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69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
CAT93C56WGI	0.1500	RFQ	3	Onmi	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT93C56	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-CAT93C56WGI-488	Ear99	8542.32.0071	1	2 MHz	非易失性	2kbit	250 ns	EEPROM	128 x 16，256 x 8	微线	-
24CS512-E/SM	1.4800	RFQ	3585	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	24CS512	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-soij	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-24CS512-E/SM	Ear99	8542.32.0051	90	3.4 MHz	非易失性	512kbit	400 ns	EEPROM	64k x 8	i²c	5ms
S29GL01GS11DHSS20	12.4950	RFQ	4206	Infineon技术	GL-S	托盘	积极的	0°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,600		非易失性	1Gbit	110 ns	闪光	64m x 16	平行线	60ns
NM24C02MT8	0.3700	RFQ	839	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	NM24C02	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-tssop	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	400 kHz	非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
CY71347A-133ACT	-	RFQ	5506	赛普拉斯半导体公司	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定				750
7025S35PFGI8	-	RFQ	1293	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的								-			到达不受影响	800-7025S35PFGI8	过时的		1
S29GL032N90FFIS13	-	RFQ	8463	Infineon技术	GL-N	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL032	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,600		非易失性	32Mbit	90 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	90NS
CY7C1318BV18-250BZC	35.1300	RFQ	572	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1318	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	9	250 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	1m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
CY7C1418JV18-300BZXC	58.4000	RFQ	1	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1418	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	105	300 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	2m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
IS61NVF102418-7.5B3I	-	RFQ	6844	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NVF102418	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112	18.3750	RFQ	8592	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	149-VFBGA		Flash -nand（slc），DRAM -LPDDR4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	149-VFBGA（8x9.5）	-				557-MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112			1		非易失性，挥发性	8Gbit	25 ns	闪光，ram	1G x 8	onfi	30ns
70121S45JG	-	RFQ	7426	Renesas Electronics America Inc	-	管子	上次购买	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	-				800-70121S45JG			1		易挥发的	18kbit	45 ns	SRAM	2k x 9	平行线	45ns
W25Q64FWZEIG	-	RFQ	4111	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25Q64	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-wson（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25Q64FWZEIG	过时的	8542.32.0071	63	104 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，5ms
7026L12JI8	-	RFQ	1542	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-LCC（j-lead）		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	84-PLCC （29.31x29.31）	-				800-7026L12JI8TR			1		易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	16k x 16	平行线	12ns
CYDMX064A16-90BVXI	6.9400	RFQ	3	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-VFBGA	cydmx	sram-双端口，莫布	1.8V〜3.3V	100-vfbga（6x6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0041	44		易挥发的	64kbit	90 ns	SRAM	4K x 16	平行线	90NS	未行业行业经验证
mtfc32gapalbh-aat es tr	-	RFQ	6376	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	153-TFBGA	mtfc32g	闪存-NAND	-	153-TFBGA（11.5x13）	-		（1 （无限）			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
IDT70V7319S166DD	-	RFQ	6687	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-LQFP暴露垫	IDT70V7319	sram-双端口，同步	3.15V〜3.45V	144-TQFP（20x20）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	70V7319S166DD	3A991B2A	8542.32.0041	6	166 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.6 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
647873-B21-C	36.2500	RFQ	4729	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-647873-B21-C	Ear99	8473.30.5100	1
NDS38PT5-20ET TR	2.4786	RFQ	9428	Insignis Technology Corporation	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS38PT5-20ETTR			1,000
MT53D2G32D8QD-053 WT ES：e	-	RFQ	5666	微米技术公司	-	盒子	过时的	-30°C〜85°C（TC）			MT53D2G32	sdram- lpddr4	1.1V		-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,360	1.866 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	2G x 32	-	-
MT29F4T08GMLCEJ4：c	78.1500	RFQ	4679	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F4T08GMLCEJ4：c			1
FM24C128LN	0.6000	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	FM24C128	EEPROM	2.5V〜5.5V	8点	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	100 kHz	非易失性	128kbit	3.5 µs	EEPROM	16k x 8	i²c	6ms
CY62157G18-55BVXI	13.1075	RFQ	1410	Infineon技术	MOBL®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	CY62157	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	8mbit	55 ns	SRAM	512k x 16	平行线	55ns
T0H92AA-C	41.0000	RFQ	9618	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-T0H92AA-C	Ear99	8473.30.5100	1
7134SA55J	-	RFQ	3726	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）	7134SA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	24		易挥发的	32kbit	55 ns	SRAM	4K x 8	平行线	55ns
IS43DR16128C-3DBLI	11.9772	RFQ	2240	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16128	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1569	Ear99	8542.32.0036	209	333 MHz	易挥发的	2Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
MT25TL512BAA1ESF-0AAT	-	RFQ	9864	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MT25TL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-SOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	spi	8ms，2.8ms
7018S12PF	-	RFQ	2647	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买								-				800-7018S12PF			1
IS45S32200L-7BLA2	6.3035	RFQ	3933	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS45S32200	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
SNPVT8FPC/4G-C	19.7500	RFQ	3994	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-SNPVT8FPC/4G-C	Ear99	8473.30.5100	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²