SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 sic可编程
R1EX24032ASA00I#S0 Renesas Electronics America Inc R1EX24032ASA00I #S0 1.7100
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.31.0001 2,500
70V26L15JI8 Renesas Electronics America Inc 70V26L15JI8 -
RFQ
ECAD 5124 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 84-LCC(j-lead) sram-双端口,异步 3v〜3.6V 84-PLCC (29.31x29.31) - 800-70V26L15JI8TR 1 易挥发的 256kbit 15 ns SRAM 16k x 16 平行线 15ns
11AA080T-I/SN Microchip Technology 11AA080T-i/sn 0.3600
RFQ
ECAD 4421 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 11AA080 EEPROM 1.8V〜5.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 3,300 100 kHz 非易失性 8kbit EEPROM 1k x 8 单线 5ms
7016S25J8 Renesas Electronics America Inc 7016S25J8 -
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ECAD 6746 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 68-LCC(j-lead) 7016S25 sram-双端口,异步 4.5V〜5.5V 68-PLCC (24.21x24.21) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 250 易挥发的 144kbit 25 ns SRAM 16k x 9 平行线 25ns
CAT93C56YGI-T3 onsemi CAT93C56YGI-T3 0.1200
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ECAD 9 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) CAT93C56 EEPROM 2.5V〜5.5V 8-tssop 下载 Rohs不合规 供应商不确定 2156-CAT93C56YGI-T3-488 Ear99 8542.32.0071 1 2 MHz 非易失性 2kbit 250 ns EEPROM 128 x 16,256 x 8 微线 -
IS25LP040E-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP040E-JNLE-TR 0.4000
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ECAD 3 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IS25LP040 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 8 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 1.2ms
DS1265AB-70+ ADI/Maxim Integrated DS1265AB-70+ -
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ECAD 7666 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 通过洞 36 DIP 模块(0.610英寸,15.49毫米) DS1265AB NVSRAM(SRAM) 4.75V〜5.25V 36-Edip 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 3A991B2A 8542.32.0041 9 非易失性 8mbit 70 ns NVSRAM 1m x 8 平行线 70NS
MT25QL256ABA8E14-1SIT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8E14-1SIT -
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ECAD 2631 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA MT25QL256 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 spi 8ms,2.8ms
MT46H64M32L2JG-5 IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H64M32L2JG-5 IT:Tr -
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ECAD 2781 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 168-VFBGA MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-VFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 易挥发的 2Gbit 5 ns 德拉姆 64m x 32 平行线 15ns
IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR -
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ECAD 9240 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-tfbga(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR 2,500 1.6 GHz 易挥发的 4Gbit 3.5 ns 德拉姆 128m x 32 lvstl 18NS
CY7C1570V18-375BZXC Infineon Technologies CY7C1570V18-375BZXC -
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ECAD 6658 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA CY7C1570 Sram-同步,DDR II 1.7V〜1.9V 165-fbga(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 375 MHz 易挥发的 72Mbit SRAM 2m x 36 平行线 -
7130L25C Renesas Electronics America Inc 7130L25C -
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ECAD 3298 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 上次购买 - 800-7130L25C 1
71V65903S85PFGI8 Renesas Electronics America Inc 71V65903S85PFGI8 26.9705
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ECAD 2232 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP 71v65903 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 9Mbit 8.5 ns SRAM 512k x 18 平行线 -
MT62F512M128D8TE-031 XT:B Micron Technology Inc. MT62F512M128D8TE-031 XT:b 68.0400
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ECAD 7066 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT62F512M128D8TE-031XT:b 1
CY7C1021CV26-15VXE Infineon Technologies CY7C1021CV26-15VXE -
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ECAD 6134 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) CY7C1021 sram-异步 2.5v〜2.7V 44-SOJ 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -CY7C1021CV26 3A991B2B 8542.32.0041 17 易挥发的 1Mbit 15 ns SRAM 64k x 16 平行线 15ns
CY62148EV30LL-45BVI Cypress Semiconductor Corp CY62148EV30LL-45BVI -
