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69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
CY7C1515KV18-333BZXC	190.9250	RFQ	9291	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1515	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-CY7C1515KV18-333BZXC	3A991B2A	8542.32.0041	1,360	333 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CY7C2562XV18-366BZXC	215.1200	RFQ	94	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C2562	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载							1	366 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
7164L45TPGI	-	RFQ	3735	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	28- 浸（0.300英寸，7.62mm）		sram-异步	4.5V〜5.5V	28-pdip	-				800-7164L45TPGI			1		易挥发的	64kbit	45 ns	SRAM	8k x 8	平行线	45ns
AT27C800-12PC	-	RFQ	1317	微芯片技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TC）	通过洞	42 滴（0.600英寸，15.24毫米）	AT27C800	EPROM -OTP	4.5V〜5.5V	42-PDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1B1	8542.32.0061	8		非易失性	8mbit	120 ns	EPROM	1M x 8，512k x 16	平行线	-
7014S20J8	-	RFQ	6541	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）	7014S20	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	400		易挥发的	36kbit	20 ns	SRAM	4K x 9	平行线	20NS
CY62128BNLL-70ZXAT	-	RFQ	9545	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	CY62128	sram-异步	4.5V〜5.5V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,500		易挥发的	1Mbit	70 ns	SRAM	128K x 8	平行线	70NS
MT53E256M16D1FW-046 wt：b tr	7.4850	RFQ	5256	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	下载				557-MT53E256M16D1FW-046WT：BTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	18NS
SST39VF802C-70-4C-B3KE	1.8400	RFQ	13	微芯片技术	SST39 MPF™	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	SST39VF802	闪光	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SST39VF802C704CB3KE	Ear99	8542.33.0001	480		非易失性	8mbit	70 ns	闪光	512k x 16	平行线	10µs
MT62F3G32D8DV-023 AAT：b tr	94.8300	RFQ	1764年	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F3G32D8DV-023AAT：BTR			2,000	4.266 GHz	易挥发的	96Gbit		德拉姆	3G x 32	平行线	-
MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES：a	38.9700	RFQ	7895	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F1T08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			8542.32.0071	1,120	333 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
41x1081-C	17.5000	RFQ	7181	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-41X1081-C	Ear99	8473.30.5100	1
70V38L20PF8	-	RFQ	5760	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70V38L	sram-双端口，异步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	750		易挥发的	1.125Mbit	20 ns	SRAM	64k x 18	平行线	20NS
W25Q128BVESG	-	RFQ	7212	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（8x6）	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q128BVESG	过时的		1	104 MHz	非易失性	128mbit	7 ns	闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，3ms
MT29F2T08EMLEEJ4-QJ：e tr	52.9800	RFQ	3739	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F2T08EMLEEJ4-QJ：ETR			2,000
NDS66PBA-16IT	2.7602	RFQ	4429	Insignis Technology Corporation	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA		Sdram	3v〜3.6V	54-fbga（8x8）	-				1982-NDS66PBA-16IT			2,500	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	lvttl	-
CY621472GN30-45ZSXI	5.7750	RFQ	2506	Infineon技术	MOBL®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY621472	sram-异步	2.2v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,350		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns
STK11C68-SF35ITR	-	RFQ	4468	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-SOIC （0.342“，8.69mm宽度）	STK11C68	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		非易失性	64kbit	35 ns	NVSRAM	8k x 8	平行线	35ns
S99JL064J60TFI000	-	RFQ	1425	Infineon技术	-	托盘	过时的								-	rohs3符合条件		到达不受影响		过时的		1
W77Q32JWSFIO	1.4299	RFQ	5883	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	W77Q32	闪光	1.7V〜1.95V	16-Soic	-	rohs3符合条件	3（168））		256-W77Q32JWSFIO			176	104 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	-	Spi -Quad I/O，QPI	-
IS25WP256D-JMLE	5.3900	RFQ	263	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IS25WP256	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	44	104 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	800µs
70V658S10BF	188.0752	RFQ	8508	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	208-LFBGA	70v658	sram-双端口，异步	3.15V〜3.45V	208-cabga（15x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	7		易挥发的	2Mbit	10 ns	SRAM	64k x 36	平行线	10NS
70V07S45PFI8	-	RFQ	1671年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	80-LQFP		sram-双端口，异步	3v〜3.6V	80-TQFP（14x14）	-				800-70V07S45PFI8TR			1		易挥发的	256kbit	45 ns	SRAM	32K x 8	平行线	45ns
AS4C256M16MD4V-062BAN	20.5900	RFQ	136	联盟记忆，Inc。	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-fbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1450-AS4C256M16MD4V-062BAN	Ear99	8542.32.0036	136	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 16	lvstl	18NS
CY7C09369V-12AXC	40.4500	RFQ	50	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C09369	sram-双端口，同步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件				3A991B2B	8542.32.0041	8	50 MHz	易挥发的	288kbit	12 ns	SRAM	16k x 18	平行线	-	未行业行业经验证
IS42S16100E-7TL-Tr	-	RFQ	3511	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S16100	Sdram	3v〜3.6V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	143 MHz	易挥发的	16mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
7132LA100J	-	RFQ	8595	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）	7132LA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	24		易挥发的	16kbit	100 ns	SRAM	2k x 8	平行线	100ns
CY15B104QN-20LPXI	21.0175	RFQ	5670	Infineon技术	Excelon™-LP，F-RAM™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UQFN	CY15B104	fram （铁电 ram）	1.8v〜3.6V	8-GQFN（3.23x3.28）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	490	20 MHz	非易失性	4Mbit		框架	512k x 8	spi	-
CY7C1568V18-375BZXC	-	RFQ	3195	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1568	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	375 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
BR24C02-RDW6TP	-	RFQ	9045	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	BR24C02	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	100 kHz	非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8	i²c	10ms
MT53B384M64D4EZ-062 wt：a tr	-	RFQ	1470	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53B384	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	1.6 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	384m x 64	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²