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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | AT49F002-70VI | - | ![]() | 5110 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 32-tfsop (0.488“,12.40mm宽度) | AT49F002 | 闪光 | 4.5V〜5.5V | 32-VSOP | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | AT49F00270VI | Ear99 | 8542.32.0071 | 208 | 非易失性 | 2Mbit | 70 ns | 闪光 | 256K x 8 | 平行线 | 50µs | |||
![]() | AT27C020-90TI | - | ![]() | 6451 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) | AT27C020 | EPROM -OTP | 4.5V〜5.5V | 32-tsop | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | AT27C02090TI | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 156 | 非易失性 | 2Mbit | 90 ns | EPROM | 256K x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | CY62256LL-70ZRXI | 1.1600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | CY62256 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 259 | 易挥发的 | 256kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 70NS | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | 4x70P98203-C | 130.0000 | ![]() | 7108 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-4X70P98203-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | W971GG6NB-25 TR | 3.8000 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 84-TFBGA | W971GG6 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TFBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 400 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 400 ps | 德拉姆 | 64m x 16 | SSTL_18 | 15ns | |||
![]() | 71v016sa20ygi | 2.4900 | ![]() | 365 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | 71v016 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-SOJ | 下载 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 20 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 20NS | |||||||
![]() | AT28HC256-12FM/883 | 263.8347 | ![]() | 5926 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 28-clatpack | AT28HC256 | EEPROM | 4.5V〜5.5V | 28-flatpack,陶瓷底玻璃 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A001A2C | 8542.32.0051 | 15 | 非易失性 | 256kbit | 120 ns | EEPROM | 32K x 8 | 平行线 | 10ms | ||||
![]() | S25FL128SDPBHBC00 | - | ![]() | 6881 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-S25FL128SDPBHBC00 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | AM27S21A/B2A | 18.0600 | ![]() | 584 | 0.00000000 | 高级微型设备 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 20-CLCC | AM27S21A | - | 4.5V〜5.5V | 20-CLCC | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 1kbit | 40 ns | 舞会 | 256 x 4 | 平行线 | - | ||||
![]() | CY62157EV30LL-45BVIT | 8.9600 | ![]() | 8857 | 0.00000000 | Infineon技术 | MOBL® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62157 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 易挥发的 | 8mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | LE25FU206AMB-TLM-H-SA | 0.3400 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Sanyo | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 3,000 | |||||||||||||||||||
![]() | BR25A256F-3MGE2 | 1.8600 | ![]() | 6715 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) | BR25A256 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 10 MHz | 非易失性 | 256kbit | EEPROM | 32K x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | NDL26PFI-9MET TR | 6.6986 | ![]() | 4501 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-VFBGA | NDL26 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-fbga(7.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1982-NDL26PFI-9METTR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 933 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | S29GL256P10TFI010 | 6.4700 | ![]() | 1872年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | gl-p | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S29GL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S29GL256P10TFI010 | 91 | 非易失性 | 256Mbit | 100 ns | 闪光 | 32m x 8 | 平行线 | 100ns | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | 71321SA35J8 | - | ![]() | 6226 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 52-lcc(j-lead) | 71321SA | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 400 | 易挥发的 | 16kbit | 35 ns | SRAM | 2k x 8 | 平行线 | 35ns | ||||
![]() | IS43R16320E-5TL-Tr | - | ![]() | 1146 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43R16320E-5TL-Tr | 1,500 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | sstl_2 | 15ns | ||||||
![]() | MT41K512M4HX-187E:d | - | ![]() | 7371 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 在sic中停产 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT41K512M4 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-fbga(9x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 13.125 ns | 德拉姆 | 512m x 4 | 平行线 | - | |||
![]() | NM24C65ULN | 0.6000 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | NM24C65 | EEPROM | 2.7V〜5.5V | 8点 | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | 非易失性 | 64kbit | 3.5 µs | EEPROM | 8k x 8 | i²c | 15ms | |||
![]() | IS61NVP25636A-200TQLI | 15.4275 | ![]() | 9071 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61NVP25636 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.1 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||
AS7C31026B-10TCN | 2.9911 | ![]() | 6208 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | AS7C31026 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 10NS | |||||
![]() | CY7C1425AV18-167BZXC | - | ![]() | 6530 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1425 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 5(48)(48)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 4m x 9 | 平行线 | - | ||||
![]() | 71256L100TDB | 39.7300 | ![]() | 23 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | 通过洞 | 28-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | 71256L | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-CDIP | 下载 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 100 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 100ns | |||||||
![]() | AT27LV520-90XC | - | ![]() | 8681 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TC) | 表面安装 | 20-tssop (0.173“,4.40mm宽度) | AT27LV520 | EPROM -OTP | 3v〜3.6V,4.5V〜5.5V | 20-tssop | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | AT27LV52090XC | Ear99 | 8542.32.0061 | 74 | 非易失性 | 512kbit | 90 ns | EPROM | 64k x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | CT32G3ERSLQ41339.36DED-C | 170.0000 | ![]() | 7154 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-CT32G3ERSLQ41339.36DED-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CY7C1525KV18-250BZXI | 150.0975 | ![]() | 6806 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1525 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 272 | 250 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 8m x 9 | 平行线 | - | ||||
![]() | 71V65603S133BG | 26.1188 | ![]() | 2611 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71v65603 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 133 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 4.2 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | S29GL128P11TFIV20 | 7.6800 | ![]() | 3066 | 0.00000000 | Infineon技术 | gl-p | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S29GL128 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | 非易失性 | 128mbit | 110 ns | 闪光 | 16m x 8 | 平行线 | 110NS | ||||
![]() | S29JL032J60TFI223 | - | ![]() | 7794 | 0.00000000 | Infineon技术 | JL-J | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S29JL032 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 32Mbit | 60 ns | 闪光 | 4m x 8,2m x 16 | 平行线 | 60ns | ||||
![]() | S25FL127SABMFV101 | - | ![]() | 5593 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-s | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | S25FL127 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | 1 | 108 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | CY7C1021BNV33L-15ZXIT | - | ![]() | 2829 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1021 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2832-CY7C1021BNV33L-15ZXITTR | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 15ns |
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