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69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
AT24C04BY6-YH-T	-	RFQ	8858	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	AT24C04	EEPROM	1.8V〜5.5V	8（2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	1 MHz	非易失性	4Kbit	550 ns	EEPROM	512 x 8	i²c	5ms
CY62148ESL-55ZAXIT	-	RFQ	1754年	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））	CY62148	sram-异步	2.2v〜3.6V，4.5V〜5.5V	32-Stsop	下载							1		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	512k x 8	平行线	55ns	未行业行业经验证
KT293AA-C	17.5000	RFQ	8672	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-KT293AA-C	Ear99	8473.30.5100	1
CY7C1460KVE25-167AXC	71.2250	RFQ	8740	Infineon技术	NOBL™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1460	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	360	167 MHz	易挥发的	36mbit	3.4 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
IS43DR16320E-25DBLI	4.8898	RFQ	5009	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16320	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1556	Ear99	8542.32.0028	209	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
S29GL01GP13TFIV10	16.0000	RFQ	14	赛普拉斯半导体公司	gl-p	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL01	闪光灯 -也不	1.65V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件				3A991B1A	8542.32.0071	32		非易失性	1Gbit	130 ns	闪光	128m x 8	平行线	130ns
MT52L256M32D1V01MWC2	18.3600	RFQ	4830	微米技术公司	*	大部分	积极的				MT52L256				-		3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1
IS61NLP204818A-166TQ-TR	-	RFQ	1018	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NLP204818	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	166 MHz	易挥发的	36mbit	3.5 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
UCS-ML-1X324RY-AC	218.7500	RFQ	3612	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-UCS-ML-1X324RY-AC	Ear99	8473.30.5100	1
MT29F6T08ETHBBM5-3RES：b tr	-	RFQ	1662	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	-	-	MT29F6T08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	非易失性	6Tbit		闪光	768g x 8	平行线	-
71421SA4J	-	RFQ	6678	Renesas Electronics America Inc	-	管子	上次购买	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	-				800-71421SA4J			1		易挥发的	16kbit		SRAM	2k x 8	平行线	-
C-1600D3SR4VRN/4G	72.5000	RFQ	7481	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-1600D3SR4VRN/4G	Ear99	8473.30.5100	1
AT24CS01-XHM-T	1.0000	RFQ	7486	atmel	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	AT24CS01	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-tssop	下载					Ear99	8542.32.0051	1	1 MHz	非易失性	1kbit	550 ns	EEPROM	128 x 8	i²c	5ms	未行业行业经验证
CY7C1440AV33-167AXCT	-	RFQ	1386	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1440	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	750	167 MHz	易挥发的	36mbit	3.4 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
W632GU8MB12J	-	RFQ	1977年	Winbond电子产品	-	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	W632GU8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-VFBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	242	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
CY15B102N-ZS60XA	22.9300	RFQ	2	赛普拉斯半导体公司	汽车，AEC-Q100，F-RAM™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY15B102	fram （铁电 ram）	2v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	不适用	供应商不确定	2832-CY15B102N-ZS60XA			25		非易失性	2Mbit	90 ns	框架	128K x 16	平行线	90NS	未行业行业经验证
CY7C1021BV33-12BAC	2.9600	RFQ	78	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY7C1021	sram-异步	3v〜3.6V	48-FBGA（7x7）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	64k x 16	平行线	12ns
AS7C31024B-10TJCN	3.1724	RFQ	8080	联盟记忆，Inc。	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	AS7C31024	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	22		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
IS42S83200B-7TLI	-	RFQ	8607	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S83200	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 8	平行线	-
GD25LQ16WIGY	0.5642	RFQ	5262	gigadevice 半导体（香）	GD25LQ	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	1.65v〜2.1V	8-wson（5x6）	下载				1970-GD25LQ16WIGY			5,700	133 MHz	非易失性	16mbit	6 ns	闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，2.4ms
MR256D08BMA45R	7.2300	RFQ	8464	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR256D08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000		非易失性	256kbit	45 ns	内存	32K x 8	平行线	45ns
AT8358A86-IWE2D	-	RFQ	5776	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））		150-AT8358A86-IWE2DTR	过时的		1,000
28503869 a	-	RFQ	3735	Infineon技术	*	大部分	过时的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
00U0283-C	22.5000	RFQ	3270	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-00U0283-C	Ear99	8473.30.5100	1
W631GG6KB11I	-	RFQ	1575年	Winbond电子产品	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	W631GG6	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-WBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	190	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	-
GS832236AGB-333i	67.4000	RFQ	5342	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜100°C（TJ）	表面安装	119-BGA	GS832236	sram-同步，标准	2.3v〜2.7V，3v〜3.6V	119-fpbga（22x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS832236AGB-333I	3A991B2B	8542.32.0041	14	333 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-
M25P128-VME6TG TR	-	RFQ	1844年	微米技术公司	Forté™	（CT）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	M25P128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-vdfpn（MLP8）（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	50 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi	15ms，7ms
MT58L128V32P1T-10	7.5200	RFQ	3	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L128V32	SRAM	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4Mbit	5 ns	SRAM	128K x 32	平行线	-
S25HS512TFAMHI013	9.6950	RFQ	3542	Infineon技术	Semper™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	1.7V〜2V	16-Soic	下载					3A991B1A	8542.32.0071	1,450	166 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
mtfc16gapalgt-s1 it	17.6400	RFQ	6046	微米技术公司	E•MMC™	盒子	积极的	-	表面安装	153-TFBGA		Flash -nand（slc）	-	153-TFBGA（11.5x13）	-				557-MTFC16GAPALGT-S1IT			1		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	EMMC_5.1	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²