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69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
MT53E768M64D4SQ-046 AIT：A TR	-	RFQ	3717	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）			MT53E768	sdram- lpddr4	1.1V		-	rohs3符合条件	3（168））		MT53E768M64D4SQ-046AIT：ATR	过时的	0000.00.0000	2,000	2.133 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	768m x 64	-	-
W634GU8QB-11 tr	5.1914	RFQ	6809	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	W634GU8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-VFBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W634GU8QB-11TR	Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
W25Q128JVPAQ	-	RFQ	4900	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x5）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q128JVPAQ			1	133 MHz	非易失性	128mbit	6 ns	闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
CAT93C56W-TE13	-	RFQ	8046	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT93C56	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,000	2 MHz	非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8，128 x 16	微线	-
MT62F512M32D2DS-031自动：b	19.6650	RFQ	9880	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	-	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F512M32D2DS-031AUT：b			1	3.2 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	平行线	-
CY7C1351S-100AXC	5.4300	RFQ	218	赛普拉斯半导体公司	-	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1351	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	-	不适用				3A991B2A		56	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-	未行业行业经验证
GD25WQ40EGR	0.3676	RFQ	2074	gigadevice 半导体（香）	GD25WQ	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		闪存-SLC）	1.65V〜3.6V	8-sop	下载				1970-GD25WQ40ETIGRTR			3,000	104 MHz	非易失性	4Mbit	7 ns	闪光	512k x 8	Spi -Quad I/O。	120µs，4ms
LE24C082M-TLM-E	-	RFQ	9563	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	LE24C	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-MFP	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	1,000	400 kHz	非易失性	8kbit	900 ns	EEPROM	1k x 8	i²c	10ms
A5039656-C	30.0000	RFQ	9336	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A5039656-C	Ear99	8473.30.5100	1
24LC04BH-I/SN	0.3400	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	24LC04BH	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz	非易失性	4Kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8 x 2	i²c	5ms
BR93G86FVJ-3AGTE2	0.2628	RFQ	1558年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	BR93G86	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-TSSOP-BJ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	3 MHz	非易失性	16kbit		EEPROM	1k x 16	微线	5ms
NDQ48PFQ-8NNET TR	8.2500	RFQ	7318	Insignis Technology Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-FBGA（7.5x10.6）	-				1982-NDQ48PFQ-8NNETTR			2,500	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	512m x 8	平行线	-
647907-S21-C	35.0000	RFQ	4110	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-647907-S21-C	Ear99	8473.30.5100	1
MT58L256L18F1T-10	5.9800	RFQ	37	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	66 MHz	易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
NDS76PT5-16ET	2.0259	RFQ	4360	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）		Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	-				1982-NDS76PT5-16ET			1,000	166 MHz	易挥发的	128mbit		德拉姆	8m x 16	lvttl	-
IDT71V424S12PH	-	RFQ	5518	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IDT71V424	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V424S12PH	3A991B2A	8542.32.0041	26		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	512k x 8	平行线	12ns
BR24G128NUX-5TR	0.6700	RFQ	27	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	BR24G128	EEPROM	1.6V〜5.5V	VSON008X2030	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	4,000	1 MHz	非易失性	128kbit		EEPROM	16k x 8	i²c	5ms
AS4C256M16D3C-93BCN	8.8996	RFQ	7927	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	AS4C256	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA（7.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS4C256M16D3C-93BCN	Ear99	8542.32.0036	209	1.066 GHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16		15ns
C-2666D4DR4RN/16G	113.5000	RFQ	6225	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-2666D4DR4RN/16G	Ear99	8473.30.5100	1
W25Q32JVXGAQ	-	RFQ	7178	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-xdfn暴露垫	W25Q32	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-XSON（4x4）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q32JVXGAQ			1	133 MHz	非易失性	32Mbit	6 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	3ms
IS61WV25616FALL-10TLI	3.2472	RFQ	8981	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	1.65V〜2.2V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV25616FALL-10TLI			135		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
M3032316045NX0PBCY	108.8828	RFQ	3655	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	484-BGA		MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	484-cabga （23x23）	-	rohs3符合条件			800-M3032316045NX0PBCY			168		非易失性	32Mbit	45 ns	内存	2m x 16	平行线	45ns
NDS36PT5-16AT TR	3.2532	RFQ	5673	Insignis Technology Corporation	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS36PT5-16ATTR			1,000
SST26VF016-80-5I-QAE	1.9350	RFQ	3219	微芯片技术	SST26SQI®	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	SST26VF016	闪光	2.7V〜3.6V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	98	80 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	1.5ms
CY7C024A-25JXC	-	RFQ	5044	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	84-LCC（j-lead）	CY7C024	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	84-PLCC （29.31x29.31）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	15		易挥发的	64kbit	25 ns	SRAM	4K x 16	平行线	25ns
STK14C88-NF25	-	RFQ	2399	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	STK14C88	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	44		非易失性	256kbit	25 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	25ns
C-1866D3DR8EN/8G-TAA	191.2500	RFQ	5356	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-1866D3DR8EN/8G-TAA	Ear99	8473.30.5100	1
23K256-i/sn	1.4800	RFQ	8	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	23K256	SRAM	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	23K256ISN	Ear99	8542.32.0041	100	20 MHz	易挥发的	256kbit		SRAM	32K x 8	spi	-
MT53E768M32D4DE-046 wt：e tr	25.0400	RFQ	2846	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E768M32D4DE-046WT：ETR			1	2.133 GHz	易挥发的	24Gbit	3.5 ns	德拉姆	768m x 32	平行线	18NS
EM004LXOBB320IS1T	17.1900	RFQ	480	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	24-tbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM004LXOBB320IS1T	Ear99	8542.32.0071	480	200 MHz	非易失性	4Mbit	7 ns	内存	512k x 8	spi -octal I/o	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²