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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GS832236AGB-333i | 67.4000 | ![]() | 5342 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜100°C(TJ) | 表面安装 | 119-BGA | GS832236 | sram-同步,标准 | 2.3v〜2.7V,3v〜3.6V | 119-fpbga(22x14) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2364-GS832236AGB-333I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 14 | 333 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | M25P128-VME6TG TR | - | ![]() | 1844年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Forté™ | (CT) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | M25P128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-vdfpn(MLP8)(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 50 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | spi | 15ms,7ms | ||||
![]() | MT58L128V32P1T-10 | 7.5200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | MT58L128V32 | SRAM | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 4Mbit | 5 ns | SRAM | 128K x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | S25HS512TFAMHI013 | 9.6950 | ![]() | 3542 | 0.00000000 | Infineon技术 | Semper™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪存-SLC) | 1.7V〜2V | 16-Soic | 下载 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,450 | 166 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | ||||||||
![]() | mtfc16gapalgt-s1 it | 17.6400 | ![]() | 6046 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 盒子 | 积极的 | - | 表面安装 | 153-TFBGA | Flash -nand(slc) | - | 153-TFBGA(11.5x13) | - | 557-MTFC16GAPALGT-S1IT | 1 | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||||
![]() | CY62148EV30LL-45BVI | - | ![]() | 9574 | 0.00000000 | Infineon技术 | MOBL® | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-vfbga | CY62148 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 36-vfbga(6x8) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 4,800 | 易挥发的 | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | M-ASR1002X-4GB-C | 65.0000 | ![]() | 6077 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-M-ASR1002X-4GB-C | Ear99 | 8473.30.9100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 7027L20PFGI | 105.8800 | ![]() | 3140 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 7027L20 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | 易挥发的 | 512kbit | 20 ns | SRAM | 32k x 16 | 平行线 | 20NS | ||||
![]() | GS8662Q36BGD-357I | 194.5700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜100°C(TJ) | 表面安装 | 165-LBGA | GS8662Q | sram-四边形端口,同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FPBGA(13x15) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2364-GS8662Q36BGD-357I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 357 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | P38446-B21-C | 320.0000 | ![]() | 9502 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-P38446-B21-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S26HL02GTFGBHB050 | 46.5500 | ![]() | 4922 | 0.00000000 | Infineon技术 | Semper™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 24-fbga(8x8) | 下载 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 520 | 133 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 超肥 | - | |||||||
![]() | GD9FU2G8F3AMGI | 4.5630 | ![]() | 6291 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD9F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | 1970-GD9FU2G8F3AMGI | 960 | 非易失性 | 2Gbit | 18 ns | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 20NS | |||||||||
![]() | IS43TR82560BL-15HBLI-TR | - | ![]() | 3682 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS43TR82560 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS49RL36160A-093FBL | 94.2300 | ![]() | 119 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 168-LBGA | IS49RL36160 | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA((13.5x13.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS49RL36160A-093FBL | Ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 1.066 GHz | 易挥发的 | 576Mbit | 7.5 ns | 德拉姆 | 16m x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | upd46365362bf1-e33-eq1-a | 60.1500 | ![]() | 352 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 71v416l10phg | 6.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | 71v416l | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 47 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 10NS | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | IS61WV51216EEALL-20TLI | 7.4957 | ![]() | 7133 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS61WV51216EEALL-20TLI | 135 | 易挥发的 | 8mbit | 20 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 20NS | |||||||
![]() | IS25LX128-JHLA3-Tr | 3.5489 | ![]() | 6927 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | IS25LX128 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25LX128-JHLA3-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | spi -octal I/o | - | |||
![]() | CY7C1312SV18-250BZC | 43.7000 | ![]() | 99 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1312 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | - | 不适用 | 3A991B2A | 7 | 250 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | S25FL256SAGMFVR01 | 12.9000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-s | 管子 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | 39 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | B4U35AT-C | 17.5000 | ![]() | 6462 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-B4U35AT-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:e | - | ![]() | 8417 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 132-vbga | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 132-vbga(12x18) | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,120 | 267 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | ||||||
![]() | 71V124SA10Y | - | ![]() | 1780年 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) | 71v124 | sram-异步 | 3.15v〜3.6V | 32-soj | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 10NS | ||||
![]() | CY7C12681KV18-400BZC | 57.7800 | ![]() | 138 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C12681 | sram-同步,DDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 400 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | MX66U1G45GMJ00 | 12.3000 | ![]() | 5084 | 0.00000000 | 大元 | MXSMIO™ | 管子 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MX66U1 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 16 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 166 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O,Dtr | 60µs,750µs | ||||
![]() | CY14B256L-SP35XI | 12.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-bessop(0.295英寸,7.50mm宽度) | CY14B256 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 48-SSOP | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 24 | 非易失性 | 256kbit | 35 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 35ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | 40060427-001 | - | ![]() | 9517 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 上次购买 | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 24AA256T-E/MNY | 1.2000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | 24AA256 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-tdfn (2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | 非易失性 | 256kbit | 900 ns | EEPROM | 32K x 8 | i²c | 5ms | |||
MT29F256G08CJABBWP-12:b | - | ![]() | 2026 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F256G08 | Flash -nand (MLC) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 83 MHz | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | CY7C0852AV-167AXC | 117.4700 | ![]() | 598 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 176-LQFP | CY7C0852 | sram-双端口,同步 | 3.135V〜3.465V | 176-TQFP(24x24) | - | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 40 | 167 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - |
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