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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 sic可编程
S99ML02G10040 SkyHigh Memory Limited S99ML02G10040 -
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ECAD 4271 0.00000000 Skyhigh Memory Limited - 大部分 在sic中停产 S99ML02 - 供应商不确定 2120-S99ML02G10040 0000.00.0000 1,000 未行业行业经验证
24AA1026-I/P Microchip Technology 24AA1026-i/p 4.5300
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ECAD 3446 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) 24AA1026 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 24AA1026IP Ear99 8542.32.0051 60 400 kHz 非易失性 1Mbit 900 ns EEPROM 128K x 8 i²c 5ms
MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87K TR Micron Technology Inc. MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87K TR -
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ECAD 3143 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 149-WFBGA Flash -nand(slc),DRAM -LPDDR4 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 149-WFBGA(8x9.5) 下载 557-MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87KTR 过时的 2,000 非易失性,挥发性 4Gbit 25 ns 闪光,ram 512m x 8 onfi 30ns
S34SL02G200BHV003 Cypress Semiconductor Corp S34SL02G200BHV003 -
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ECAD 8674 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 SL-2 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 63-VFBGA S34SL02 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-BGA(11x9) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,300 非易失性 2Gbit 25 ns 闪光 256m x 8 平行线 -
IS49NLS93200-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200-25BLI -
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ECAD 9531 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLS93200 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 104 400 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 32m x 9 平行线 -
S25FL164K0XMFB000 Infineon Technologies S25FL164K0XMFB000 -
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ECAD 6255 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q100,FL1-K 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) S25FL164 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 240 108 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 3ms
AT27BV256-70TI Microchip Technology AT27BV256-70TI -
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ECAD 5781 0.00000000 微芯片技术 - 托盘 过时的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) AT27BV256 EPROM -OTP 2.7V〜3.6V,4.5V〜5.5V 28-tsop 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 AT27BV25670TI Ear99 8542.32.0061 234 非易失性 256kbit 70 ns EPROM 32K x 8 平行线 -
MX25L3233FZNI-08Q Macronix MX25L3233FZNI-08Q 0.8900
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ECAD 3 0.00000000 大元 MXSMIO™ 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 MX25L3233 闪光灯 -也不 2.65v〜3.6V 8-wson(6x5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 570 133 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 8m x 4 Spi -Quad I/O。 50µs,1.2ms
71016S20YG8 Renesas Electronics America Inc 71016S20YG8 -
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ECAD 9282 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) 71016 sram-异步 4.5V〜5.5V 44-SOJ 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 500 易挥发的 1Mbit 20 ns SRAM 64k x 16 平行线 20NS
709269S9PF8 Renesas Electronics America Inc 709269S9PF8 -
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ECAD 3911 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 709269 sram-双端口,同步 4.5V〜5.5V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 750 易挥发的 256kbit 9 ns SRAM 16k x 16 平行线 -
MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F6T08ETCBBM5-37ES:b tr -
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ECAD 5873 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F6T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 非易失性 6Tbit 闪光 768g x 8 平行线 -
IS25WE256E-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WE256E-RMLE-TR 4.2125
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ECAD 6322 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 1.7V〜1.95V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25WE256E-RMLE-TR 1,000 166 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,1ms
MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4HJ-046 AAT:c tr 56.5050
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ECAD 1283 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 556-TFBGA sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) 下载 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT:CTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 3.5 ns 德拉姆 1G x 64 平行线 18NS
4X70F28590-C ProLabs 4x70F28590-C 132.5000
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ECAD 6064 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-4X70F28590-C Ear99 8473.30.5100 1
GD25LB512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEYIGR 4.6509
