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93c86bt-i/sn	-	RFQ	2372	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	93C86	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	3,300	3 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	1k x 16	微线	2ms
93LC76A-E/ST	-	RFQ	5587	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	93LC76	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	100	3 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	1k x 8	微线	5ms
93LC76AT-I/MS	-	RFQ	6121	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	93LC76	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	2,500	3 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	1k x 8	微线	5ms
93LC76B-E/p	-	RFQ	9796	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	93LC76	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	60	3 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	512 x 16	微线	5ms
93LC76B-E/ST	-	RFQ	4536	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	93LC76	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	100	3 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	512 x 16	微线	5ms
93LC76B-I/MS	-	RFQ	2016	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	93LC76	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	100	3 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	512 x 16	微线	5ms
93LC76BT-I/MS	-	RFQ	1783年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	93LC76	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	2,500	3 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	512 x 16	微线	5ms
93lc76bt-i/st	-	RFQ	9665	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	93LC76	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	2,500	3 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	512 x 16	微线	5ms
93LC86A-E/p	-	RFQ	3462	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	93LC86	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	60	3 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8	微线	5ms
93LC86AT-E/MS	-	RFQ	5825	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	93LC86	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	2,500	3 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8	微线	5ms
93LC86AT-E/ST	-	RFQ	5707	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	93LC86	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	2,500	3 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8	微线	5ms
93LC86AT-I/MS	-	RFQ	4542	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	93LC86	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	2,500	3 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8	微线	5ms
93LC86B-E/p	-	RFQ	4424	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	93LC86	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	60	3 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	1k x 16	微线	5ms
93LC86B-E/ST	-	RFQ	4368	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	93LC86	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0051	100	3 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	1k x 16	微线	5ms
SST39LF802C-55-4C-EKE-T	2.9550	RFQ	9899	微芯片技术	SST39 MPF™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	SST39LF802	闪光	3v〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	8mbit	55 ns	闪光	512k x 16	平行线	10µs
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CY7C1570XV18-633BZXC	573.3700	RFQ	8619	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1570	sram-同步，DDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	136	633 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CY7C1615KV18-250BZXC	-	RFQ	6873	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1615	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	210	250 MHz	易挥发的	144Mbit		SRAM	4m x 36	平行线	-
CY7C1618KV18-300BZXC	-	RFQ	3977	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1618	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	525	300 MHz	易挥发的	144Mbit		SRAM	4m x 36	平行线	-
CY7C1625KV18-250BZXC	307.6850	RFQ	3854	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1625	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	1,050	250 MHz	易挥发的	144Mbit		SRAM	16m x 9	平行线	-
CY7C1650KV18-450BZC	418.6175	RFQ	7141	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1650	sram-同步，DDR II+	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	210	450 MHz	易挥发的	144Mbit		SRAM	4m x 36	平行线	-
CY7C1670KV18-450BZXC	418.6175	RFQ	1869年	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1670	sram-同步，DDR II+	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	525	450 MHz	易挥发的	144Mbit		SRAM	4m x 36	平行线	-
CY7C2264XV18-366BZXC	-	RFQ	4430	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C2264	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	680	366 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-
CY7C2265XV18-600BZXC	134.3650	RFQ	1294	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C2265	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	680	600 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-
CY7C2265XV18-633BZXC	141.1375	RFQ	8934	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C2265	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	680	633 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-
CY7C2270XV18-633BZXC	141.1375	RFQ	9536	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C2270	sram-同步，DDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	680	633 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-
CY7C2564XV18-366BZXC	338.7825	RFQ	1180	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C2564	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	680	366 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CY7C2564XV18-450BZC	285.4250	RFQ	1684年	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C2564	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	136	450 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CY7C2665KV18-450BZI	455.6475	RFQ	4557	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C2665	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	105	450 MHz	易挥发的	144Mbit		SRAM	4m x 36	平行线	-
CY7C2665KV18-450BZXI	455.6475	RFQ	4617	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C2665	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	210	450 MHz	易挥发的	144Mbit		SRAM	4m x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²