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69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
W631GG6NB12J TR	-	RFQ	2534	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	W631GG6	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-VFBGA（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W631GG6NB12JTR	Ear99	8542.32.0032	3,000	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	SSTL_15	15ns
IS46TR85120AL-125KBLA1	-	RFQ	3420	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS46TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA（9x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR85120AL-125KBLA1	Ear99	8542.32.0036	136	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
M87C257-90C1	-	RFQ	7261	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	M87C257	EPROM -OTP	4.5V〜5.5V	32-PLCC （11.43x13.97）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0061	32		非易失性	256kbit	90 ns	EPROM	32K x 8	平行线	-
CY62128BLL-70ZRXET	-	RFQ	9916	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	CY62128	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,500		易挥发的	1Mbit	70 ns	SRAM	128K x 8	平行线	70NS
SM662GXC BESS	27.7300	RFQ	98	硅运动，Inc。	Ferri-Emmc®	托盘	积极的	-	表面安装	100-LBGA		Flash -nand（tlc）	-	100-BGA （14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1984-SM662GXCBESS	3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	-		闪光		EMMC	-
IS43TR16640ED-15HBLI-TR	5.2459	RFQ	7553	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR16640ED-15HBLI-TR			1,500	667 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	SSTL_15	15ns
A8217683-C	110.0000	RFQ	7961	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A8217683-C	Ear99	8473.30.5100	1
RMLV0808BGSB-4S2 ＃AA0	6.2000	RFQ	2504	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	RMLV0808	SRAM	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-1161-RMLV0808BGSB-4S2＃AA0	3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	8mbit	45 ns	SRAM	1m x 8	平行线	45ns
P00926-K21-C	835.0000	RFQ	2545	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-P00926-K21-C	Ear99	8473.30.5100	1
MT62F768M64D4BG-036 wt：a tr	-	RFQ	7326	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F768M64D4BG-036WT：ATR	过时的		2,000	2.75 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	768m x 64	平行线	-
W25N01GVTBIR	-	RFQ	2281	Winbond电子产品	Spiflash®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	W25N01	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	24-tfbga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25N01GVTBIR	3A991B1A	8542.32.0071	480	104 MHz	非易失性	1Gbit	7 ns	闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O。	700µs
IS61VPS102436B-250B3L	94.1664	RFQ	1583年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61VPS102436	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz	易挥发的	36mbit	2.8 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
IDT71V67602S150PF8	-	RFQ	6380	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V67602	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V67602S150PF8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000	150 MHz	易挥发的	9Mbit	3.8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
FM24C32ULEM8	-	RFQ	6668	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FM24C32	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	100 kHz	非易失性	32kbit	3.5 µs	EEPROM	4K x 8	i²c	15ms
MT62F1G32D2DS-023 WT ES：c	22.8450	RFQ	9532	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D2DS-023WTES：c			1	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
MT53E1G32D2FW-046 wt：a tr	22.0050	RFQ	7894	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E1G32D2FW-046WT：ATR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	18NS
W25Q01JVTBIM TR	9.2850	RFQ	2586	Winbond电子产品	Spiflash®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	W25Q01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-tfbga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25Q01JVTBIMTR	3A991B1A	8542.32.0071	2,000	133 MHz	非易失性	1Gbit	7.5 ns	闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	3.5ms
AT24C32AW-10SU-1.8	-	RFQ	3311	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	AT24C32	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	94	400 kHz	非易失性	32kbit	900 ns	EEPROM	4K x 8	i²c	5ms
IDT71V124SA12TYI8	-	RFQ	5208	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	IDT71V124	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V124SA12TYI8	3A991B2B	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
GD25LR256FIRR	2.8974	RFQ	4907	gigadevice 半导体（香）	GD25LR	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	1.65V〜2V	16 SOP	-				1970-GD25LR256FIRRTR			1,000	104 MHz	非易失性	256Mbit	9 ns	闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	70µs，1.2ms
CY7C1618KV18-333BZXC	358.8200	RFQ	7936	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1618	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	525	333 MHz	易挥发的	144Mbit		SRAM	8m x 18	平行线	-
INT1600SB16L-C	230.0000	RFQ	8844	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-INT1600SB16L-C	Ear99	8473.30.5100	1
CY62138FV30LL-45ZAXIT	7.7500	RFQ	1	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））	CY62138	sram-异步	2.2v〜3.6V	32-Stsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,500		易挥发的	2Mbit	45 ns	SRAM	256K x 8	平行线	45ns
MT46H64M32LFT89MWC2-N1004	-	RFQ	2353	微米技术公司	-	大部分	过时的	-			MT46H64M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V		-			到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1		易挥发的	2Gbit		德拉姆	64m x 32	平行线
7130LA35PDG	-	RFQ	6413	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	48 浸（0.600英寸，15.24毫米）	7130LA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	48-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	7		易挥发的	8kbit	35 ns	SRAM	1k x 8	平行线	35ns
485033-004-C	17.5000	RFQ	3481	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-485033-004-C	Ear99	8473.30.5100	1
C-2400D4SR16N/4G	46.2500	RFQ	1059	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-2400D4SR16N/4G	Ear99	8473.30.5100	1
DS1250Y-100IND+	100.3209	RFQ	3853	ADI/MAXIM集成	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	32 滴模块（0.600英寸，15.24毫米）	DS1250Y	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	32-Edip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	11		非易失性	4Mbit	100 ns	NVSRAM	512k x 8	平行线	100ns
CY7C1460KV25-200BZI	-	RFQ	7062	赛普拉斯半导体公司	NOBL™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1460	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规		供应商不确定				1	200 MHz	易挥发的	36mbit	3.2 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-	未行业行业经验证
SST25PF020B-80-4C-Q3AE	-	RFQ	5684	微芯片技术	SST25	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	SST25PF020	闪光	2.3v〜3.6V	8-uson（3x2）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0071	3,000	80 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	spi	10µs

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²