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ECAD 1068 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LB 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-wson(6x8) 下载 1970-GD25LB512Meyigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr -
P770024CFYC000 Infineon Technologies P770024CFYC000 -
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ECAD 5308 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 500
7133LA35PF Renesas Electronics America Inc 7133la35pf -
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ECAD 7066 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 7133la sram-双端口,异步 4.5V〜5.5V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 45 易挥发的 32kbit 35 ns SRAM 2k x 16 平行线 35ns
BR24G32FVJ-3GTE2 Rohm Semiconductor BR24G32FVJ-3GTE2 0.3700
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ECAD 90 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) BR24G32 EEPROM 1.6V〜5.5V 8-TSSOP-BJ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 非易失性 32kbit EEPROM 4K x 8 i²c 5ms
M95128-DFMC6TG STMicroelectronics M95128-DFMC6TG 0.7500
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ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-UFDFN暴露垫 M95128 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-fufdfpn(2x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 5,000 20 MHz 非易失性 128kbit EEPROM 16k x 8 spi 5ms
CY14B116S-BZ35XI Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XI 63.3164
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ECAD 8962 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-LBGA NVSRAM(SRAM) 2.7V〜3.6V 165-fbga(15x17) - rohs3符合条件 到达不受影响 105 非易失性 16mbit 35 ns NVSRAM 平行线 35ns
7005L12PFI Renesas Electronics America Inc 7005L12PFI -
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ECAD 6380 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 上次购买 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-LQFP sram-双端口,异步 4.5V〜5.5V 64-TQFP (14x14) - 800-7005L12PFI 1 易挥发的 64kbit 12 ns SRAM 8k x 8 平行线 12ns
S71VS064RB0AHT4L0 Renesas S71VS064RB0AHT4L0 3.4300
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ECAD 480 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 - 2156-S71VS064RB0AHT4L0 88
7005SJ Renesas Electronics America Inc 7005SJ -
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ECAD 9559 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 上次购买 - 表面安装 68-LCC(j-lead) sram-双端口,异步 - 68-PLCC (24.21x24.21) - 800-7005SJ 1 易挥发的 64kbit SRAM 8k x 8 平行线 -
HN58C256AP10E Renesas HN58C256AP10E -
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ECAD 5361 0.00000000 肾脏 * 大部分 积极的 下载 供应商不确定 到达不受影响 2156-HN58C256AP10E-1833 1
70V27S55PFI Renesas Electronics America Inc 70V27S55PFI -
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ECAD 7962 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 70v27 sram-双端口,异步 3v〜3.6V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 3A991B2B 8542.32.0041 90 易挥发的 512kbit 55 ns SRAM 32k x 16 平行线 55ns
IDT71V416L10YI Renesas Electronics America Inc IDT71V416L10YI -
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ECAD 5791 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) IDT71V416 sram-异步 3v〜3.6V 44-SOJ 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 71v416l10yi 3A991B2A 8542.32.0041 16 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 256K x 16 平行线 10NS
S29WS064RABBHI010 Infineon Technologies S29WS064RABBHI010 -
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ECAD 2029 0.00000000 Infineon技术 WS-R 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 84-VFBGA S29WS064 闪光灯 -也不 1.7V〜1.95V 84-fbga(11.6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 200 108 MHz 非易失性 64mbit 80 ns 闪光 4m x 16 平行线 60ns
IDT71T75902S80BGGI Renesas Electronics America Inc IDT71T75902S80BGGI -
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ECAD 1924年 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 119-BGA IDT71T75 sram-同步,SDR(ZBT) 2.375V〜2.625V 119-PBGA(14x22) 下载 3(168)) 到达不受影响 71T75902S80BGGI 3A991B2A 8542.32.0041 84 易挥发的 18mbit 8 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
AT28HC64BF-70JU Microchip Technology AT28HC64BF-70JU -
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ECAD 3488 0.00000000 微芯片技术 - 管子 过时的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 32-lcc(j-lead) AT28HC64 EEPROM 4.5V〜5.5V 32-PLCC (13.97x11.43) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 32 非易失性 64kbit 70 ns EEPROM 8k x 8 平行线 10ms
FM21LD16-60-BG Cypress Semiconductor Corp FM21LD16-60-BG -
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ECAD 6044 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 F-RAM™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA FM21LD16 fram (铁电 ram) 2.7V〜3.6V 48-fbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.32.0071 480 非易失性 2Mbit 110 ns 框架 128K x 16 平行线 110NS 未行业行业经验证
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库