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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
CY7C1061AV33-10ZXIT	-	RFQ	8789	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1061	sram-异步	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	16mbit	10 ns	SRAM	1m x 16	平行线	10NS
mtfc64gapalna-aat es tr	-	RFQ	1158	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				MTFC64				-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,000
IS42S32160F-7TL-Tr	10.9500	RFQ	7971	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32160	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
AS4C512M8D3LB-10BINTR	-	RFQ	1091	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	AS4C512	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（9x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS4C512M8D3LB-10BINTR	过时的		2,500	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
A9654880-C	115.0000	RFQ	7314	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A9654880-C	Ear99	8473.30.5100	1
W25Q16DVSNAG	-	RFQ	9987	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	W25Q16	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-SOIC	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q16DVSNAG	过时的		1	104 MHz	非易失性	16mbit	6 ns	闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，3ms
CY7C1327A-133AC	6.7400	RFQ	64	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1327	sram-同步，sdr	3.15v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
7142SA35C	-	RFQ	2827	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	48 浸（0.600英寸，15.24毫米）	7142SA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	48侧铜	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	8		易挥发的	16kbit	35 ns	SRAM	2k x 8	平行线	35ns
AT25080B-WU11L	-	RFQ	7139	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	死	AT25080	EEPROM	1.8V〜5.5V	晶圆	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	20 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	1k x 8	spi	5ms
CY7C1350S-133AXC	6.6675	RFQ	6440	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1350	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
W25Q32FWXGSQ	-	RFQ	3988	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-xdfn暴露垫	W25Q32	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-XSON（4x4）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q32FWXGSQ	过时的		1	104 MHz	非易失性	32Mbit	6 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，5ms
S26HS02GTFPBHB040	48.4050	RFQ	5229	Infineon技术	Semper™	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-vbga		闪存-SLC）	1.7V〜2V	24-fbga（8x8）	下载		3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	520	166 MHz	非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	超肥	-
24c16/sl	2.8600	RFQ	2	微芯片技术	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	24c16	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0051	1	100 kHz	非易失性	16kbit	3.5 µs	EEPROM	2k x 8	i²c	1ms
93AA86B-i/st	-	RFQ	9787	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	93AA86	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	3 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	1k x 16	微线	5ms
24AA16T-E/SN	0.4389	RFQ	3113	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	24AA16	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	400 kHz	非易失性	16kbit	900 ns	EEPROM	2k x 8	i²c	5ms	经过验证
CY62167DV30LL-55ZXIT	25.3700	RFQ	1	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	CY62167	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	16mbit	55 ns	SRAM	1m x 16	平行线	55ns
S29GL064S70TFI040	4.3800	RFQ	6876	Infineon技术	GL-S	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL064	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	60ns
MT53E1536M32D4DE-046 WT：b	36.0000	RFQ	4958	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E1536M32D4DE-046WT：b			1	2.133 GHz	易挥发的	48Gbit	3.5 ns	德拉姆	1.5GX 32	平行线	18NS
CG9023AT	33.0400	RFQ	5086	Infineon技术	-	托盘	积极的								-	rohs3符合条件						105
S25FL128P0XMFI000	-	RFQ	6234	Infineon技术	fl-p	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	240	104 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi	3ms
CY7C0832AV-133BBI	100.8000	RFQ	25	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-LBGA	CY7C0832	sram-双端口，同步	3.135V〜3.465V	144-FBGA（13x13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit		SRAM	256K x 18	平行线	-
S25FL128SAGNFA003	5.1500	RFQ	3311	Infineon技术	fl-s	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	S25FL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	-
MT53E512M32D2NP-053 RS WT：G TR：	-	RFQ	6469	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	200-WFBGA				200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））		557-MT53E512M32D2NP-053RSWT：GTR	过时的		2,000
CG6306BF	-	RFQ	4736	赛普拉斯半导体公司	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
FT24C64A-UTR-T	-	RFQ	4874	Fremont Micro Devices Ltd	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FT24C64	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	-		（1 （无限）			Ear99	8542.32.0051	2,500	800 kHz	非易失性	64kbit	700 ns	EEPROM	8k x 8	i²c	5ms
051GL512S10TFI010	-	RFQ	8956	Infineon技术	-	大部分	上次购买								-							1
CY15B102Q-SXAT	12.9010	RFQ	1692年	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，F-RAM™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		fram （铁电 ram）	2v〜3.6V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响				2,000	25 MHz	非易失性	2Mbit		框架	256K x 8	spi	-
647657-071-C	42.5000	RFQ	3702	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-647657-071-C	Ear99	8473.30.5100	1
CY7C1355C-100BGC	10.8800	RFQ	369	赛普拉斯半导体公司	NOBL™	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	CY7C1355	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	28	100 MHz	易挥发的	9Mbit	7.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-	未行业行业经验证
IS34MW02G084-BLI	5.0397	RFQ	2920	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA		Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS34MW02G084-BLI			220		非易失性	2Gbit	30 ns	闪光	256m x 8	平行线	45ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²