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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 可编程类型 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 24C01C-E/SN | 0.4350 | ![]() | 4666 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 24C01C | EEPROM | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 24C01C-E/SN-NDR | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 100 kHz | 非易失性 | 1kbit | 3.5 µs | EEPROM | 128 x 8 | i²c | 1.5ms | ||||
![]() | CY7C145-25AC | 8.8900 | ![]() | 96 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 80-LQFP | CY7C145 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 80-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 72kbit | 25 ns | SRAM | 8k x 9 | 平行线 | 25ns | ||||||
N25S818HAT21I | 1.4100 | ![]() | 300 | 0.00000000 | ami半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | N25S818 | SRAM | 1.7V〜1.95V | 8-tssop | 下载 | Ear99 | 8542.32.0041 | 213 | 16 MHz | 易挥发的 | 256kbit | SRAM | 32K x 8 | spi | - | 未行业行业经验证 | |||||||||
![]() | AS6C4008-55ZINTR | 4.0898 | ![]() | 7079 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) | AS6C4008 | sram-异步 | 2.7V〜5.5V | 32-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 55ns | ||||||
![]() | AM27S13A/BFA | 33.3300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 高级微型设备 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 16-clatpack | AM27S13A | - | 4.5V〜5.5V | 16-clatpack | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 2kbit | 40 ns | 舞会 | 512 x 4 | 平行线 | - | ||||||
![]() | IDT71V65802S150BG8 | - | ![]() | 9981 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | IDT71V65802 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71V65802S150BG8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 150 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.8 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT53D2DADS-DC TR | - | ![]() | 2461 | 0.00000000 | 微米技术公司 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | MT53D2 | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | 71321LA20J | - | ![]() | 8846 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 52-lcc(j-lead) | 71321LA | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 24 | 易挥发的 | 16kbit | 20 ns | SRAM | 2k x 8 | 平行线 | 20NS | ||||||
![]() | W29GL032CH7B | - | ![]() | 6216 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | W29GL032 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-LFBGA(11x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 171 | 非易失性 | 32Mbit | 70 ns | 闪光 | 4m x 8,2m x 16 | 平行线 | 70NS | ||||||
![]() | SM662PXF BFST | 170.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 硅运动,Inc。 | Ferri-Emmc® | 托盘 | 积极的 | -25°C〜85°C | 表面安装 | 153-TFBGA | Flash -nand(tlc) | - | 153-BGA(11.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 1984-SM662PXFBFST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 非易失性 | - | 闪光 | EMMC | - | |||||||||
![]() | EPC8QC100 | - | ![]() | 7327 | 0.00000000 | 英特尔 | EPC | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 100-BQFP | EPC8 | 未行业行业经验证 | 3v〜3.6V | 100-PQFP (20x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 66 | 在系统可编程中 | 8MB | |||||||||||
![]() | CY7C1263V18-400BZXC | - | ![]() | 7369 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1263 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 400 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 4m x 8 | 平行线 | - | ||||||
S26KS256SDABHN030 | 10.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | HyperFlash™KS | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | S26ks256 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜1.95V | 24-fbga(6x8) | 下载 | 29 | 100 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 96 ns | 闪光 | 32m x 8 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||
![]() | GD25Q128FIRR | 1.3327 | ![]() | 4318 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25Q | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 16 SOP | 下载 | 1970-GD25Q128 FEFIRRTR | 1,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 7 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs,2.4ms | ||||||||||
![]() | IDT71V016SA12Y8 | - | ![]() | 6534 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | IDT71V016 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-SOJ | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71V016SA12Y8 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 12ns | |||||
![]() | AT45DB081D-MU-2.5-SL383 | - | ![]() | 4006 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | AT45DB081 | 闪光 | 2.5V〜3.6V | 8-vdfn(6x5) | 下载 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 50 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 264字节x 4096页 | spi | 4ms | ||||||||
![]() | EPC8QC100N | - | ![]() | 6370 | 0.00000000 | 英特尔 | EPC | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 100-BQFP | EPC8 | 未行业行业经验证 | 3v〜3.6V | 100-PQFP (20x14) | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 66 | 在系统可编程中 | 8MB | ||||||||||||
![]() | W29GL064CL7B | - | ![]() | 5707 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | W29GL064 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-LFBGA(11x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 171 | 非易失性 | 64mbit | 70 ns | 闪光 | 8m x 8,4m x 16 | 平行线 | 70NS | ||||||
![]() | SM223TX020000-AD | 6.4600 | ![]() | 5235 | 0.00000000 | 硅运动,Inc。 | * | 托盘 | 积极的 | SM223 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CY7C1423AV18-250BZC | 53.7900 | ![]() | 119 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1423 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 250 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||
![]() | QS7025A-20J | 19.9000 | ![]() | 96 | 0.00000000 | 质量半导体 | QS7025A | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | - | QS7025A | SRAM | 5V | - | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 50 MHz | 易挥发的 | 128kbit | 20 ns | SRAM | 8k x 16 | 20NS | ||||||||
![]() | 709079S15PFI | - | ![]() | 5459 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 709079 | sram-双端口,同步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0041 | 90 | 易挥发的 | 256kbit | 15 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | - | |||||||
![]() | GD5F2GQ5REYIHR | 4.1912 | ![]() | 7021 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD5F | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand(slc) | 1.7V〜2V | 8-wson(6x8) | - | 1970-GD5F2GQ5REYIHRTR | 3,000 | 80 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 11 ns | 闪光 | 512m x 4 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 600µs | ||||||||||
![]() | CY7C1347B-166BGC | 4.6100 | ![]() | 388 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | CY7C1347 | sram-同步,sdr | 3.15v〜3.6V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |||||
![]() | CY7C1049CV33-10ZXCT | 5.4000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1049 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 10NS | ||||||
![]() | MT53D1536M32D6BE-053 wt:d | - | ![]() | 5409 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | MT53D1536 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 48Gbit | 德拉姆 | 1.5GX 32 | - | - | ||||||
![]() | NLQ43PFS-8NET | 10.3075 | ![]() | 6872 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr4 | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-fbga(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 1982-NLQ43PFS-8NET | 136 | 1.2 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | lvstl | 18NS | ||||||||
![]() | IS25LP032D-JTLA3-TR | 1.1525 | ![]() | 8519 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | 闪存-SLC) | 2.3v〜3.6V | 8-uson (4x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25LP032D-JTLA3-TR | 5,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 7 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 40µs,800µs | ||||||||
![]() | EPC1PC8 | - | ![]() | 2719 | 0.00000000 | 英特尔 | EPC | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | EPC1 | 经过验证 | 3v〜3.6V,4.75V〜5.25V | 8-pdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0071 | 100 | OTP | 1MB | |||||||||||
![]() | EPC2TI32 | - | ![]() | 4692 | 0.00000000 | 英特尔 | EPC | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 32-TQFP | EPC2 | 经过验证 | 3v〜3.6V,4.5V〜5.5V | 32-TQFP (7x7) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0071 | 250 | 在系统可编程中 | 1.6MB |
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