infineon技术	NOBL™	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1471	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	易挥发的	72Mbit	7.5 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
MT29F128G08CFAAAWP-IT：a tr	-	RFQ	1332	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
MD2114AL-3/b	40.9200	RFQ	21	Rochester Electronics，LLC	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1
MT48H16M32LFCM-6 L IT：B TR	-	RFQ	2514	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48H16M32	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	90-VFBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	15ns
71V25761S166BG8	-	RFQ	7364	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v25761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
NAND01GW3B2BZA6E	-	RFQ	6581	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-TFBGA	NAND01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-NAND01GW3B2BZA6E	3A991B1A	8542.32.0051	210		非易失性	1Gbit	30 ns	闪光	128m x 8	平行线	30ns
AT28BV64-30TC	-	RFQ	6497	微芯片技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TC）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	AT28BV64	EEPROM	2.7V〜3.6V	28-tsop	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	AT28BV6430TC	Ear99	8542.32.0051	234		非易失性	64kbit	300 ns	EEPROM	8k x 8	平行线	3ms
FEMC008GCG-T340	29.4600	RFQ	17	Flexxon PTE Ltd	-	托盘	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	153-VFBGA	FEMC008	Flash -nand（pslc）	-	153-fbga（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		3052-FEMC008GCG-T340	3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	EMMC	-
GD25WQ64Sigy	0.8424	RFQ	7338	gigadevice 半导体（香）	GD25WQ	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	1.65V〜3.6V	8-sop	下载				1970-GD25WQ64Sigy			3,000	104 MHz	非易失性	64mbit	12 ns	闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	120µs，4ms
M29W640GT90NA6E	-	RFQ	7546	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	64mbit	90 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	90NS
71V3556SA166BQG	10.3373	RFQ	1879年	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v3556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
AT25640AY1-10YI-2.7	-	RFQ	7231	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	AT25640	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-MAP （3x4.9）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	AT25640AY110YI2.7	Ear99	8542.32.0051	120	20 MHz	非易失性	64kbit		EEPROM	8k x 8	spi	5ms
AS6CE4016B-45BIN	6.9600	RFQ	480	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-LFBGA		sram-异步	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS6CE4016B-45BIN	Ear99	8542.32.0041	480		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns
MX29SL802CTXHI-90G	2.6760	RFQ	7622	大元	MX29SL	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-WFBGA，CSPBGA	MX29SL802	闪光灯 -也不	1.65V〜2.2V	48-WFBGA，CSP （4x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	490		非易失性	8mbit	90 ns	闪光	1m x 8	平行线	90NS
MT53E1536M32D4DE-046 AIT：b tr	44.2350	RFQ	6216	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E1536M32D4DE-046AIT：BTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	48Gbit	3.5 ns	德拉姆	1.5GX 32	平行线	18NS
MT53D512M32D2NP-053 WT ES：D TR	-	RFQ	5142	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.866 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	-	-
CY7C1315BV18-250BZC	35.1300	RFQ	55	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1315	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	9	250 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	512k x 36	平行线	-	未行业行业经验证
S25FL256SAGBHIC03	6.6500	RFQ	2889	Infineon技术	fl-s	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O。	-
HM216514TTI5SE	-	RFQ	5097	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	HM216514	SRAM	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1		易挥发的	8mbit	55 ns	SRAM	512k x 16	平行线	55ns
MT48LC2M32B2P-6A AAT：j	-	RFQ	6375	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	MT48LC2M32B2	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,080	167 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	12ns
IS21ES08G-JQLI	-	RFQ	3734	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	IS21ES08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	100-LFBGA（14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS21ES08G-JQLI	3A991B1A	8542.32.0071	98	200 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	EMMC	-
GVT71128E36T-9T	1.7100	RFQ	10	Galvantech	GVT71128E36	大部分	过时的	0°C〜70°C	表面安装	100-TQFP	GVT71128E	SRAM	3.3V	-	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	90 MHz	易挥发的	4Mbit	8 ns	SRAM	128K x 32		-
MT53E128M32D2DS-053 AAT：	12.1200	RFQ	2	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53E128	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	128m x 32	-	-
28497288 a	-	RFQ	8677	Infineon技术	-	大部分	过时的								-	rohs3符合条件		到达不受影响		过时的		1
S99GL128P0090	-	RFQ	4138	Infineon技术	gl-p	托盘	过时的	-			S99GL128	闪光灯 -也不	-		-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1		非易失性	128mbit		闪光	8m x 16	平行线	-
FT93C46A-ITR-B	-	RFQ	5126	Fremont Micro Devices Ltd	-	管子	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	93C46A	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	2 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8，64 x 16	3线序列	10ms
46W0821-C	187.5000	RFQ	9067	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-46W0821-C	Ear99	8473.30.5100	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70838）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²