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69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
CAT28C16AWI-12T	-	RFQ	8236	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	CAT28C16	EEPROM	4.5V〜5.5V	24-Soic	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	1,000		非易失性	16kbit	120 ns	EEPROM	2k x 8	平行线	5ms
FM24C64LEN	0.6000	RFQ	7360	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	FM24C64	EEPROM	2.5V〜5.5V	8点	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	100 kHz	非易失性	64kbit	3.5 µs	EEPROM	8k x 8	i²c	6ms
CY7C1412AV18-250BZC	47.0800	RFQ	129	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1412	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	2m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
70V17L12PFI8	-	RFQ	1180	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	-				800-70V17L12PFI8TR			1		易挥发的	288kbit	12 ns	SRAM	32k x 9	lvttl	12ns
MB85RS2MTYPNF-G-AWERE2	4.9893	RFQ	7304	Kaga Fei America，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MB85RS2	fram （铁电 ram）	1.8v〜3.6V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0071	1,500	50 MHz	非易失性	2Mbit		框架	256K x 8	spi	-
MX35LF2G14AC-Z4I	3.0448	RFQ	2614	大元	MX35LF	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	MX35LF2	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	8-wson（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	480	104 MHz	非易失性	2Gbit		闪光	512m x 4	Spi -Quad I/O。	600µs
S25FL129P0XNFI013M	-	RFQ	2442	Infineon技术	fl-p	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	S25FL129	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1	104 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	5µs，3ms
CG8002AA	-	RFQ	4397	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
24CS512T-E/OT66KVAO	-	RFQ	3000	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	SC-74A，SOT-753	24CS512	EEPROM	1.7V〜5.5V	SOT-23-5	下载			到达不受影响	150-24CS512T-E/OT66KVAOTR	Ear99	8542.32.0051	3,000	3.4 MHz	非易失性	512kbit	400 ns	EEPROM	64k x 8	i²c	5ms
MT29F16G08ABABAWP-AIT：b	-	RFQ	2017	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F16G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	平行线	-
NM4081H0HA15J68E	-	RFQ	8644	微米技术公司	-	托盘	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	136
MT53B128M32D1NP-062 AAT：	-	RFQ	9644	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53B128	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,360	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	128m x 32	-	-
70V06S35PFG8	-	RFQ	6820	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	70v06	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	64-TQFP （14x14）	-				800-70V06S35PFG8TR	过时的		750		易挥发的	128kbit	35 ns	SRAM	16k x 8	平行线	35ns
DS1345WP-100IND+	29.0375	RFQ	4532	ADI/MAXIM集成	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	34-PowerCap™	DS1345W	NVSRAM（SRAM）	3v〜3.6V	34-PowerCap模块	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	40		非易失性	1Mbit	100 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	100ns
C-1333D3DRLPR/16G-TAA	100.0000	RFQ	3957	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-1333D3DRLPR/16G-TAA	Ear99	8473.30.5100	1
MT29F8T08EWLEEM5-QJ：e	211.8900	RFQ	2417	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F8T08EWLEEM5-QJ：e			1
IDT71T75802S200PFI8	-	RFQ	3820	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71T75	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71T75802S200PFI8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.2 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
EM6GE08EW9G-10H	5.2066	RFQ	2839	Etron Technology，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	EM6GE08	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-FBGA（7.5x10.6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2174-EM6GE08EW9G-10HTR	Ear99	8542.32.0036	2,500	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
IS43R16800E-5TLI-Tr	2.4388	RFQ	1681年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R16800	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	200 MHz	易挥发的	128mbit	700 ps	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
CAT24C05YI-GT3	-	RFQ	4213	催化剂半导体公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	CAT24C05	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	-	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0051	3,000	400 kHz	非易失性	4Kbit	900 ns	EEPROM	512 x 8	i²c	5ms
S70KS1283GABHB023	9.8525	RFQ	6062	Infineon技术	HyperRAM™KL	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-vbga		PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜2V	24-fbga（6x8）	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	2,500	200 MHz	易挥发的	128mbit	35 ns	PSRAM	16m x 8	spi -octal I/o	35ns
W25Q81EWSNAG	-	RFQ	3061	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	W25Q81	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-SOIC	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q81EWSNAG			1	104 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	-
S29GL064S80DHB023	4.6550	RFQ	4687	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，GL-S	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL064	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,200		非易失性	64mbit	80 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	60ns
7005L25FB	-	RFQ	7331	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	68-flatpack	7005L25	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-fpack	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A001A2C	8542.32.0041	9		易挥发的	64kbit	25 ns	SRAM	8k x 8	平行线	25ns
GD5F1GQ5REGR	2.4851	RFQ	5290	gigadevice 半导体（香）	GD5F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		Flash -nand（slc）	1.7V〜2V	8-wson（5x6）	下载				1970-GD5F1GQ5REGRTR			3,000	104 MHz	非易失性	1Gbit	9.5 ns	闪光	256m x 4	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	600µs
71V416S10PH	-	RFQ	1688年	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416s	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
70V06L20JI8	-	RFQ	2443	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	70V06L	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	250		易挥发的	128kbit	20 ns	SRAM	16k x 8	平行线	20NS
MX30UF4G28AC-XKI	6.0210	RFQ	3949	大元	MXSMIO™	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MX30UF4	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	220		非易失性	4Gbit	25 ns	闪光	512m x 8	平行线	25ns
ASA5540-MEM-2GB-C	55.0000	RFQ	7451	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-ASA5540-MEM-2GB-C	Ear99	8473.30.9100	1
IS61WV5128FBLL-10BLI-TR	2.9427	RFQ	4168	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-TFBGA		sram-异步	2.4v〜3.6V	36-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV5128FBLL-10BLI-TR			2,500		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²