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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	sic可编程	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
W25Q32JWXGSQ	-	RFQ	5047	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-xdfn暴露垫	W25Q32	闪光灯 -也不		1.7V〜1.95V	8-XSON（4x4）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q32JWXGSQ			1	133 MHz	非易失性	32Mbit	6 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	5ms
AT49BV1614AT-90TI	-	RFQ	4533	微芯片技术	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	AT49BV1614	闪光		2.65V〜3.3V	48-TSOP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	16mbit	90 ns	闪光	2m x 8，1m x 16	平行线	50µs
IS62C1024AL-35TLI	2.4500	RFQ	2	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	IS62C1024	sram-异步		4.5V〜5.5V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	156		易挥发的	1Mbit	35 ns	SRAM	128K x 8	平行线	35ns
EDY4016AABG-JD-FR TR	-	RFQ	3484	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	EDY4016	SDRAM -DDR4		1.14v〜1.26v	96-FBGA（7.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	256m x 16	平行线	-
S29GL032N11FFIV20	-	RFQ	9113	Infineon技术	GL-N	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL032	闪光灯 -也不		1.65V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2832-S29GL032N11FFIV20	3A991B1A	8542.32.0071	180		非易失性	32Mbit	110 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	110NS
CG8553AA	-	RFQ	8125	Infineon技术	-	托盘	过时的									-			到达不受影响		过时的		96
S99PL032J0029	-	RFQ	8171	Infineon技术	-	托盘	过时的	-	-	-		-		-	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1		-	-		-		-	-
AT45DB011D-SH-SL955	-	RFQ	9967	Adesto Technologies	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	AT45DB011	闪光		2.7V〜3.6V	8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000	66 MHz	非易失性	1Mbit		闪光	256字节x 512页	spi	4ms
CG7985AAT	-	RFQ	8256	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	750
AT28LV64B-20JI	-	RFQ	1293	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	32-lcc（j-lead）	AT28LV64	EEPROM	未行业行业经验证	3v〜3.6V	32-PLCC （13.97x11.43）	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响	AT28LV64B20JI	Ear99	8542.32.0051	32		非易失性	64kbit	200 ns	EEPROM	8k x 8	平行线	10ms
CY7C1007D-10VXI	-	RFQ	4973	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	CY7C1007	sram-异步		4.5V〜5.5V	28-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	54		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	1m x 1	平行线	10NS
CY14V101LA-BA45XIT	16.3800	RFQ	106	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY14V101	NVSRAM（SRAM）		2.7V〜3.6V	48-fbga（6x10）	下载							19		非易失性	1Mbit	45 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	45ns	未行业行业经验证
mtfc32gakaeef-aat	-	RFQ	9532	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	169-TFBGA	mtfc32g	闪存-NAND		-	169-TFBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
CY7C1061AV33-12ZXCT	-	RFQ	2040	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1061	sram-异步		3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	16mbit	12 ns	SRAM	1m x 16	平行线	12ns
CY7C25652KV18-550BZC	757.1000	RFQ	771	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C25652	sram-同步，QDR II+		1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	136	550 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
70V06S20J	-	RFQ	1532年	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	70v06	sram-双端口，异步		3v〜3.6V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	18		易挥发的	128kbit	20 ns	SRAM	16k x 8	平行线	20NS
IS42S32160C-75BL	-	RFQ	3625	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-LFBGA	IS42S32160	Sdram		3v〜3.6V	90-WBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240	133 MHz	易挥发的	512Mbit	6 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
93C46B-E/MS	0.4350	RFQ	6724	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	93C46B	EEPROM		4.5V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	93C46B-E/MS-NDR	Ear99	8542.32.0051	100	2 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	64 x 16	微线	2ms
CY62147EV30LL-45ZSXIT	5.5300	RFQ	1	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY62147	sram-异步		2.2v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns
CY7C1340A-66AI	7.0600	RFQ	522	Galvantech	CY7C1340A	大部分	过时的	-40°C〜85°C	表面安装	100-TQFP	CY7C1340	SRAM		3.3V	-	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	1	66 MHz	易挥发的	4Mbit	7 ns	SRAM	128K x 32		-
M29F400BT70M6E	-	RFQ	3782	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-Soic（0.496英寸，宽度为12.60mm）	M29F400	闪光灯 -也不		4.5V〜5.5V	44-SO	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	16		非易失性	4Mbit	70 ns	闪光	512k x 8，256k x 16	平行线	70NS
PC28F640J3D75A	-	RFQ	6326	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	PC28F640	闪光灯 -也不		2.7V〜3.6V	64- Easybga（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	864		非易失性	64mbit	75 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	75ns
IS63WV1024BLL-12JLI-TR	1.7660	RFQ	4779	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	IS63WV1024	sram-异步		3v〜3.6V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
MT29F128G08EBCDBJ4-5M：D	-	RFQ	9684	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F128G08	闪存-NAND		2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
IS62WV102416FBLL-45BLI-TR	8.1000	RFQ	8879	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	IS62WV102416	sram-异步		2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	16mbit	45 ns	SRAM	1m x 16	平行线	45ns
7142LA35L48B	-	RFQ	8123	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	48-LCC	7142LA	sram-双端口，异步		4.5V〜5.5V	48-LCC （14.22x14.22）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A001A2C	8542.32.0041	34		易挥发的	16kbit	35 ns	SRAM	2k x 8	平行线	35ns
M93C66-MN6TP	-	RFQ	9957	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M93C66	EEPROM		4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	2 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8，256 x 16	微线	5ms
24C01CT-E/ST	0.5100	RFQ	2883	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	24C01C	EEPROM		4.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	24C01CT-E/ST-NDR	Ear99	8542.32.0051	2,500	100 kHz	非易失性	1kbit	3.5 µs	EEPROM	128 x 8	i²c	1.5ms
S29GL256S10DHV013	7.5950	RFQ	7731	Infineon技术	GL-S	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL256	闪光灯 -也不		2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SP005671481	3A991B1A	8542.32.0071	2,200		非易失性	256Mbit	100 ns	闪光	16m x 16	平行线	60ns
CY7C1021B-15VXET	-	RFQ	4766	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	CY7C1021	sram-异步		4.5V〜5.5V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	500		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²