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ECAD 7799 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 MOBL® 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-vfbga CY62148 sram-异步 2.2v〜3.6V 36-vfbga(6x8) 下载 59 易挥发的 4Mbit 45 ns SRAM 512k x 8 平行线 45ns 未行业行业经验证
03X6656-C ProLabs 03x6656-C 19.7500
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ECAD 6674 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-03x6656-C Ear99 8473.30.5100 1
MTFC256GAZAOTD-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc256gazaotd-ait tr 90.5250
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ECAD 9917 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MTFC256GAZAOTD-AITTR 2,000
CY7C006A-20AXCT Infineon Technologies CY7C006A-20AXCT -
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ECAD 6808 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 64-LQFP CY7C006 sram-双端口,异步 4.5V〜5.5V 64-TQFP (14x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 1,500 易挥发的 128kbit 20 ns SRAM 16k x 8 平行线 20NS
IS43LD16128C-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16128C-18BLI 10.5177
RFQ
ECAD 4351 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 134-TFBGA sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v 134-TFBGA(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43LD16128C-18BLI 171 533 MHz 易挥发的 2Gbit 5.5 ns 德拉姆 128m x 16 HSUL_12 15ns
IS42S16800D-75ETLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-75ETLI -
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ECAD 6290 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16800 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 133 MHz 易挥发的 128mbit 6.5 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 -
S26361-F3843-E617-C ProLabs S26361-F3843-E617-C 110.0000
RFQ
ECAD 1466 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-S26361-F3843-E617-C Ear99 8473.30.5100 1
S70FS01GSAGBHB210 Infineon Technologies S70FS01GSAGBHB210 16.5550
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ECAD 6905 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q100,FS-S 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA S70FS01 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 24-bga(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,690 133 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25UF64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25UF64EQIGR 1.0390
RFQ
ECAD 6007 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25UF 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC) 1.14v〜1.26v 8-uson (4x4) - 1970-GD25UF64EQIGRTR 3,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O,Dtr -
CAT24C16LI-G onsemi CAT24C16LI-G -
RFQ
ECAD 6833 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) CAT24C16 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-pdip 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 50 400 kHz 非易失性 16kbit 900 ns EEPROM 2k x 8 i²c 5ms
IDT71V256SA10Y8 Renesas Electronics America Inc IDT71V256SA10Y8 -
RFQ
ECAD 9696 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) IDT71V256 sram-异步 3v〜3.6V 28-soj 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 71V256SA10Y8 Ear99 8542.32.0041 1,000 易挥发的 256kbit 10 ns SRAM 32K x 8 平行线 10NS
CAT24C08YE-GT3 onsemi CAT24C08YE-GT3 -
RFQ
ECAD 7639 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) CAT24C08 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-tssop - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 非易失性 8kbit 900 ns EEPROM 1k x 8 i²c 5ms
70824S25PFI8 Renesas Electronics America Inc 70824S25PFI8 -
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ECAD 3746 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 80-LQFP SRAM 4.5V〜5.5V 80-TQFP(14x14) - 800-70824S25PFI8TR 1 33.3 MHz 易挥发的 64kbit 25 ns SRAM 4K x 16 平行线 25ns
CAT24C64YI-GT3 Catalyst Semiconductor Inc. CAT24C64YI-GT3 -
RFQ
ECAD 4451 0.00000000 催化剂半导体公司 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) CAT24C64 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-tssop 下载 Ear99 8542.32.0051 1 1 MHz 非易失性 64kbit 400 ns EEPROM 8k x 8 i²c 5ms
W956D8MBYA5I TR Winbond Electronics W956D8MBYA5I TR 1.6344
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ECAD 6956 0.00000000 Winbond电子产品 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 24-TBGA W956D8 HyperRam 1.7V〜2V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 256-W956D8MBYA5ITR Ear99 8542.32.0002 2,000 200 MHz 易挥发的 64mbit 35 ns 德拉姆 8m x 8 超肥 35ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库