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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SST26VF016-80-5I-QAE | 1.9350 | ![]() | 3219 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SST26SQI® | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | SST26VF016 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 98 | 80 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 1.5ms | ||||
![]() | STK14C88-NF25 | - | ![]() | 2399 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.295(7.50mm) | STK14C88 | NVSRAM(SRAM) | 4.5V〜5.5V | 32-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 44 | 非易失性 | 256kbit | 25 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 25ns | ||||
![]() | 7024S25PFG8 | - | ![]() | 2417 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 7024S25 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | - | 800-7024S25PFG8TR | 过时的 | 250 | 易挥发的 | 64kbit | 25 ns | SRAM | 4K x 16 | 平行线 | 25ns | |||||||
![]() | NDS36PT5-16AT TR | 3.2532 | ![]() | 5673 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 1982-NDS36PT5-16ATTR | 1,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | CY7C024A-25JXC | - | ![]() | 5044 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 84-LCC(j-lead) | CY7C024 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 84-PLCC (29.31x29.31) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 15 | 易挥发的 | 64kbit | 25 ns | SRAM | 4K x 16 | 平行线 | 25ns | ||||
![]() | C-1866D3DR8EN/8G-TAA | 191.2500 | ![]() | 5356 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-C-1866D3DR8EN/8G-TAA | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MT53B384M64D4NZ-053 wt:c | - | ![]() | 1632年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | MT53B384 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 24Gbit | 德拉姆 | 384m x 64 | - | - | |||||
![]() | BR24G128FVJ-3AGTE2 | 0.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | BR24G128 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-TSSOP-BJ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 1 MHz | 非易失性 | 128kbit | EEPROM | 16k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | MT46H32M32LFJG-5 IT:a tr | - | ![]() | 6703 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 168-VFBGA | MT46H32M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-VFBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 5 ns | 德拉姆 | 32m x 32 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | W25M512JWFIQ TR | 5.6700 | ![]() | 4522 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | W25M512 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜1.95V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25M512JWFIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 7 ns | 闪光 | 64m x 8 | spi | 5ms | ||
![]() | CY7C1363A-100AJC | 7.0000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 包 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1363 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 100 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 8 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | 4x70K09920-C | 25.0000 | ![]() | 6455 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-4X70K09920-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CY7C1320JV18-300BZXC | 39.2900 | ![]() | 394 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1320 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 8 | 300 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | 24CS256-I/MS | 0.9400 | ![]() | 8153 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | flash -nand,dram -lpddr | 1.7V〜5.5V | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-24CS256-i/ms | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 3.4 MHz | 非易失性 | 256kbit | 70 ns | EEPROM | 32K x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | AS6C1616B-45Tintr | 8.6823 | ![]() | 5789 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | sram-异步 | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | 3(168)) | 1450-AS6C1616B-45TINTR | 1,500 | 易挥发的 | 16mbit | 45 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 45ns | ||||||||
![]() | SST26VF016BT-80E/SN70SVAO | - | ![]() | 5431 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 汽车,AEC-Q100,SST26SQI® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SST26VF016 | 闪光 | 2.3v〜3.6V | 8-SOIC | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-SST26VF016BT-80E/SN70SVAO | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,300 | 80 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 1.5ms | ||||
![]() | CY7C1360C-166AXCKG | 12.4200 | ![]() | 917 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-标准 | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | - | 2156-CY7C1360C-166AXCKG | 25 | 166 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | ||||||||
![]() | AS4C16M16SB-6Tintr | 3.2532 | ![]() | 9874 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | 3(168)) | 1450-AS4C16M16SB-6Tintr | 1,000 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | lvttl | 12ns | |||||||
![]() | W25Q16JVSSIM TR | 0.4304 | ![]() | 2378 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | W25Q16 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q16JVSSIMTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 16mbit | 6 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 3ms | ||
![]() | AT24C32AW-10SU-1.8 | - | ![]() | 3311 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | AT24C32 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 94 | 400 kHz | 非易失性 | 32kbit | 900 ns | EEPROM | 4K x 8 | i²c | 5ms | |||
S29GL01GT10GHI020 | 10.0000 | ![]() | 251 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-T | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-VFBGA | S29GL01 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-FBGA(9x7) | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 2832-S29GL01GT10GHI020 | 3A991A2 | 8542.32.0070 | 50 | 非易失性 | 1Gbit | 100 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 60ns | 未行业行业经验证 | |||
![]() | W25Q01JVTBIM TR | 9.2850 | ![]() | 2586 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | W25Q01 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q01JVTBIMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 7.5 ns | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 3.5ms | ||
![]() | GD25LR256FIRR | 2.8974 | ![]() | 4907 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LR | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 16 SOP | - | 1970-GD25LR256FIRRTR | 1,000 | 104 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 9 ns | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 70µs,1.2ms | ||||||||
![]() | IDT71V124SA12TYI8 | - | ![]() | 5208 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | IDT71V124 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 32-soj | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71V124SA12TYI8 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 12ns | |||
![]() | 70V38VL20PFI8 | - | ![]() | 2541 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | - | 800-70V38VL20PFI8TR | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | S25FS064SDSMFB010 | 2.9225 | ![]() | 5218 | 0.00000000 | Infineon技术 | FS-S | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | S25FS064 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,800 | 80 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | ||||
![]() | 5962-8700215UA | - | ![]() | 5898 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-LCC | 5962-8700215 | sram-双端口,同步 | 4.5V〜5.5V | 48-LCC (14.22x14.22) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 800-5962-8700215UA | 过时的 | 34 | 易挥发的 | 16kbit | 70 ns | SRAM | 2k x 8 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | SNPV1RX3C/2G-C | 17.5000 | ![]() | 6394 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-SNPV1RX3C/2G-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CY62157G30-45ZXAT | 19.2675 | ![]() | 1869年 | 0.00000000 | Infineon技术 | MOBL® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B1B2 | 8542.32.0071 | 1,000 | 易挥发的 | 8mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 45ns | |||||||
![]() | FT24C02A-USG-B | - | ![]() | 2647 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FT24C02 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 非易失性 | 2kbit | 550 ns | EEPROM | 256 x 8 | i²c | 5ms |
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