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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | W979H2KBVX2E TR | 4.9500 | ![]() | 1662 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -25°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-VFBGA | W979H2 | sdram- lpddr2 -s4b | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 134-vfbga(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W979H2KBVX2ETR | Ear99 | 8542.32.0028 | 3,500 | 400 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 德拉姆 | 16m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||
![]() | 7027S12PF8 | - | ![]() | 3616 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | - | 800-7027S12PF8TR | 1 | 易挥发的 | 512kbit | 12 ns | SRAM | 32k x 16 | 平行线 | 12ns | |||||||||
![]() | MT29F4T08EULEEM4-T:E TR | 85.8150 | ![]() | 2502 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 132-BGA | Flash -nand(tlc) | 2.6v〜3.6V | 132-LBGA (12x18) | - | 557-MT29F4T08EUULUEEM4-T:ETR | 2,000 | 非易失性 | 4Tbit | 闪光 | 512g x 8 | 平行线 | - | ||||||||||
AS4C256M8D3LC-12BIN | 8.2104 | ![]() | 3369 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-VFBGA | AS4C256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA(7.5x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-AS4C256M8D3LC-12BIN | Ear99 | 8542.32.0036 | 210 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | CY7C1356A-133AC | 6.3800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 包 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1356 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 4.2 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | GS8662T20BGD-500I | 129.1320 | ![]() | 3213 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜100°C(TJ) | 表面安装 | 165-LBGA | GS8662TT | sram-四边形端口,同步 | 1.7V〜1.9V | 165-FPBGA(15x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2364-GS8662T20BGD-500I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 500 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 4m x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | CY7C1474BV25-167BGC | 138.6700 | ![]() | 103 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | NOBL™ | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 209-BGA | CY7C1474 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 209-fbga(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 167 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | 3.4 ns | SRAM | 1m x 72 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | IS25WP01G-RILA3 | 13.3836 | ![]() | 7343 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-LBGA | 闪存-SLC) | 1.7V〜1.95V | 24-LFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25WP01G-RILA3 | 480 | 104 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 10 ns | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1ms | ||||||
![]() | MB85RS256TYPNF-GS-AWE2 | 3.1288 | ![]() | 9201 | 0.00000000 | Kaga Fei America,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MB85RS256 | fram (铁电 ram) | 1.8v〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 865-MB85RS256TYPNF-GS-AWE2TR | Ear99 | 8542.32.0071 | 85 | 33 MHz | 非易失性 | 256kbit | 13 ns | 框架 | 32K x 8 | spi | - | |||
![]() | S99AL032DU | - | ![]() | 8310 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S25FL064P0XMFI003 | - | ![]() | 8831 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-p | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FL064 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,450 | 104 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 5µs,3ms | ||||
![]() | CY7C1350G-133BGXC | 6.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | NOBL™ | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | CY7C1350 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 47 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | CY62137VNLL-70ZSXA | 4.9100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY62137 | sram-异步 | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 62 | 易挥发的 | 2Mbit | 70 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 70NS | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CAT24WC128W | 0.0500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | CAT24WC128 | EEPROM | 2.5V〜6V | 8-SOIC | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-CAT24WC128W-488 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 1 MHz | 非易失性 | 128kbit | 550 ns | EEPROM | 16k x 8 | i²c | 10ms | |||
![]() | EN-20 128GB i | - | ![]() | 8925 | 0.00000000 | 瑞士 | - | 大部分 | 积极的 | EN-20 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | EN-20128GBI级 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | MT47H64M8B6-25:D Tr | - | ![]() | 8921 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 60-FBGA | MT47H64M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-FBGA | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS49NLS18160A-25WBL | 27.7833 | ![]() | 1384 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-twbga(11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS49NLS18160A-25WBL | 104 | 400 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 16m x 18 | HSTL | - | |||||
![]() | MT29VZZZ7D7DQKWL-053 W.97Y | - | ![]() | 8595 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 过时的 | 表面安装 | MT29VZZZ7 | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,520 | ||||||||||||||||||
![]() | MT53E384M32D2DS-046自动:e tr | 13.5900 | ![]() | 1483 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53E384 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT53E384M32D2DS-046AUT:ETR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 12Gbit | 德拉姆 | 384m x 32 | - | - | |||
S27KS0642GABHA023 | 5.2500 | ![]() | 3234 | 0.00000000 | Infineon技术 | HyperRAM™KS | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜2V | 24-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2 | 8542.32.0041 | 2,500 | 200 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 35 ns | PSRAM | 8m x 8 | 超肥 | 35ns | |||||||
![]() | LE25S161MDTWG | - | ![]() | 8518 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 488-LE25S161MDTWG | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | DS28E02P-W10+4 | - | ![]() | 8701 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -20°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 6-SMD,J-Lead | DS28E02 | EEPROM | 1.75V〜3.65V | 6-TSOC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 175-DS28E02P-W10+4Tr | 过时的 | 4,000 | 非易失性 | 1kbit | 2 µs | EEPROM | 256 x 4 | 1-Wire® | 25ms | |||||
![]() | AF032GEC5A-2001A2 | 63.7900 | ![]() | 16 | 0.00000000 | ATP电子,Inc。 | 汽车 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C | 表面安装 | 153-fbga | AF032 | Flash -nand(pslc) | 153-BGA(11.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1282-AF032GEC5A-2001A2 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 760 | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | EMMC | ||||||
![]() | MT53E1536M32D4DT-046 AIT:A TR | - | ![]() | 4559 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | MT53E1536 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT53E1536M32D4DT-046AIT:ATR | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 48Gbit | 德拉姆 | 1.5GX 32 | - | - | ||||||
CAT25160VP2IGT3C | - | ![]() | 9576 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | CAT25160 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-tdfn (2x3) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 488-CAT25160VP2IGT3CTR | 过时的 | 3,000 | 10 MHz | 非易失性 | 16kbit | EEPROM | 2k x 8 | spi | 5ms | ||||||
![]() | S25FL032P0XNFV010 | - | ![]() | 7266 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-p | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | S25FL032 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-uson(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | -S25FL032P0XNFV010 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 490 | 104 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 5µs,3ms | |||
![]() | EDB8164B4PR-1D-FR TR | - | ![]() | 1765年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 216-WFBGA | EDB8164 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.95v | 216-fbga(12x12) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 德拉姆 | 128m x 64 | 平行线 | - | ||||
![]() | IS42S16400D-6BLI | - | ![]() | 2020 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS42S16400 | Sdram | 3v〜3.6V | 60 minibga(6.4x10.1) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 286 | 166 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5 ns | 德拉姆 | 4m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | SST25VF020B-80-4C-Q3AE | - | ![]() | 3556 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SST25 | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | SST25VF020 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 8-uson(3x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 80 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 闪光 | 256K x 8 | spi | 10µs | |||||
![]() | IS26KL512S-DABLI00 | - | ![]() | 3738 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | IS26KL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-vfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS26KL512S-DABLI00 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 100 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 96 ns | 闪光 | 64m x 8 | 平行线 | - |
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