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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | S99ML02G10040 | - | ![]() | 4271 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | 大部分 | 在sic中停产 | S99ML02 | - | 供应商不确定 | 2120-S99ML02G10040 | 0000.00.0000 | 1,000 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||
24AA1026-i/p | 4.5300 | ![]() | 3446 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | 24AA1026 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 24AA1026IP | Ear99 | 8542.32.0051 | 60 | 400 kHz | 非易失性 | 1Mbit | 900 ns | EEPROM | 128K x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87K TR | - | ![]() | 3143 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 149-WFBGA | Flash -nand(slc),DRAM -LPDDR4 | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 149-WFBGA(8x9.5) | 下载 | 557-MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87KTR | 过时的 | 2,000 | 非易失性,挥发性 | 4Gbit | 25 ns | 闪光,ram | 512m x 8 | onfi | 30ns | ||||||||
![]() | S34SL02G200BHV003 | - | ![]() | 8674 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | SL-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34SL02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 2Gbit | 25 ns | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | IS49NLS93200-25BLI | - | ![]() | 9531 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 144-TFBGA | IS49NLS93200 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 32m x 9 | 平行线 | - | |||
![]() | S25FL164K0XMFB000 | - | ![]() | 6255 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100,FL1-K | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FL164 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 108 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 3ms | ||||
![]() | AT27BV256-70TI | - | ![]() | 5781 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | AT27BV256 | EPROM -OTP | 2.7V〜3.6V,4.5V〜5.5V | 28-tsop | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | AT27BV25670TI | Ear99 | 8542.32.0061 | 234 | 非易失性 | 256kbit | 70 ns | EPROM | 32K x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MX25L3233FZNI-08Q | 0.8900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 大元 | MXSMIO™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | MX25L3233 | 闪光灯 -也不 | 2.65v〜3.6V | 8-wson(6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 8m x 4 | Spi -Quad I/O。 | 50µs,1.2ms | ||||
![]() | 71016S20YG8 | - | ![]() | 9282 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | 71016 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-SOJ | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 易挥发的 | 1Mbit | 20 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 20NS | ||||
![]() | 709269S9PF8 | - | ![]() | 3911 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 709269 | sram-双端口,同步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 易挥发的 | 256kbit | 9 ns | SRAM | 16k x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29F6T08ETCBBM5-37ES:b tr | - | ![]() | 5873 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | - | - | MT29F6T08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 267 MHz | 非易失性 | 6Tbit | 闪光 | 768g x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | IS25WE256E-RMLE-TR | 4.2125 | ![]() | 6322 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪存-SLC) | 1.7V〜1.95V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25WE256E-RMLE-TR | 1,000 | 166 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1ms | |||||||
![]() | MT53E1G64D4HJ-046 AAT:c tr | 56.5050 | ![]() | 1283 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 556-TFBGA | sdram- lpddr4x | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | 下载 | 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT:CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 64Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 1G x 64 | 平行线 | 18NS | ||||||||
![]() | 4x70F28590-C | 132.5000 | ![]() | 6064 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-4X70F28590-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | GD25LB512MEYIGR | 4.6509 | ![]() | 1068 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LB | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-wson(6x8) | 下载 | 1970-GD25LB512Meyigrtr | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | - | |||||||||
![]() | P770024CFYC000 | - | ![]() | 5308 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 500 | |||||||||||||||||||
![]() | 7133la35pf | - | ![]() | 7066 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 7133la | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 45 | 易挥发的 | 32kbit | 35 ns | SRAM | 2k x 16 | 平行线 | 35ns | ||||
![]() | BR24G32FVJ-3GTE2 | 0.3700 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | BR24G32 | EEPROM | 1.6V〜5.5V | 8-TSSOP-BJ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 非易失性 | 32kbit | EEPROM | 4K x 8 | i²c | 5ms | ||||
M95128-DFMC6TG | 0.7500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | M95128 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-fufdfpn(2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 20 MHz | 非易失性 | 128kbit | EEPROM | 16k x 8 | spi | 5ms | |||||
![]() | CY14B116S-BZ35XI | 63.3164 | ![]() | 8962 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 165-fbga(15x17) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 105 | 非易失性 | 16mbit | 35 ns | NVSRAM | 平行线 | 35ns | |||||||||
![]() | 7005L12PFI | - | ![]() | 6380 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 上次购买 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LQFP | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 64-TQFP (14x14) | - | 800-7005L12PFI | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 12 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 12ns | |||||||||
![]() | S71VS064RB0AHT4L0 | 3.4300 | ![]() | 480 | 0.00000000 | 肾脏 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-S71VS064RB0AHT4L0 | 88 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 7005SJ | - | ![]() | 9559 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 上次购买 | - | 表面安装 | 68-LCC(j-lead) | sram-双端口,异步 | - | 68-PLCC (24.21x24.21) | - | 800-7005SJ | 1 | 易挥发的 | 64kbit | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | - | ||||||||||
![]() | HN58C256AP10E | - | ![]() | 5361 | 0.00000000 | 肾脏 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-HN58C256AP10E-1833 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 70V27S55PFI | - | ![]() | 7962 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 70v27 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 90 | 易挥发的 | 512kbit | 55 ns | SRAM | 32k x 16 | 平行线 | 55ns | |||||
![]() | IDT71V416L10YI | - | ![]() | 5791 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | IDT71V416 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-SOJ | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71v416l10yi | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 16 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 10NS | |||
![]() | S29WS064RABBHI010 | - | ![]() | 2029 | 0.00000000 | Infineon技术 | WS-R | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 84-VFBGA | S29WS064 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜1.95V | 84-fbga(11.6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 200 | 108 MHz | 非易失性 | 64mbit | 80 ns | 闪光 | 4m x 16 | 平行线 | 60ns | |||
![]() | IDT71T75902S80BGGI | - | ![]() | 1924年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | IDT71T75 | sram-同步,SDR(ZBT) | 2.375V〜2.625V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71T75902S80BGGI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 易挥发的 | 18mbit | 8 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | ||||
![]() | AT28HC64BF-70JU | - | ![]() | 3488 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 32-lcc(j-lead) | AT28HC64 | EEPROM | 4.5V〜5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 32 | 非易失性 | 64kbit | 70 ns | EEPROM | 8k x 8 | 平行线 | 10ms | ||||
![]() | FM21LD16-60-BG | - | ![]() | 6044 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F-RAM™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | FM21LD16 | fram (铁电 ram) | 2.7V〜3.6V | 48-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 非易失性 | 2Mbit | 110 ns | 框架 | 128K x 16 | 平行线 | 110NS | 未行业行业经验证 |
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