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69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
MT53E384M32D2DS-046自动：e tr	13.5900	RFQ	1483	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53E384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53E384M32D2DS-046AUT：ETR	Ear99	8542.32.0036	2,000	2.133 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
CG8402AAT	-	RFQ	2624	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,000
N02L63W3AT25I	-	RFQ	4478	Onmi	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	N02L63	sram-异步	2.3v〜3.6V	44-TSOP II	下载		3（168））	到达不受影响	766-1035	3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	2Mbit	55 ns	SRAM	128K x 16	平行线	55ns
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CY7C024-55JXCT	-	RFQ	2948	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	84-LCC（j-lead）	CY7C024	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	84-PLCC （29.31x29.31）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	250		易挥发的	64kbit	55 ns	SRAM	4K x 16	平行线	55ns
IS61NVP204818B-200TQLI-TR	69.6500	RFQ	7574	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NVP204818	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	36mbit	3.1 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
S25FL512SAGMFAR13	9.8700	RFQ	9229	Infineon技术	fl-s	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,450	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O。	-
mtfc64gasaons-ait tr	37.6950	RFQ	7973	微米技术公司	汽车，AEC-Q104	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	153-TFBGA		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	153-TFBGA（11.5x13）	-				557-MTFC64GASAONS-AITTR			2,000	52 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	UFS2.1	-
upd46185182bf1-e40y-eq1-a	42.0700	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1
CAT24C256XI	-	RFQ	3989	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	CAT24C256	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	94	1 MHz	非易失性	256kbit	500 ns	EEPROM	32K x 8	i²c	5ms
R1LP5256ESA-7SR ＃B0	3.6000	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-tssop （0.465英寸，11.80mm宽度）	R1LP5256	SRAM	4.5V〜5.5V	28-tsop i	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	256kbit	70 ns	SRAM	32K x 8	平行线	70NS
MT53E4G32D8GS-046 WT ES：C TR	127.0200	RFQ	5172	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	-	-		sdram- lpddr4	-	-	-				557-MT53E4G32D8GS-046WTES：CTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	4G x 32	平行线	-
CY7C0831V-167AC	41.9300	RFQ	264	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	120-LQFP	CY7C0831	sram-双端口，同步	3.135V〜3.465V	120-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	167 MHz	易挥发的	2Mbit		SRAM	128K x 18	平行线	-
71V3577S80BQI	-	RFQ	9610	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	71v3577	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4.5mbit	8 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
SST26VF064B-104I/WF70S	-	RFQ	6517	微芯片技术	SST26SQI®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）		死	SST26VF064	闪光	2.7V〜3.6V	晶圆	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	5,000	104 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	1.5ms
mtfc32gazaqhd-it tr	15.7800	RFQ	1150	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	mtfc32g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFC32GAZAQHD-ITTR	3A991B1A	8542.32.0071	2,000	200 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	EMMC	-
7024L55GM	-	RFQ	8604	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的								-			到达不受影响	800-7024L55GM	过时的		1
W632GG8MB-12 TR	-	RFQ	6514	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	W632GG8	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-vfbga（10.5x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	-
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S25FL256SAGMFIR00	6.6500	RFQ	356	Infineon技术	fl-s	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	240	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O。	-
FM93C56AM8	-	RFQ	8706	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	93c56a	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	1 MHz	非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8，128 x 16	微线	10ms
370-ADFU-C	28.0000	RFQ	5424	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-370-ADFU-C	Ear99	8473.30.5100	1
CY7C1474BV33-167BGC	138.6700	RFQ	32	赛普拉斯半导体公司	NOBL™	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	209-BGA	CY7C1474	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	209-fbga（14x22）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	84	167 MHz	易挥发的	72Mbit	3.4 ns	SRAM	1m x 72	平行线	-	未行业行业经验证
M29W400FB5AN6E	-	RFQ	6642	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W400	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	4Mbit	55 ns	闪光	512k x 8，256k x 16	平行线	55ns
SST26VF040AT-104I/SN	1.1800	RFQ	205	微芯片技术	SST26SQI®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SST26VF040	闪光	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,300	104 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	Spi -Quad I/O。	1.5ms
FT24C08A-ETR-T	-	RFQ	2305	Fremont Micro Devices Ltd	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FT24C08	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	2,500	1 MHz	非易失性	8kbit	550 ns	EEPROM	1k x 8	i²c	5ms
SM662GEE BFSS	-	RFQ	1501	硅运动，Inc。	Ferri-Emmc®	托盘	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	100-LBGA	SM662	Flash -nand（slc），闪光灯-NAND（tlc）	-	100-BGA （14x18）	下载				1984-SM662GEEBFSS	3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	640Gbit		闪光	80g x 8	EMMC	-
M36W0R6050U4ZSF TR	-	RFQ	5342	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				M36W0R6050				-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	2,500
93AA66BT-I/MNY	0.4050	RFQ	1691年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	93AA66	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tdfn （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	2 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	256 x 16	微线	6ms
S29GL01GS11FHB020	17.5350	RFQ	8324	Infineon技术	GL-S	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	900		非易失性	1Gbit	110 ns	闪光	64m x 16	平行线	60ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²