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69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
CG7803AA	-	RFQ	6670	Infineon技术	-	托盘	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	72
M29F800DT70N6F TR	-	RFQ	3464	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29F800	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	48-TSOP	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	70NS
MX25U51245GZ4J00	6.2250	RFQ	5946	大元	MX25XXX35/36 -MXSMIO™	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	1.7V〜2V	8-wson（8x6）	-		3（168））		1092-MX25U51245GZ4J00			480	133 MHz	非易失性	512Mbit	5 ns	闪光	128m x 4，256m x 2，512m x 1	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	4ms
SST39LF400A-55-4C-EKE	2.8500	RFQ	390	微芯片技术	SST39 MPF™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	SST39LF400	闪光	3v〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SST39LF400A554CEKE	Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	4Mbit	55 ns	闪光	256K x 16	平行线	20µs
GD25S512MDYEGR	6.0164	RFQ	9308	gigadevice 半导体（香）	GD25S	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	下载				1970-GD25S512MDYEGRTR			3,000	104 MHz	非易失性	512Mbit	7 ns	闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O。	60µs，2.5ms
7026L55JI/2703	-	RFQ	2899	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-LCC（j-lead）	7026L55	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	84-PLCC （29.31x29.31）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	15		易挥发的	256kbit	55 ns	SRAM	16k x 16	平行线	55ns
S25HS512TDDDPNHI013	9.3800	RFQ	9507	Infineon技术	Semper™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	1.7V〜2V	8-wson（6x8）	下载					3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
SST26WF016BAT-104I/CS	2.2200	RFQ	3177	微芯片技术	SST26SQI®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-ufbga，CSPBGA	SST26WF016	闪光	1.65V〜1.95V	8-CSP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,000	104 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	1.5ms
STK12C68-PF25I	-	RFQ	3693	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	28- 浸（0.300英寸，7.62mm）	STK12C68	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-pdip	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	14		非易失性	64kbit	25 ns	NVSRAM	8k x 8	平行线	25ns
IS43TR81024BL-107MBL	21.5163	RFQ	7325	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR81024BL-107MBL			136	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
BR25G640FVT-3GE2	0.4200	RFQ	1978年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	BR25G640	EEPROM	1.6V〜5.5V	8-TSSOP-B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	20 MHz	非易失性	64kbit		EEPROM	8k x 8	spi	5ms
MT62F512M64D4EK-031 WT：b	23.3100	RFQ	7515	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	-	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F512M64D4EK-031WT：b			1	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	平行线	-
GS81282Z36GD-250I	212.4680	RFQ	5789	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜100°C（TJ）	表面安装	165-LBGA	GS81282Z36	sram-同步，ZBT	2.3v〜2.7V，3v〜3.6V	165-FPBGA（15x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS81282Z36GD-250I	3A991B2B	8542.32.0041	10	250 MHz	易挥发的	144Mbit		SRAM	4m x 36	平行线	-
IS42SM16800G-75BI-Tr	-	RFQ	1481	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42SM16800	sdram-移动	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	133 MHz	易挥发的	128mbit	6 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
FM24C32UFLEM8	0.4700	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FM24C32	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	400 kHz	非易失性	32kbit	900 ns	EEPROM	4K x 8	i²c	15ms
M95640-RDW6TP	0.4500	RFQ	4390	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	M95640	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	4,000	20 MHz	非易失性	64kbit		EEPROM	8k x 8	spi	5ms
mtfc4gmdea-4m it tr	-	RFQ	6557	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-WFBGA	mtfc4	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-WFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0036	1,000		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	MMC	-
MX30LF2G18AC-XKJ	3.8060	RFQ	1790年	大元	MX30LF	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	63-VFBGA		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-		3（168））		1092-MX30LF2G18AC-XKJ			220		非易失性	2Gbit	16 ns	闪光	256m x 8	onfi	20n，600µs
71V30L55TF	-	RFQ	2906	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	71v30	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	64-TQFP（10x10）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	40		易挥发的	8kbit	55 ns	SRAM	1k x 8	平行线	55ns
71T75602S166BG	50.3100	RFQ	7965	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	71T75602	sram-同步，SDR（ZBT）	2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	166 MHz	易挥发的	18mbit	3.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
CY62148GN30-45SXIT	4.4275	RFQ	4828	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	CY62148	sram-异步	2.2v〜3.6V	32-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	512k x 8	平行线	45ns
CY7C1514KV18-333BZC	-	RFQ	2547	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1514	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136	333 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
AT26DF081A-MU	-	RFQ	4453	微芯片技术	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	AT26DF081	闪光	2.7V〜3.6V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	490	70 MHz	非易失性	8mbit		闪光	256字节x 4096页	spi	7µs，5ms
UCS-MR-1X081RU-GC	145.0000	RFQ	1048	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-UCS-MR-1X081RU-GC	Ear99	8473.30.5100	1
UPD431000AGW-70L-E1-A	7.6800	RFQ	32	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991	8542.32.0041	1,000
MT53D384M32D2DS-053 XT：c tr	-	RFQ	4233	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	2,000	1.866 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
FM93C56EM8	0.4900	RFQ	925	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	93C56	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	1 MHz	非易失性	2kbit		EEPROM	128 x 16	微线	10ms
AS4C128M16D3LC-12BINTR	7.0792	RFQ	3763	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	AS4C128	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-fbga（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS4C128M16D3LC-12BINTR	Ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
GD25X512MEF2RR	12.9053	RFQ	2768	gigadevice 半导体（香）	GD25X	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	16 SOP	-				1970-GD25X512MEF2RRTR			1,000	200 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	spi -octal I/o	-
K6T1008V2E-TF70	2.0000	RFQ	720	三星半导体公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装			sram-异步	3.3V	32-tsop	-				3277-K6T1008V2E-TF70	Ear99	8542.32.0041	720		易挥发的	1Mbit		SRAM	128K x 8	平行线	70NS	未行业行业经验证

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²