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![]() | CY7C1481BV33-133BGXI | 221.0950 | ![]() | 1318 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | CY7C1481 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 119-fbga(14x22) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 133 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | 6.5 ns | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | SNPM0VW4C/8G-C | 41.0000 | ![]() | 2143 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-SNPM0VW4C/8G-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IS45S32800D-7BLA1 | - | ![]() | 1146 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS45S32400 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 32m x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | W632GG8NB15I TR | 4.6281 | ![]() | 3659 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-VFBGA | W632GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W632GG8NB15ITR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 8 | SSTL_15 | 15ns | ||
W25Q64CVZPAG | - | ![]() | 3243 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 管子 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | W25Q64 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x5) | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25Q64CVZPAG | 过时的 | 1 | 80 MHz | 非易失性 | 64mbit | 6 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs,3ms | |||||
![]() | LC3564BT-70 | - | ![]() | 1908年 | 0.00000000 | Sanyo | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | sram-异步 | 28-tsop i | - | 2156-LC3564BT-70 | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 200 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | ||||||||||||
![]() | FT24C02A-USG-B | - | ![]() | 2647 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FT24C02 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 非易失性 | 2kbit | 550 ns | EEPROM | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||
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![]() | NDS36PT5-20IT | 2.7899 | ![]() | 5546 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | - | 1982-NDS36PT5-20IT | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 4.5 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | lvttl | 10NS | ||||||||
S25FL127SABBHIT03 | 9.3400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-s | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FL127 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-bga(8x6) | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 2832-S25FL127SABBHIT03TR | 3A991A2 | 8542.32.0070 | 54 | 108 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | 未行业行业经验证 | |||
![]() | STK22C48-SF45ITR | - | ![]() | 4482 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-SOIC (0.342“,8.69mm宽度) | STK22C48 | NVSRAM(SRAM) | 4.5V〜5.5V | 28-Soic | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 非易失性 | 16kbit | 45 ns | NVSRAM | 2k x 8 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | 709269S7PFG | - | ![]() | 4823 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 上次购买 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-双端口,标准 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | - | 800-709269S7PFG | 1 | 易挥发的 | 256kbit | SRAM | 16k x 16 | 平行线 | - | ||||||||||
![]() | CY7C136-55NXIT | - | ![]() | 3167 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 52-BQFP | CY7C136 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 52-PQFP(10x10) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 易挥发的 | 16kbit | 55 ns | SRAM | 2k x 8 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | CY62157G30-45ZXAT | 19.2675 | ![]() | 1869年 | 0.00000000 | Infineon技术 | MOBL® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B1B2 | 8542.32.0071 | 1,000 | 易挥发的 | 8mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 45ns | |||||||
![]() | MT62F4G32D8DV-023 FAAT:b | 126.4350 | ![]() | 6960 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 盒子 | 积极的 | -40°C〜105°C | - | - | sdram- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023FAAT:b | 1 | 4.266 GHz | 易挥发的 | 128Gbit | 德拉姆 | 4G x 32 | 平行线 | - | |||||||||
![]() | CY7C1011CV33-15BVIT | 4.8500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY7C1011 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 易挥发的 | 2Mbit | 15 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | FM93C46TEM8 | - | ![]() | 2572 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 93C46 | EEPROM | 4.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | 非易失性 | 1kbit | EEPROM | 64 x 16 | 微线 | 10ms | ||||
![]() | SST25PF040CT-40E/MF | 1.9050 | ![]() | 6681 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 汽车,AEC-Q100,SST25 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | SST25PF040 | 闪光 | 2.3v〜3.6V | 8-WDFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 40 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 闪光 | 512k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | CY7C1020CV33-15ZXC | - | ![]() | 7859 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1020 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | - | rohs3符合条件 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 2 | 易挥发的 | 512kbit | 15 ns | SRAM | 32k x 16 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | AT25QF641-DWF | - | ![]() | 9088 | 0.00000000 | Renesas电子运营服务有限公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 死 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 晶圆 | - | 1695-AT25QF641-DWFTR | 过时的 | 1 | 104 MHz | 非易失性 | 64mbit | 6 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 150µs,5ms | |||||||
GS82582Q18GE-333I | 423.0000 | ![]() | 1702 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜100°C(TJ) | 表面安装 | 165-LBGA | GS82582Q18 | sram-四边形端口,同步 | 1.7V〜1.9V | 165-FPBGA(15x17) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2364-GS82582Q18GE-333I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 333 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | SRAM | 16m x 18 | 平行线 | - | ||||
![]() | 70V261L12PF8 | - | ![]() | 8146 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | - | 800-70V261L12PF8TR | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 12 ns | SRAM | 16k x 16 | 平行线 | 12ns | |||||||||
![]() | MT62F4G32D8DV-023 AUT:b | 145.4250 | ![]() | 3151 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C | - | - | sdram- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023AUT:b | 1 | 4.266 GHz | 易挥发的 | 128Gbit | 德拉姆 | 4G x 32 | 平行线 | - | |||||||||
![]() | mtfc8gacaens-aat | - | ![]() | 4850 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 153-TFBGA | mtfc8 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA(11.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | 70824L20PFI8 | - | ![]() | 9827 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 80-LQFP | SRAM | 4.5V〜5.5V | 80-TQFP(14x14) | - | 800-70824L20PFI8TR | 1 | 40 MHz | 易挥发的 | 64kbit | 20 ns | SRAM | 4K x 16 | 平行线 | 20NS | ||||||||
![]() | S70KL1282GABHI020 | 7.2450 | ![]() | 2299 | 0.00000000 | Infineon技术 | HyperRAM™KL | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | PSRAM (伪 SRAM) | 2.7V〜3.6V | 24-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 3,380 | 200 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 35 ns | PSRAM | 16m x 8 | 超肥 | 35ns | |||||
![]() | CY7C1061GE30-10BVXI | 38.5000 | ![]() | 4349 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY7C1061 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,400 | 易挥发的 | 16mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 10NS | ||||
![]() | CY7C1513KV18-333BZC | 156.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1513 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 | 333 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 4m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | IS43TR16512BL-107MBLI-TR | 20.1229 | ![]() | 1825年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43TR16512BL-107MBLI-TR | 2,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns |
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