RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

内存（（70500）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
25AA256-E/MF	2.1150	RFQ	9915	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	25AA256	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-DFN-S（ 6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	60	10 MHz	非易失性	256kbit		EEPROM	32K x 8	spi	5ms
IS29GL256S-10DHV013	-	RFQ	2451	Infineon技术	GL-S	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	IS29GL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1		非易失性	256Mbit	100 ns	闪光	32m x 8	平行线	60ns
25AA160D-I/S16K	-	RFQ	7511	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	死	25AA160	EEPROM	1.8V〜5.5V	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	10 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8	spi	5ms
7130LA55P	-	RFQ	7425	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	48 浸（0.600英寸，15.24毫米）	7130LA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	48-PDIP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	7		易挥发的	8kbit	55 ns	SRAM	1k x 8	平行线	55ns
M10042040108x0isay	11.6399	RFQ	5160	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	M10042040108	MRAM （磁磁性 RAM）	1.71V〜2V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	800-M10042040108X0ISAY	Ear99	8542.32.0071	150	108 MHz	非易失性	4Mbit		内存	1m x 4	-	-
W29GL128CL9C TR	-	RFQ	4782	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-TFBGA	W29GL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-TFBGA（7x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000		非易失性	128mbit	90 ns	闪光	16m x 8，8m x 16	平行线	90NS
AT24C04AN-10SI-1.8	-	RFQ	1727年	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT24C04	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz	非易失性	4Kbit	900 ns	EEPROM	512 x 8	i²c	5ms
8403611LA	-	RFQ	4068	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	24-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	840361	sram-同步	4.5V〜5.5V	24-CDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	800-8403611LA	过时的		15		易挥发的	16kbit	55 ns	SRAM	2k x 8	平行线	55ns
SM662GXA-BES	-	RFQ	2448	硅运动，Inc。	Ferri-Emmc®	托盘	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	100-LBGA	SM662	Flash -nand（slc），闪光灯-NAND（tlc）	-	100-BGA （14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1984-SM662GXA-BES	3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	40Gbit		闪光	5g x 8	EMMC	-
CY7C1413UV18-300BZC	73.0000	RFQ	606	赛普拉斯半导体公司	-	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1413	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	-	不适用				3A991B2A		1	300 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	2m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
IS62WV25616EALL-55BI	-	RFQ	1692年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	IS62WV25616	sram-异步	1.65V〜2.2V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	256K x 16	平行线	55ns
MT29F4G08BABWP-ET TR	-	RFQ	1143	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
CY7C1470BV25-200BZI	-	RFQ	6642	Infineon技术	NOBL™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1470	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	200 MHz	易挥发的	72Mbit	3 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
MT53B512M32D2DS-062 XT：c tr	-	RFQ	9161	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53B512	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	-	-
CY14B108K-ZS25XIT	63.1925	RFQ	8766	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY14B108	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		非易失性	8mbit	25 ns	NVSRAM	1m x 8	平行线	25ns
S25FL256LAGBHB030	-	RFQ	2450	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的								-				2156-S25FL256LAGBHB030			1
AT93C66A-10PU-2.7	-	RFQ	5031	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	93c66a	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	50	2 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8，256 x 16	3线序列	10ms
M29W640GH70ZS6F TR	-	RFQ	5607	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	M29W640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,800		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	70NS
25AA020A-i/p	0.5850	RFQ	4753	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	25AA020	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	60	10 MHz	非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8	spi	5ms
AT49LV002T-90PC	-	RFQ	2860	微芯片技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TC）	通过洞	32 滴（0.600英寸，15.24毫米）	AT49LV002	闪光	3v〜3.6V	32-PDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	AT49LV002T90PC	Ear99	8542.32.0071	12		非易失性	2Mbit	90 ns	闪光	256K x 8	平行线	50µs
71V67803S133PFGI	-	RFQ	2687	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v67803	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
24C02C/SN	0.3600	RFQ	8	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	24C02C	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz	非易失性	2kbit	3.5 µs	EEPROM	256 x 8	i²c	1.5ms
AT29LV256-20JI-T	-	RFQ	3985	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	32-lcc（j-lead）	AT29LV256	闪光	3v〜3.6V	32-PLCC （13.97x11.43）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	750		非易失性	256kbit	200 ns	闪光	32K x 8	平行线	20ms
IS43QR81024A-075VBL-TR	16.5585	RFQ	9463	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43QR81024A-075VBL-TR			2,000	1.333 GHz	易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
AS4C2M32D1-5TCN	-	RFQ	3543	联盟记忆，Inc。	-	托盘	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	-	AS4C2M32	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-1317	Ear99	8542.32.0002	108	200 MHz	易挥发的	64mbit	700 ps	德拉姆	2m x 32	平行线	15ns
71V3577S75BGG8	8.5003	RFQ	4539	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v3577	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	117 MHz	易挥发的	4.5mbit	7.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
MT29F512G08CUCABH3-12IT：a	-	RFQ	4726	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	MT29F512G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	100-LBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
CY7C1143KV18-450BZC	41.2200	RFQ	322	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1143	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载							8	450 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	1m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
IS63LV1024-12J	-	RFQ	1404	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	IS63LV1024	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	22		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
S34MS04G100TFI003	-	RFQ	6167	Skyhigh Memory Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产				S34MS04				-	Rohs符合条件	3（168））		2120-S34MS04G100TFI003	3A991B1A	8542.32.0071	1,000									未行业行业经验证

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²