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内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
S99AL016J0250	-	RFQ	7692	Infineon技术	-	托盘	过时的								-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
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AT49F001T-12JI	-	RFQ	7135	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	32-lcc（j-lead）	AT49F001	闪光	4.5V〜5.5V	32-PLCC （13.97x11.43）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响	AT49F001T12JI	Ear99	8542.32.0071	32		非易失性	1Mbit	120 ns	闪光	128K x 8	平行线	50µs
AS5F31G04SND-08LIN	7.7200	RFQ	792	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-wlga	AS5F31	Flash -nand（slc）	3v〜3.6V	8-LGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS5F31G04SND-08LIN	Ear99	8542.32.0071	352	120 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O。	700µs
7016L35J8	-	RFQ	9601	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7016L35	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	250		易挥发的	144kbit	35 ns	SRAM	16k x 9	平行线	35ns
IS42S32200L-6BL-TR	3.8792	RFQ	4919	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32200	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
AS6C4008-70SAN	9.1300	RFQ	213	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	32-SOIC （0.445“，11.30mm宽度）		sram-异步	2.7V〜5.5V	32 SOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS6C4008-70SAN	3A991B2A	8542.32.0041	72		易挥发的	4Mbit	70 ns	SRAM	512k x 8	平行线	70NS
MT29F16G08ABABAWP-IT：b tr	-	RFQ	7018	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F16G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	平行线	-
SST39VF401C-70-4C-MAQE-T	1.9050	RFQ	7837	微芯片技术	SST39 MPF™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-WFBGA	SST39VF401	闪光	2.7V〜3.6V	48-WFBGA（6x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500		非易失性	4Mbit	70 ns	闪光	256K x 16	平行线	10µs
M24C08-FMC5TG	0.2612	RFQ	4255	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	M24C08	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-fufdfpn（2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	400 kHz	非易失性	8kbit	900 ns	EEPROM	1k x 8	i²c	5ms
mtfc8gludm-ait	-	RFQ	6493	微米技术公司	E•MMC™	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	-	mtfc8	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
mtfc4gmvea-wt tr	-	RFQ	6444	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	153-WFBGA	mtfc4	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-WFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	MMC	-
AT28C010E-12JU-T	59.1450	RFQ	3874	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	32-lcc（j-lead）	AT28C010	EEPROM	4.5V〜5.5V	32-PLCC （13.97x11.43）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1B2	8542.32.0051	750		非易失性	1Mbit	120 ns	EEPROM	128K x 8	平行线	10ms
71V3557S80PFGI	9.2351	RFQ	8286	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v3557	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72		易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
AT24C02N-10SI-2.7	-	RFQ	6801	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT24C02	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
AT49F002N-55JC	-	RFQ	2002	微芯片技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TC）	表面安装	32-lcc（j-lead）	AT49F002	闪光	4.5V〜5.5V	32-PLCC （13.97x11.43）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响	AT49F002N55JC	Ear99	8542.32.0071	32		非易失性	2Mbit	55 ns	闪光	256K x 8	平行线	50µs
IS49NLC96400A-33WBL	-	RFQ	3498	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC96400	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	104	300 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	64m x 9	平行线	-
GT28F800B3T120	0.6700	RFQ	4	英特尔	ETOX™	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA		闪光灯 -引导块	2.7V〜3.6V	48-UBGA（7.7x9）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0071	1		非易失性	8mbit	120 ns	闪光	512k x 16	cui	165µs
E28F020120	2.6600	RFQ	92	英特尔	M28F020	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32 SOP		闪存-SLC）	4.75V〜5.25V	32-tsop	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0071	1		非易失性	2Mbit	120 ns	闪光	256K x 8	平行线	120ns
A5816812-C	44.5000	RFQ	9921	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A5816812-C	Ear99	8473.30.5100	1
25AA020A/S16K	-	RFQ	9601	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	25AA020	EEPROM	1.8V〜5.5V	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	10 MHz	非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8	spi	5ms
93C76-E/SN	1.2800	RFQ	231	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	93C76	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	93C76-E/SN-NDR	Ear99	8542.32.0051	100	2 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	1K x 8，512 x 16	微线	10ms
R1QDA3618CBA-20IB0	23.6500	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991	8542.32.0041	1
MT46H64M32LFCX-5 AIT：b	-	RFQ	8974	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT46H64M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-VFBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
W972GG6KB-25	12.6200	RFQ	7	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	W972GG6	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-WBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	144	400 MHz	易挥发的	2Gbit	400 ps	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
MT25QL128ABA8E12-1SIT	-	RFQ	4068	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT25QL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,122	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi	8ms，2.8ms
25AA640AT-E/ST	0.9150	RFQ	2067	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	25AA640	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	10 MHz	非易失性	64kbit		EEPROM	8k x 8	spi	5ms
AT49F002NT-90VC	-	RFQ	6998	微芯片技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TC）	表面安装	32-tfsop （0.488“，12.40mm宽度）	AT49F002	闪光	4.5V〜5.5V	32-VSOP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	AT49F002NT90VC	Ear99	8542.32.0071	208		非易失性	2Mbit	90 ns	闪光	256K x 8	平行线	50µs
CY7C146-25JC	-	RFQ	3536	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）	CY7C146	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	690		易挥发的	16kbit	25 ns	SRAM	2k x 8	平行线	25ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²